一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法，涉及显示技术领域。本发明专利技术通过在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层，在绝缘层上形成刻蚀阻挡层，对刻蚀阻挡层和绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿绝缘层的连接孔，连接孔包括多个依次连通的过孔，且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角，形成第二金属层，第二金属层通过连接孔与第一金属层连接。通过对刻蚀阻挡层和绝缘层分多次进行刻蚀，使得形成的连接孔包括多个依次连通的过孔，且由于每次刻蚀掉的绝缘层厚度较小，保证形成的连接孔中的每个过孔的坡度角均小于预设坡度角，在后续制作第二金属层时，避免因连接孔坡度角较大导致第二金属层的覆盖不佳或断线，改善第一金属层与第二金属层的搭接不良。

An Array Substrate and Its Fabrication Method

The invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof, which relates to the field of display technology. By forming the first metal layer and the insulation layer on the substrate in turn, the etching barrier layer is formed on the insulation layer, and the etching barrier layer and the insulation layer are etched several times to form the connecting holes through the insulation layer. The connecting holes include several successively connected holes, and the slope angle of each hole is less than the preset slope angle. The second metal layer is connected with the first metal layer through a connecting hole. By etching the barrier layer and the insulating layer separately and repeatedly, the formed connecting holes include several successively connected holes. Because the thickness of the insulating layer is smaller each time, the slope angle of each hole in the formed connecting holes is guaranteed to be less than the preset slope angle. In the subsequent manufacture of the second metal layer, the causes are avoided. The large slope angle of the connecting hole leads to poor coverage or broken wires of the second metal layer, and improves the poor overlap between the first metal layer and the second metal layer.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，高精度显示技术(如8K显示技术)成为一个重要的开发方向，在高精度显示技术中，阵列基板的布线方式更为密集，而密集的布线方式需要金属导线之间的绝缘层具有较好的连接孔进行搭接。如图1所示，在制作阵列基板时，首先在衬底11上依次形成第一金属层12和绝缘层13，在绝缘层13上涂覆光刻胶14，然后，对光刻胶14进行曝光、显影形成光刻胶孔，基于光刻胶孔对绝缘层13进行干法刻蚀，形成贯穿绝缘层的连接孔131。但是，在实际制作过程中，由于绝缘层13的厚度较厚，干法刻蚀所形成的连接孔131的坡度角θ较大，通常情况下坡度角θ会大于70°，甚至达到80°左右，坡度角θ较大易产生较大的膜层段差，使得后续在制作通过连接孔131与第一金属层12连接的第二金属层时，易产生覆盖不佳或断线，导致第一金属层12与第二金属层的搭接不良。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有的阵列基板制作过程中，由于连接孔的坡度角较大导致第一金属层与第二金属层的搭接不良的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述绝缘层上形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔，所述连接孔包括多个依次连通的过孔，且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角；形成第二金属层，所述第二金属层通过所述连接孔与所述第一金属层连接。优选地，所述预设坡度角大于70°，且所述过孔的坡度角为50°至70°。优选地，所述对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔的步骤，包括：在所述刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶；通过构图工艺形成光刻胶孔；采用第一刻蚀工艺对所述光刻胶孔内的刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成第一刻蚀孔；采用第二刻蚀工艺对所述第一刻蚀孔内的绝缘层进行刻蚀，形成未贯穿所述绝缘层的第一过渡孔；采用第三刻蚀工艺对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成第二刻蚀孔；采用第四刻蚀工艺对所述第二刻蚀孔和所述第一过渡孔内的绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔；其中，所述连接孔包括第一过孔以及与所述第一过孔连通的第二过孔，所述第二过孔的坡度角大于所述第一过孔的坡度角。优选地，所述形成第二金属层的步骤，包括：去除所述刻蚀阻挡层上剩余的光刻胶；去除所述绝缘层上剩余的刻蚀阻挡层；在去除所述刻蚀阻挡层的绝缘层上形成第二金属层。优选地，所述刻蚀阻挡层的材料为铬；所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，所述第三刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺；其中，干法刻蚀工艺所采用的刻蚀气体为O2，湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀溶液包括硝酸铈铵、冰乙酸和水。优选地，所述第二刻蚀工艺和所述第四刻蚀工艺均为干法刻蚀工艺，所采用的刻蚀气体为SF6和O2的混合气体，或者，CF4和O2的混合气体。