薄膜晶体管阵列基板制造方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括：提供基板，在基板上形成间隔设置的栅极和第一电极；形成第一绝缘层，并在第一绝缘层上依次形成对应栅极而设的半导体层、源极和漏极；形成第二绝缘层，并在第二绝缘层上形成第一接触孔，使漏极的上表面的一部分从第一接触孔露出；对漏极的上表面进行粗糙化处理；形成第二电极，第二电极穿过第一接触孔与漏极电性连接。本发明专利技术薄膜晶体管阵列基板制造方法，通过对漏极的上表面进行粗糙化处理，在第二电极与漏极电性连接时，其间的接触面积大大增加，由此降低了第二电极与漏极之间的接触电阻，而又能保证薄膜晶体管阵列基板的高开口率、高分辨率和低成本。

Manufacturing Method of Thin Film Transistor Array Substrate

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法。
技术介绍
液晶显示装置具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在平板显示领域占主导地位，广泛应用于液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等电子设备中。随着面板行业的不断发展，对液晶显示面板有窄边框、高开口率、高亮度、高分辨率等参数提出了越来越高的要求，面板的制造也面临新的挑战。一般来说，薄膜晶体管阵列基板要实现高开口率和高分辨率，需要保证到导电层和金属层(例如像素电极和漏极)之间的接触电阻的大小，如果接触电阻过大就会导致薄膜晶体管充电不足，使得画面出现异常。目前，为了减小接触电阻，一般有三种方式：第一，将绝缘层的开口变大，增加导电层与金属层的接触面积，但对阵列基板的开口率影响较大；第二，增设保护层，但会增加阵列基板的厚度；第三，将金属层的材料由铝更换为铜，但会导致生产成本大幅提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可降低接触电阻，且能保证高开口率、高分辨率和低成本的薄膜晶体管阵列基板制造方法。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板(100)，在该基板(100)上形成第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，以形成间隔设置的栅极(112)和第一电极(114)；形成覆盖该基板(100)、该栅极(112)和该第一电极(114)的第一绝缘层(120)，并在该第一绝缘层(120)上依次形成半导体层(130)、源极(152)和漏极(154)，该半导体层(130)、该源极(152)和该漏极(154)对应该栅极(112)而设；在该第一绝缘层(120)、该源极(152)、该漏极(154)以及露出在该源极(152)和该漏极(154)之间的半导体层(130)的位置之上形...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板(100)，在该基板(100)上形成第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，以形成间隔设置的栅极(112)和第一电极(114)；形成覆盖该基板(100)、该栅极(112)和该第一电极(114)的第一绝缘层(120)，并在该第一绝缘层(120)上依次形成半导体层(130)、源极(152)和漏极(154)，该半导体层(130)、该源极(152)和该漏极(154)对应该栅极(112)而设；在该第一绝缘层(120)、该源极(152)、该漏极(154)以及露出在该源极(152)和该漏极(154)之间的半导体层(130)的位置之上形成第二绝缘层(160)，并在该第二绝缘层(160)上对应该漏极(154)的位置形成第一接触孔(162)，以使该漏极(154)的上表面的一部分从该第一接触孔(162)露出；对该漏极(154)的上表面(156)进行粗糙化处理，使该漏极(154)的上表面(156)露出该第一接触孔(162)的部分形成粗糙面；在该第二绝缘层(160)上形成第二电极(170)，该第二电极(170)穿过该第一接触孔(162)与该漏极(154)电性连接。2.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板(100)，在该基板(100)上形成第一金属层，并对该第一金属层进行图案化处理，以形成间隔设置的栅极(112)；形成覆盖该基板(100)、该栅极(112)的第一绝缘层(120)，并在该第一绝缘层(120)上依次形成半导体层(130)、源极(152)和漏极(154)，该半导体层(130)、该源极(152)和该漏极(154)对应该栅极(112)而设；在该第一绝缘层(120)、该源极(152)、该漏极(154)以及露出在该源极(152)和该漏极(154)之间的半导体层(130)的位置之上形成第二绝缘层(160)，并在该第二绝缘层(160)上对应该漏极(154)的位置形成第一接触孔(162)，以使该漏极(154)的上表面的一部分从该第一接触孔(162)露出；对该漏极(154)的上表面(156)进行粗糙化处理，使该漏极(154)的上表面(156)露出该第一接触孔(162)的部分形成粗糙面；在该第二绝缘层(160)上形成相互绝缘间隔设置的第一电极(114)和第二电极(170)，该第二电极(170)穿过该第一接触孔(162)与该漏极(154)电性连接。3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，该形成第一接触孔(162)的步骤中，同时形成贯穿该第一绝缘层(120)和该第二绝缘层(160)的第二接触孔(164)，以露出该栅极(112)的一部分；该对漏极(154)的上表面(156)进行粗糙化处理的同时，对露出该第二接触孔(164)的该栅极(112)的上表面(113)进行粗糙化处理；该薄膜晶体管阵列基板制造方法还包括在该第二绝缘层(160)上形成扫描线(190)，该扫描线(190)穿过该第二接触孔(164)与该栅极(112)电性连接。4.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，该形成第一接触孔(162)的步骤具体为，通过光罩遮蔽该第二绝缘层(160)的一部分，以对该第二绝缘层(160)进行曝光、显影，然后对第二绝缘层进行蚀刻，由此在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李家琪，黄舒宁，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32