一种具有电容的阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术揭露一种具有电容的阵列基板及其制备方法，利用扫描线走线和电源线走线的重叠区域形成电容，电容的大小可通过重叠区域面积大小及两层金属之间的介电绝缘层厚度进行调整。相比现有阵列基板的制备方法，本发明专利技术具有电容的阵列基板制备方法可以简化生产工艺，提高生产效率与产品良率，节约生产成本，同时可以有效节约空间，提升产品的竞争力，利于高分辨率显示技术的开发。

【技术实现步骤摘要】
一种具有电容的阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种具有电容的阵列基板及其制备方法。
技术介绍
现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)及有机发光二极管显示器件(OrganicLightEmittingDisplay，简称OLED)。OLED由于重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高、功耗低、响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PM-OLED)和有源OLED(AM-OLED)。现有的AM-OLED器件一般为两个晶体管之间夹着一个存储电容，存储电容是维持像素电极电位的主要手段。存储电容通常由驱动晶体管(driverTFT)的栅极、第二金属层及二者之间的绝缘层构成。参考图1，现有技术中具有电容的阵列基板的层状结构示意图。所述阵列基板包括基板111，阻挡层(M/B)112，缓冲层(Buffer)113，第一栅绝缘层(GI1)114，第二栅绝缘层(GI2)115，介电绝缘层(ILD)116，平坦层(PLN)117，阳极(ANO)118，像素定义层(PDL)119，光阻层(PhotoSpacer，简称PS)120，薄膜晶体管以及电容。所述薄膜晶体管包括形成在缓冲层113上的有源层(Acti)121，形成在第一栅绝缘层114上的第一栅极层(GE1)122，以及形成在介电绝缘层(ILD)116上的源漏电极(SD)123。通过形成在第一栅绝缘层114上的第一栅极层(GE1)122和形成在第二栅绝缘层115上的第二栅极层(GE2)124的重叠区域形成所述电容。这种电容设置方式，可以节约空间，利于高分辨率显示技术的开发。但其需要两次栅绝缘层(GI1、GI2)的沉积工艺，以及两次栅极层(GE1、GE2)的沉积并图案化工艺，生产工艺较复杂，且增加了生产成本。因此，如何简化生产工艺，节约生产成本，同时可以延续空间利用最大化的优点，是阵列基板技术发展过程中亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对现有技术存在的问题，提供一种具有电容的阵列基板及其制备方法，可以简化生产工艺，节约生产成本，同时可以节约空间，利于高分辨率显示技术的开发。为实现上述目的，本专利技术提供了一种具有电容的阵列基板的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)提供一基板，在所述基板上依次形成阻挡层、缓冲层和有源层；(2)在所述有源层上依次沉积栅绝缘层和第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化，形成栅电极和扫描线走线，其中，所述扫描线走线作为所述电容的下极板；(3)在所述第一金属层上沉积介电绝缘层，并对所述介电绝缘层进行图案化，形成源漏电极接触孔，其中，所述源漏电极接触孔形成在与所述有源层的两端对应的位置；(4)在所述介电绝缘层上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源漏电极和电源线走线，其中，所述源漏电极通过所述源漏电极接触孔与所述有源层电连接，所述电源线走线作为所述电容的上极板，所述电容的下极板和所述电容的上极板之间通过所述介电绝缘层绝缘；(5)在所述第二金属层上依次形成平坦层、阳极、像素定义层以及光阻层。为实现上述目的，本专利技术还提供了一种具有电容的阵列基板，所述阵列基板包括：基板；依次设于所述基板上的阻挡层、缓冲层和有源层；设于所述有源层上的栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层；设于所述栅绝缘层上的栅电极和所述电容的下极板；设于所述栅电极和所述电容的下极板上的介电绝缘层，所述介电绝缘层覆盖所述栅电极和所述电容的下极板；设于所述介电绝缘层上的源漏电极和所述电容的上极板，其中，所述源漏电极通过源漏电极接触孔与所述有源层电连接，所述电容的下极板和所述电容的上极板之间通过所述介电绝缘层绝缘；依次设于所述源漏电极和所述电容的上极板上的平坦层、阳极、像素定义层以及光阻层。本专利技术的优点在于：本专利技术利用扫描线走线和电源线走线的重叠区域形成电容，电容的大小可通过重叠区域面积大小及两层金属之间的介电绝缘层厚度进行调整。可以通过半色调掩膜工艺对介电绝缘层进行部分刻蚀，达到电容区域介电绝缘层厚度减薄、电容增大的目的，同时可保证其它区域介电绝缘层厚度不受影响。相比现有阵列基板的制备方法，本专利技术具有电容的阵列基板制备方法可以简化生产工艺，提高生产效率与产品良率，节约生产成本，同时可以有效节约空间，提升产品的竞争力，利于高分辨率显示技术的开发。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1，现有技术中具有电容的阵列基板的层状结构示意图；图2，本专利技术具有电容的阵列基板制备方法的流程示意图；图3A-3F，本专利技术具有电容的阵列基板制备方法的生产制程示意图；图4，本专利技术具有电容的阵列基板的层状结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的组件或具有相同或类似功能的组件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。