显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的技术方案能够兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。显示基板的制作方法包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。本发明专利技术的技术方案用于制作显示基板。

Display Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
顶栅型TFT(薄膜晶体管)具有短沟道的特点，所以其开态电流Ion得以有效提升，因而在应用于显示基板中时，可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。并且顶栅型TFT的栅极与源极和漏极的重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生GDS(栅极与漏极短路)等不良的可能性也降低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。在顶栅型AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)产品电路设计中，经常采用3T1C结构，并且使用IGZO半导体做有源层。在实际工艺过程中，需要在完成Gate(栅极)的构图工艺后，不剥离Gate上方的光刻胶，采用自对准工艺对Gate下方的栅绝缘层进行刻蚀，然后紧接着进行有源层的导体化工艺，为了防止导体化过程中He等离子体在沟道内的横向扩散和上方Gate的金属原子通过有源层两端向沟道内扩散，需要将Gate刻蚀后的线宽与上方残留的光刻胶的线宽的差值做的比较大，即形成的CDbias(关键尺寸偏差)较大，这样光刻胶可以更好地保护Gate下方的栅绝缘层免于刻蚀，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第一光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内，所述第二导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第二光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内。3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第一光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合；和/或所述第二导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第二光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合。4.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形的组分包括基体材料、感光材料和溶剂材料，所述第一光刻胶图形与所述导电层接触部分的基体材料中所含的极性基团密度大于所述第二光刻胶图形与所述导电层接触部分的基体材料中所含的极性基团的密度。5.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形包括：在所述导电层上涂覆第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影后形成第二光刻胶过渡图形；在所述导电层以及所述第二光刻胶过渡图形上涂覆第二光刻胶层，所述第一光...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，周斌，刘军，张扬，苏同上，王海涛，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34