工艺腔室和半导体处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。该腔室包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器，所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。本实用新型专利技术的工艺腔室，同时设置有第一到位传感器和测距仪，可以有效确定工艺载台的工艺位置是否正确，提高工艺载台的工艺位置准确度，进而可以提高基片的加工良率。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室和半导体处理设备
本技术涉及微电子加工
，具体涉及一种工艺腔室和一种半导体处理设备。
技术介绍
在半导体、太阳能电池、LED、平板显示器以及光纤等领域快速发展的今天，金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organicChemicalVaporDeposition，MOCVD)工艺使用范围越来越广泛。基片在工艺腔室内的镀膜质量，直接影响到后续产品的成品率，而影响镀膜工艺最关键的工艺包括基片加热温度的控制、气体均匀性的控制以及气体和基片发生反应的控制等等，而气体均匀性的控制则需要保证基片的工艺位置准确。传统地，如图1所示，工艺腔室包括腔室本体1、工艺载台2、伺服电机(图中并未示出)、滚轮3、对射光电传感器4、工艺气体喷头5以及加热器(图中并未示出)等，伺服电机控制的滚轮3把载有基片的工艺载台2传输到腔室本体1内，当工艺载台2到达对射光电传感器4时，系统开始记下伺服电机的脉冲数，当脉冲数到达设定的脉冲数时，伺服电机停止。腔室抽真空，到达设定压力后，加热器对工艺载台2上的基片进行加热操作，当基片到达预定温度时，基片上方的工艺气体喷头5(该工艺气体喷头5喷出气体的范围，正好和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器；所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；其中，所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体、工艺载台、驱动所述工艺载台进入所述腔室本体内的驱动机构以及检测所述工艺载台是否到位的第一到位传感器；所述工艺腔室还包括测距仪，所述测距仪位于所述工艺载台前进方向的一侧，所述测距仪能够在预定条件下测量所述工艺载台与所述测距仪之间的距离，以确定所述工艺载台的工艺位置是否正确；其中，所述预定条件包括所述第一到位传感器发出到位信号且所述驱动机构的脉冲计数满足预设脉冲计数。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述测距仪为激光测距仪。3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述测距仪设置在所述腔室本体的内侧壁上；或者，所述测距仪设置在所述腔室本体的外侧壁上，并且，所述腔室本体在对应所述测距仪的位置处透明。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一到位传感器为对射光电传感器，所述对射光电传感器的发射端和接收端分别设置在所述工艺载台垂直于其前进方向的两侧。5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述对射光电传感器的发射端和接收端均设置在所述腔室本体的内侧壁上；或，所述对射光电传感器的发射端和接收端均设置在所述腔室本体的外侧壁上，且所述腔室本体对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：董辉，翟晓烨，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11