一种无过桥高频天线制造技术

本发明专利技术公开了一种无过桥高频天线，其包括PET基材以及设置于所述PET基材两面的正面线路和反面线路，其中，所述正面线路包括正面线圈、正面内金属铝箔和正面外金属铝箔，所述正面线圈的一端与正面外金属铝箔串联，另一端与IC芯片的射频正极串联，所述IC芯片的射频负极与所述正面内金属铝箔串联，所述反面线路包括反面线圈、反面内金属铝箔和反面外金属铝箔，所述反面线圈的两端分别与反面内金属铝箔和反面外金属铝箔串联，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。上述无过桥高频天线不仅简化高频天线生产工艺，而且提升产品可靠性，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种无过桥高频天线
本专利技术涉及一种高频天线，尤其是涉及一种无过桥高频天线。
技术介绍
目前，RFID标签行业生产的高频天线常规设计是在PET薄膜正面和反面各蚀刻一套铝箔线路，通过模切机的模切功能将正、反面的线路导通。模切冲压桥接在具体的应用过程中存在如下缺点：1)模切冲压桥接后天线需要在线检测电阻，制造工艺复杂，成本高；2)由于模切机功能的局限性，沟通后的产品性能稳定性、抗破坏性和使用寿命均较差；3)产品可靠性差，生产过程中经过滚轴多次绕卷造成过桥断裂，产品性能失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种无过桥高频天线，其具有制造工艺简单、成本低和产品质量可靠稳定的特点，以解决现有技术中采用模切冲压桥接的高频天线存在的上述问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种无过桥高频天线，其包括PET基材以及设置于所述PET基材两面的正面线路和反面线路，其中，所述正面线路包括正面线圈、正面内金属铝箔和正面外金属铝箔，所述正面内金属铝箔和正面外金属铝箔分别位于所述正面线圈的内部和外围，所述正面线圈的一端与正面外金属铝箔串联，另一端与IC芯片的射频正极串联，所述IC芯片的射频负极与所述正面内金属铝箔串联，所述反面线路包括反面线圈、反面内金属铝箔和反面外金属铝箔，所述反面线圈的两端分别与反面内金属铝箔和反面外金属铝箔串联，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。特别地，所述正面内金属铝箔与所述反面内金属铝箔的设置位置相对应，所述正面外金属铝箔与所述反面线圈和反面外金属铝箔的设置位置相对应。特别地，所述正面内金属铝箔包括第一正面铝箔带、第二正面铝箔带、第三正面铝箔带和第四正面铝箔带，所述第一正面铝箔带与所述第三正面铝箔带平行间隔设置，所述第二正面铝箔带垂直连接于所述第一正面铝箔带和所述第三正面铝箔带的一端，所述第三正面铝箔带的另一端垂直连接有第四正面铝箔带，所述第四正面铝箔带上连接有IC芯片。特别地，所述正面外金属铝箔包括第五正面铝箔带、第六正面铝箔带、第七正面铝箔带和第八正面铝箔带，所述第五正面铝箔带的一端与正面线圈串联，所述第五正面铝箔带与所述第七正面铝箔带平行间隔设置，所述第六正面铝箔带垂直连接于所述第五正面铝箔带和所述第七正面铝箔带的一端，所述第八正面铝箔带的一端垂直连接于第七正面铝箔带的另一端，另一端向靠近所述第五正面铝箔带方向延伸。特别地，所述反面线圈的外形配合所述第六正面铝箔带、第七正面铝箔带和第八正面铝箔带的外形设置，所述反面外金属铝箔的外形配合所述第五正面铝箔带的外形设置，所述反面内金属铝箔包括第一反面铝箔带、第二反面铝箔带和第三反面铝箔带，所述第一反面铝箔带与所述第三反面铝箔带平行间隔设置，所述第二反面铝箔带垂直连接于所述第一反面铝箔带和所述第三反面铝箔带的一端，所述第一反面铝箔带与反面线圈串联，所述第三反面铝箔带的一端向靠近所述第一反面铝箔带方向垂直设置有延伸部。本专利技术的有益效果为，与现有技术相比所述无过桥高频天线当线圈工作在变化的磁场中时，正反两面线圈形成电动势，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。线圈形成的电感与金属铝箔形成的电容串联，与IC等效输入回路共同构成一个谐振回路。不仅简化高频天线生产工艺，而且提升产品可靠性，降低生产成本。附图说明图1是本专利技术具体实施方式1提供的无过桥高频天线的剖面图；图2是本专利技术具体实施方式1提供的无过桥高频天线的正面线路的结构示意图；图3是本专利技术具体实施方式1提供的无过桥高频天线的反面线路的结构示意图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。