优选地，所述对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔的步骤，包括：采用第一掩膜板对所述刻蚀阻挡层进行氧化处理，得到第一氧化层；采用第五刻蚀工艺对所述第一氧化层进行刻蚀，形成第二过渡孔；采用第二掩膜板对所述刻蚀阻挡层进行氧化处理，形成第二氧化层；所述第二掩膜板的开孔的孔径大于所述第一掩膜板的开孔的孔径；采用第六刻蚀工艺对所述第二氧化层和所述绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔；其中，所述连接孔包括第一过孔以及与所述第一过孔连通的第二过孔，所述第二过孔的坡度角大于所述第一过孔的坡度角。优选地，所述形成第二金属层的步骤，包括：对剩余的刻蚀阻挡层进行氧化处理，形成第三氧化层；在所述第三氧化层上形成第二金属层。优选地，所述刻蚀阻挡层的材料为有机硅氧烷；采用紫外线或臭氧对所述刻蚀阻挡层进行氧化处理；所述第五刻蚀工艺和所述第六刻蚀工艺均为干法刻蚀工艺，所采用的刻蚀气体为CF4。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种阵列基板，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一金属层；覆盖所述第一金属层的绝缘层；第二金属层，所述第二金属层通过贯穿所述绝缘层的连接孔与所述第一金属层连接，所述连接孔包括多个依次连通的过孔，且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：通过在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层，在绝缘层上形成刻蚀阻挡层，对刻蚀阻挡层和绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿绝缘层的连接孔，连接孔包括多个依次连通的过孔，且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角，形成第二金属层，第二金属层通过连接孔与第一金属层连接。通过对刻蚀阻挡层和绝缘层分多次进行刻蚀，使得形成的连接孔包括多个依次连通的过孔，且由于每次只需刻蚀掉部分绝缘层，每次刻蚀掉的绝缘层厚度较小，可以保证形成的连接孔中的每个过孔的坡度角均小于预设坡度角，从而减小连接孔的坡度角，在后续制作第二金属层时，避免因连接孔坡度角较大导致第二金属层的覆盖不佳或断线，改善第一金属层与第二金属层的搭接不良。附图说明图1示出了现有的一种阵列基板的结构示意图；图2示出了本专利技术实施例的一种阵列基板的制作方法的流程图；图3示出了本专利技术实施例在绝缘层上形成刻蚀阻挡层后得到的结构示意图；图4示出了本专利技术第一种实施例的阵列基板的制作方法的具体流程图；图5示出了本专利技术第一种实施例在刻蚀阻挡层上形成光刻胶孔后得到的结构示意图；图6示出了本专利技术第一种实施例对光刻胶孔内的刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成第一刻蚀孔的结构示意图；图7示出了本专利技术第一种实施例对第一刻蚀孔内的绝缘层进行刻蚀后，形成第一过渡孔的结构示意图；图8示出了本专利技术第一种实施例对刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成第二刻蚀孔的结构示意图；图9示出了本专利技术第一种实施例对第二刻蚀孔和第一过渡孔内的绝缘层进行刻蚀，形成连接孔的结构示意图；图10示出了本专利技术第一种实施例去除绝缘层上的刻蚀阻挡层和光刻胶后得到的结构示意图；图11示出了本专利技术第一种实施例在去除刻蚀阻挡层的绝缘层上形成第二金属层后得到的结构示意图；图12示出了本专利技术第二种实施例的阵列基板的制作方法的具体流程图；图13示出了本专利技术第二种实施例采用第一掩膜板对刻蚀阻挡层进行氧化处理，得到第一氧化层的结构示意图；图14示出了本专利技术第二种实施例对第一氧化层进行刻蚀，形成第二过渡孔的结构示意图；图15示出了本专利技术第二种实施例采用第二掩膜板对刻蚀阻挡层进行氧化处理，形成第二氧化层的结构示意图；图16示出了本专利技术第二种实施例对第二氧化层和绝缘层进行刻蚀，形成连接孔的结构示意图；图17示出了本专利技术第二种实施例对剩余的刻蚀阻挡层进行氧化处理，形成第三氧化层的结构示意图；图18示出了本专利技术第二种实施例在第三氧化层上形成第二金属层后得到的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图2，示出了本专利技术实施例的一种阵列基板的制作方法的流程图，具体可以包括如下步骤：步骤201，在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一金属层。如图3所示，首先提供一衬底31，该衬底31可以为PI(Polyimide，聚酰亚胺)基板或玻璃基板，在衬底31上通过构图工艺形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述绝缘层上形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔，所述连接孔包括多个依次连通的过孔，且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角；形成第二金属层，所述第二金属层通过所述连接孔与所述第一金属层连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一金属层；在所述绝缘层上形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔，所述连接孔包括多个依次连通的过孔，且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角；形成第二金属层，所述第二金属层通过所述连接孔与所述第一金属层连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设坡度角大于70°，且所述过孔的坡度角为50°至70°。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔的步骤，包括：在所述刻蚀阻挡层上涂覆光刻胶；通过构图工艺形成光刻胶孔；采用第一刻蚀工艺对所述光刻胶孔内的刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成第一刻蚀孔；采用第二刻蚀工艺对所述第一刻蚀孔内的绝缘层进行刻蚀，形成未贯穿所述绝缘层的第一过渡孔；采用第三刻蚀工艺对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成第二刻蚀孔；采用第四刻蚀工艺对所述第二刻蚀孔和所述第一过渡孔内的绝缘层进行刻蚀，形成贯穿所述绝缘层的连接孔；其中，所述连接孔包括第一过孔以及与所述第一过孔连通的第二过孔，所述第二过孔的坡度角大于所述第一过孔的坡度角。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成第二金属层的步骤，包括：去除所述刻蚀阻挡层上剩余的光刻胶；去除所述绝缘层上剩余的刻蚀阻挡层；在去除所述刻蚀阻挡层的绝缘层上形成第二金属层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为铬；所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺，所述第三刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺；其中，干...

【专利技术属性】
技术研发人员：程磊磊，方金钢，丁录科，刘军，李伟，周斌，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34