显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明专利技术的技术方案能够兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。显示基板的制作方法包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。本发明专利技术的技术方案用于制作显示基板。

Display Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
顶栅型TFT(薄膜晶体管)具有短沟道的特点，所以其开态电流Ion得以有效提升，因而在应用于显示基板中时，可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。并且顶栅型TFT的栅极与源极和漏极的重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以发生GDS(栅极与漏极短路)等不良的可能性也降低。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。在顶栅型AMOLED(有源矩阵有机发光二极体)产品电路设计中，经常采用3T1C结构，并且使用IGZO半导体做有源层。在实际工艺过程中，需要在完成Gate(栅极)的构图工艺后，不剥离Gate上方的光刻胶，采用自对准工艺对Gate下方的栅绝缘层进行刻蚀，然后紧接着进行有源层的导体化工艺，为了防止导体化过程中He等离子体在沟道内的横向扩散和上方Gate的金属原子通过有源层两端向沟道内扩散，需要将Gate刻蚀后的线宽与上方残留的光刻胶的线宽的差值做的比较大，即形成的CDbias(关键尺寸偏差)较大，这样光刻胶可以更好地保护Gate下方的栅绝缘层免于刻蚀，进而对有源层的导体化工艺起到一定的保护限制作用，可以有效避免有源层导体化过程中He等离子体在沟道内的横向扩散和上方Gate的金属原子通过有源层两端向沟道内扩散，确保薄膜晶体管性能的稳定性。但随着显示产品逐渐向大尺寸和高PPI(像素密度)发展，金属布线的密度越来越大，这就需要曝光后形成的光刻胶的线宽尺寸与刻蚀后形成的金属走线的线宽尺寸越接近越好，即CDbias越小越好。但是现有技术在利用同一层金属制作薄膜晶体管的栅极以及栅极走线时，制作栅极的CDbias与制作栅极走线的CDbias是相同的，导致无法兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够兼顾薄膜晶体管的性能和金属布线的密度。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种显示基板的制作方法，包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。进一步地，所述第一导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第一光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内，所述第二导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第二光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，所述第一导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第一光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合；和/或所述第二导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第二光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合。进一步地，所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形的组分包括基体材料、感光材料和溶剂材料，所述第一光刻胶图形与所述导电层接触部分的基体材料中所含的极性基团密度大于所述第二光刻胶图形与所述导电层接触部分的基体材料中所含的极性基团的密度。进一步地，所述在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形包括：在所述导电层上涂覆第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影后形成第二光刻胶过渡图形；在所述导电层以及所述第二光刻胶过渡图形上涂覆第二光刻胶层，所述第一光刻胶层与所述导电层的黏附性大于所述第二光刻胶层与所述导电层的黏附性；对所述第二光刻胶层进行曝光显影后形成所述第一光刻胶图形，所述第二光刻胶过渡图形及所述第二光刻胶过渡图形上残留的第二光刻胶层组成所述第二光刻胶图形。进一步地，所述导电层为栅金属层，所述第一导电图形为薄膜晶体管的栅极，所述第二导电图形为栅极走线。进一步地，所述制作方法具体包括：形成所述薄膜晶体管的有源层；形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述有源层；在所述栅绝缘层上形成所述栅金属层；在所述栅金属层上形成所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述栅金属层进行刻蚀，分别形成所述栅极和所述栅极走线；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述栅绝缘层进行刻蚀，形成栅绝缘层的图形；以所述第一光刻胶图形为掩膜，对所述有源层进行导体化处理；去除所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形。进一步地，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值为1.5-2.5微米，所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值为0.5-1.2微米。本专利技术实施例还提供了一种显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。进一步地，所述第一导电图形为薄膜晶体管的栅极，所述第二导电图形为栅极走线。进一步地，所述薄膜晶体管的栅极在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述薄膜晶体管的栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影内。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性，由于第一光刻胶图形与导电层的黏附性较差，使得金属层刻蚀工艺中的刻蚀液比较容易进入第一光刻胶图形与金属层之间的夹角处进行横向刻蚀，使刻蚀后形成的第一导电图形与第一光刻胶图形的线宽差值较大，由于第二光刻胶图形与导电层的黏附性较好，使得金属层刻蚀工艺中的刻蚀液不易进入第二光刻胶图形与金属层之间的夹角处进行横向刻蚀，使刻蚀后形成的第二导电图形与第二光刻胶图形的线宽差值较小，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值，这样在第一导电图形为栅极，第二导电图形为栅极走线时，可以使得栅极与栅极上的第一光刻胶图形的线宽差值较大，栅极走线与栅极走线上的第二光刻胶图形的线宽差值较小，从而同时满足薄膜晶体管的性能要求和金属的布线密度要求。附图说明图1为顶栅型AMOLED产品采用3T1C结构的示意图；图2为栅极与上方的光刻胶存在线宽差值的示意图；图3为本专利技术实施例形成第二光刻胶过渡图形后的示意图；图4为本专利技术实施例形成第二光刻胶图形后的示意图；图5为本专利技术实施例形成第一光刻胶图形后的示意图；图6为本专利技术实施例形成栅极走线后的示意图；图7为本专利技术实施例形成栅极后的示意图；图8为本专利技术实施例栅极和栅极走线的位置示意图。附图标记1基底2缓冲层3遮光金属层4导体化的有源层5有源层6栅绝缘层7栅金属层71栅极72栅极走线8光刻胶81第二光刻胶过渡图形82第二光刻胶层具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。顶栅型TFT具有短沟道的特点，所以其开态电流Ion得以有效提升，因而在应用于显示基板中时，可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。并且顶栅型TFT的栅极与源极和漏极的重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，所以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：形成导电层，在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与所述导电层的黏附性小于所述第二光刻胶图形与所述导电层的黏附性；以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩膜对所述导电层进行刻蚀，分别形成第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形与所述第一光刻胶图形的线宽差值大于所述第二导电图形与所述第二光刻胶图形的线宽差值。2.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第一光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内，所述第二导电图形在所述显示基板的衬底基板上的正投影落入所述第二光刻胶图形在所述衬底基板上的正投影内。3.根据权利要求2所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第一光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合；和/或所述第二导电图形在延伸方向上的中轴线在所述衬底基板上的正投影与所述第二光刻胶图形在延伸方向上中轴线在所述衬底基板上的正投影重合。4.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形的组分包括基体材料、感光材料和溶剂材料，所述第一光刻胶图形与所述导电层接触部分的基体材料中所含的极性基团密度大于所述第二光刻胶图形与所述导电层接触部分的基体材料中所含的极性基团的密度。5.根据权利要求1所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形包括：在所述导电层上涂覆第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层进行曝光显影后形成第二光刻胶过渡图形；在所述导电层以及所述第二光刻胶过渡图形上涂覆第二光刻胶层，所述第一光...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，周斌，刘军，张扬，苏同上，王海涛，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34