请参阅图1和图3所示，本实施例中，一种无过桥高频天线包括PET基材1以及设置于所述PET基材1两面的正面线路2和反面线路3，所述正面线路2包括正面线圈20、正面内金属铝箔21和正面外金属铝箔22，所述正面内金属铝箔21和正面外金属铝箔22分别位于所述正面线圈20的内部和外围，所述正面线圈20的一端与正面外金属铝箔22串联，另一端与IC芯片4的射频正极串联，所述IC芯片4的射频负极与所述正面内金属铝箔21串联，所述反面线路3包括反面线圈30、反面内金属铝箔31和反面外金属铝箔32，所述反面线圈30的两端分别与反面内金属铝箔31和反面外金属铝箔32串联，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。所述正面内金属铝箔21与所述反面内金属铝箔31的设置位置相对应，所述正面外金属铝箔22与所述反面线圈30和反面外金属铝箔32的设置位置相对应。所述正面内金属铝箔21包括第一正面铝箔带210、第二正面铝箔带211、第三正面铝箔带212和第四正面铝箔带213，所述第一正面铝箔带210与所述第三正面铝箔带212平行间隔设置，所述第二正面铝箔带211垂直连接于所述第一正面铝箔带210和所述第三正面铝箔带212的一端，所述第三正面铝箔带212的另一端垂直连接有第四正面铝箔带213，所述第四正面铝箔带213上连接有IC芯片4。所述正面外金属铝箔22包括第五正面铝箔带220、第六正面铝箔带221、第七正面铝箔带222和第八正面铝箔带223，所述第五正面铝箔带220的一端与正面线圈20串联，所述第五正面铝箔带220与所述第七正面铝箔带222平行间隔设置，所述第六正面铝箔带221垂直连接于所述第五正面铝箔带220和所述第七正面铝箔带222的一端，所述第八正面铝箔带223的一端垂直连接于第七正面铝箔带222的另一端，另一端向靠近所述第五正面铝箔带220方向延伸。所述反面线圈30的外形配合所述第六正面铝箔带221、第七正面铝箔带222和第八正面铝箔带223的外形设置，所述反面外金属铝箔32的外形配合所述第五正面铝箔带221的外形设置，所述反面内金属铝箔31包括第一反面铝箔带310、第二反面铝箔带311和第三反面铝箔带312，所述第一反面铝箔带310与所述第三反面铝箔带312平行间隔设置，所述第二反面铝箔带311垂直连接于所述第一反面铝箔带310和所述第三反面铝箔带312的一端，所述第一反面铝箔带310与反面线圈30串联，所述第三反面铝箔带312的一端向靠近所述第一反面铝箔带310方向垂直设置有延伸部313。上述无过桥高频天线的正反两面薄膜铝箔组成类似平板电容器结构，使得线圈形成回路，正反两面铝箔线圈的不同设计形成互感，当线圈工作在变化的磁场中时，正反两面线圈形成电动势，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。线圈形成的电感与金属薄膜形成的电容串联，与IC等效输入回路(一个电阻并联一个电容)共同构成一个谐振回路。以上实施例只是阐述了本专利技术的基本原理和特性，本专利技术不受上述事例限制，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无过桥高频天线，其包括PET基材以及设置于所述PET基材两面的正面线路和反面线路，其特征在于，所述正面线路包括正面线圈、正面内金属铝箔和正面外金属铝箔，所述正面内金属铝箔和正面外金属铝箔分别位于所述正面线圈的内部和外围，所述正面线圈的一端与正面外金属铝箔串联，另一端与IC芯片的射频正极串联，所述IC芯片的射频负极与所述正面内金属铝箔串联，所述反面线路包括反面线圈、反面内金属铝箔和反面外金属铝箔，所述反面线圈的两端分别与反面内金属铝箔和反面外金属铝箔串联，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。

【技术特征摘要】
1.一种无过桥高频天线，其包括PET基材以及设置于所述PET基材两面的正面线路和反面线路，其特征在于，所述正面线路包括正面线圈、正面内金属铝箔和正面外金属铝箔，所述正面内金属铝箔和正面外金属铝箔分别位于所述正面线圈的内部和外围，所述正面线圈的一端与正面外金属铝箔串联，另一端与IC芯片的射频正极串联，所述IC芯片的射频负极与所述正面内金属铝箔串联，所述反面线路包括反面线圈、反面内金属铝箔和反面外金属铝箔，所述反面线圈的两端分别与反面内金属铝箔和反面外金属铝箔串联，正反两面金属铝箔形成平板电容器，使得正反两面线圈形成回路。2.根据权利要求1所述的无过桥高频天线，其特征在于，所述正面内金属铝箔与所述反面内金属铝箔的设置位置相对应，所述正面外金属铝箔与所述反面线圈和反面外金属铝箔的设置位置相对应。3.根据权利要求2所述的无过桥高频天线，其特征在于，所述正面内金属铝箔包括第一正面铝箔带、第二正面铝箔带、第三正面铝箔带和第四正面铝箔带，所述第一正面铝箔带与所述第三正面铝箔带平行间隔设置，所述第二正面铝箔带垂直连接于所述第一正面铝箔带和所述第三正面铝箔带的一端，所述第三正面铝箔带...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙斌，何健，徐明，
申请(专利权)人：无锡科睿坦电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32