一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，涉及薄膜晶体管制造技术领域，能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕疵，从而导致产品良率较低的问题。所述薄膜晶体管包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在平坦层上制作无机绝缘薄膜；在无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。本发明专利技术用于显示装置。

A thin film transistor and its fabrication method and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及薄膜晶体管制造
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
无论是风靡全球的LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)显示面板，或是正处于发展开始阶段的OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板，阵列基板或BP(Backplane)背板作为显示面板制程中最重要、最复杂工序段，其工艺流程及mask(掩膜板)设计至关重要，而其中SDlayer(源漏层)的mask设计和制造方案更为重中之重。目前SD图案的形成是在ILD(InterLayerDielectric，层间介质层)完成打孔后进行SD沉积、SDmask和刻蚀，为了达到精确控制关键尺寸和线宽，SD金属层也必须采用DryEtch(干法刻蚀)的刻蚀方式。然而，干法刻蚀通常会引入较多数量和种类的杂质颗粒或瑕疵，这样会造成各层不良发生居高不下，从而导致成品良率较低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，能够解决现有技术中在制作源漏层时由于使用干法刻蚀工艺而引入大量杂质或瑕疵，从而导致产品良率较低的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜；在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨所述导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。可选的，所述在第一绝缘层上形成平坦层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。可选的，所述在第一绝缘层上形成平坦层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板上形成栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。可选的，所述研磨工艺为化学机械研磨。可选的，所述导电薄膜的制作材料为铜。可选的，所述形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜具体为：采用电沉积方式形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜。另一方面，本专利技术实施例提供一种使用上述任意一种所述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：设置在第一绝缘层上的平坦层；所述平坦层上设置有层间介质层图案；所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；所述层间介质层图案上设置有源极、漏极和导电走线。可选的，所述薄膜晶体管还包括：设置在衬底基板上的有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。可选的，所述薄膜晶体管还包括：设置在衬底基板上的栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。再一方面，本专利技术实施例提供一种显示面板，包括上述任意一种所述的薄膜晶体管。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，所述薄膜晶体管包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在平坦层上制作无机绝缘薄膜；在无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。相较于现有技术，本专利技术实施例中通过将现有的层间介质层掩膜板图案和源漏层掩膜板图案结合，然后将平坦层上的无机绝缘薄膜采用该结合后的掩膜板进行光刻工艺，可以形成包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽的层间介质层图案，接着在层间介质层图案上覆盖一层导电薄膜后，沉积在过孔中的导电薄膜形成了源极和漏极，沉积在线槽中的导电薄膜形成了导电走线，其余位置的导电薄膜可以采用研磨工艺研磨掉，这样就完成了源漏层图案的制作。由于在此过程中，只需要一次构图工艺，这样不仅省去了现有技术中的SDmask和SDDryEtch步骤，还少了SD光刻工艺中的涂覆光刻胶和剥离光刻胶的步骤，由于SD图案中SD瑕疵很大部分来自SDDryEtch、涂覆光刻胶和剥离光刻胶这三个步骤，因而去除这些步骤后可以大大减少瑕疵来源，从而提高了产品良率。另外，由于本专利技术实施例中增设了平坦层，这样可以增加栅极与源漏极之间的绝缘层厚度，从而可以有效降低寄生电容。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的顶栅型薄膜晶体管结构示意图一；图3为本专利技术实施例提供的底栅型薄膜晶体管结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的顶栅型薄膜晶体管结构示意图二；图5为本专利技术实施例提供的顶栅型薄膜晶体管结构示意图三；图6为本专利技术实施例提供的顶栅型薄膜晶体管结构示意图四；图7为相关技术提供的SD掩膜板和ILD掩膜板结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的新型掩膜板结构示意图；图9为相关技术提供的顶栅型薄膜晶体管的结构示意图；图10为相关技术提供的薄膜晶体管的源漏层图案制作工艺流程图；图11为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的源漏层图案制作工艺流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，如图1至6所示，所述制作方法包括：步骤101、在第一绝缘层50上形成平坦层60。所述薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管，本专利技术实施例对此不做限定。示例的，当所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，参考图2所示，在第一绝缘层50上形成平坦层60之前，所述制作方法还包括：在衬底基板10上形成有源层图案20以及覆盖有源层图案20的第二绝缘层30；在第二绝缘层30上形成栅极40以及覆盖栅极40的第一绝缘层50。当所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，参考图3所示，在第一绝缘层50上形成平坦层60之前，所述制作方法还包括：在衬底基板10上形成栅极40以及覆盖栅极40的第二绝缘层30；在第二绝缘层30上形成有源层图案20以及覆盖有源层图案20的第一绝缘层50。为了方便描述，以下实施例均以顶栅型薄膜晶体管的结构为例进行说明。步骤102、在平坦层60上制作无机绝缘薄膜70，参考图4所示。其中，无机绝缘薄膜70的制作材料一般为氧化硅或氮化硅。步骤103、在无机绝缘薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜；在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨所述导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在第一绝缘层上形成平坦层；在所述平坦层上制作无机绝缘薄膜；在所述无机绝缘薄膜上涂覆光刻胶，进行曝光和显影，并采用干法刻蚀工艺刻蚀所述无机绝缘薄膜，以形成层间介质层图案；所述层间介质层图案包含有用于连接有源层图案的过孔和用于形成导电走线的线槽；剥离掉所述无机绝缘薄膜上的光刻胶；形成覆盖所述层间介质层图案的导电薄膜；采用研磨工艺研磨所述导电薄膜，以形成源极、漏极和导电走线。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在第一绝缘层上形成平坦层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成栅极以及覆盖所述栅极的第一绝缘层。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在第一绝缘层上形成平坦层之前，所述制作方法还包括：在衬底基板上形成栅极以及覆盖所述栅极的第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成有源层图案以及覆盖所述有源层图案的第一绝缘层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述研磨工艺为化学机械研磨。5.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：常新园，莫再隆，周刚，唐菲，赵晓东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11