此外，本专利技术在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。本专利技术具有电容的阵列基板制备方法，利用扫描线(scan)走线和电源线(VDD)走线的重叠区域形成电容(即利用走线充当电容)，电容的大小可通过重叠区域面积大小及两层金属之间的介电绝缘层厚度进行调整。可以通过半色调(halftone)掩膜工艺对介电绝缘层进行部分刻蚀，达到电容区域介电绝缘层厚度减薄、电容增大的目的，同时可保证其它区域介电绝缘层厚度不受影响。相比现有阵列基板的制备方法，本专利技术具有电容的阵列基板制备方法可以简化生产工艺，提高生产效率与产品良率，节约生产成本，同时可以节约空间，提升产品的竞争力，利于高分辨率显示技术的开发。参考图2、图3A-3F以及图4，其中，图2为本专利技术具有电容的阵列基板制备方法的流程示意图，图3A-3F为本专利技术具有电容的阵列基板制备方法的生产制程示意图，图4为本专利技术具有电容的阵列基板的层状结构示意图。所述制备方法包括如下步骤：S21：提供一基板，在所述基板上依次形成阻挡层、缓冲层和有源层；S22：在所述有源层上依次沉积栅绝缘层和第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化，形成栅电极和扫描线走线，其中，所述扫描线走线作为所述电容的下极板；S23：在所述第一金属层上沉积介电绝缘层，并对所述介电绝缘层进行图案化，形成源漏电极接触孔，其中，所述源漏电极接触孔形成在与所述有源层的两端对应的位置；S24：在所述介电绝缘层上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源漏电极和电源线走线，其中，所述源漏电极通过所述源漏电极接触孔与所述有源层电连接，所述电源线走线作为所述电容的上极板，所述电容的下极板和所述电容的上极板之间通过所述介电绝缘层绝缘；S25：在所述第二金属层上依次形成平坦层、阳极、像素定义层以及光阻层。以下对本专利技术所述制备方法做详细说明。关于步骤S21：提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有电容的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)提供一基板，在所述基板上依次形成阻挡层、缓冲层和有源层；(2)在所述有源层上依次沉积栅绝缘层和第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化，形成栅电极和扫描线走线，其中，所述扫描线走线作为所述电容的下极板；(3)在所述第一金属层上沉积介电绝缘层，并对所述介电绝缘层进行图案化，形成源漏电极接触孔，其中，所述源漏电极接触孔形成在与所述有源层的两端对应的位置；(4)在所述介电绝缘层上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源漏电极和电源线走线，其中，所述源漏电极通过所述源漏电极接触孔与所述有源层电连接，所述电源线走线作为所述电容的上极板，所述电容的下极板和所述电容的上极板之间通过所述介电绝缘层绝缘；(5)在所述第二金属层上依次形成平坦层、阳极、像素定义层以及光阻层。

【技术特征摘要】
1.一种具有电容的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)提供一基板，在所述基板上依次形成阻挡层、缓冲层和有源层；(2)在所述有源层上依次沉积栅绝缘层和第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化，形成栅电极和扫描线走线，其中，所述扫描线走线作为所述电容的下极板；(3)在所述第一金属层上沉积介电绝缘层，并对所述介电绝缘层进行图案化，形成源漏电极接触孔，其中，所述源漏电极接触孔形成在与所述有源层的两端对应的位置；(4)在所述介电绝缘层上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化，形成源漏电极和电源线走线，其中，所述源漏电极通过所述源漏电极接触孔与所述有源层电连接，所述电源线走线作为所述电容的上极板，所述电容的下极板和所述电容的上极板之间通过所述介电绝缘层绝缘；(5)在所述第二金属层上依次形成平坦层、阳极、像素定义层以及光阻层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述对所述介电绝缘层进行图案化进一步包括：采用半色调掩膜工艺对所述介电绝缘层进行部分刻蚀。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述对所述介电绝缘层进行图案化进一步包括：在与所述电容的下极板对应的位置形成一沟槽；步骤(4)进一步包括：所述电容的上极板形成在所述沟槽内。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电容的下极板与所述电容的上极板的金属厚度均为1000A～5000A。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电容的下极板与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊艳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42