一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，涉及薄膜晶体管制造技术领域，能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕疵，从而导致产品良率较低的问题。所述薄膜晶体管包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在平坦层上制作无机绝缘薄膜；在无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。本发明专利技术用于显示装置。

A thin film transistor and its fabrication method and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及薄膜晶体管制造
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
无论是风靡全球的LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)显示面板，或是正处于发展开始阶段的OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板，阵列基板或BP(Backplane)背板作为显示面板制程中最重要、最复杂工序段，其工艺流程及mask(掩膜板)设计至关重要，而其中SDlayer(源漏层)的mask设计和制造方案更为重中之重。目前SD图案的形成是在ILD(InterLayerDielectric，层间介质层)完成打孔后进行SD沉积、SDmask和刻蚀，为了达到精确控制关键尺寸和线宽，SD金属层也必须采用DryEtch(干法刻蚀)的刻蚀方式。然而，干法刻蚀通常会引入较多数量和种类的杂质颗粒或瑕疵，这样会造成各层不良发生居高不下，从而导致成品良率较低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜；在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨所述导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜；在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨所述导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在第一绝缘层上形成平坦层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在第一绝缘层上形成平坦层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板上形成栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述研磨工艺为化学机械研磨。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：常新园，莫再隆，周刚，唐菲，赵晓东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11