一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法技术

技术编号:21063302 阅读:36 留言:0更新日期:2019-05-08 08:43
本发明专利技术公开了一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法,属于液晶显示制造领域,本发明专利技术通过在源极、漏极和半导体层使用第一次半色调掩膜版,在第一透明电极层和触控金属层使用第二次半色调掩膜版,在有机绝缘层和第一绝缘层中使用一道光罩两次刻蚀,减少了阵列基板在制造过程中的总的光罩使用数量,同时提升显示面板的开口率,提高显示效果,同时能够降低生产成本,提升生产效率,同时可以减少光阻残留风险。

An Embedded Touch Array Substrate and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示
,尤其涉及一种内嵌式触控阵列基板及其制造方法。
技术介绍
目前,现有的内嵌(In-Cell)式触摸屏是利用互电容或自电容的原理实现检测手指触摸位置。其中,利用自电容的原理可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的公共电极,当人体未触碰屏幕时,各公共电极所承受的电容为一固定值,当人体触碰屏幕时,对应的公共电极(触控传感器电极)所承受的电容为固定值叠加人体电容,触控侦测芯片在触控时间段通过检测各公共电极的电容值变化可以判断出触控位置。为了感知公共电极的电容变化,需要导线连接触控芯片和公共电极,我们一般把这个导线成为触控传感器连接线,对于边缘场开关模式(FFS)液晶显示,目前触控传感器连接线的实现方式主要分为两种,第一种是触控传感器连接线通过源漏极金属层来完成,相当于第二金属层(第一金属层为栅极金属层)即要成为源漏极及其配线,又要成为触控传感器连接线,触控传感器连接线和数据线平行,此方式的好处是避免了新增一层触控金属层带来的光罩数增加,但开口率有所下降,且随着高分辨的要求逐渐上升,开口率损失越大,且由于配线空间有限,既要完成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内嵌式触控阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:第一步,在玻璃基板上形成第一金属层,通过曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的扫描线以及位于像素区的栅极;第二步,形成覆盖扫描线和栅极的栅极绝缘层;第三步,依次形成半导体层和第二金属层,通过半色调掩膜版对半导体层和第二金属层进行多阶曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的数据线以及位于像素区的源极、漏极和沟道区;第四步,依次形成第一绝缘层和有机绝缘层,通过一道光罩,一次曝光、一次显影、两次刻蚀有机绝缘层和第一绝缘层分别形成位于像素区的第一接触孔、端子区的第二接触孔和第三接触孔;第五步,依次形成第一透明电极层、第三金属层,并通过半透掩膜版对...

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式触控阵列基板的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:第一步,在玻璃基板上形成第一金属层,通过曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的扫描线以及位于像素区的栅极;第二步,形成覆盖扫描线和栅极的栅极绝缘层;第三步,依次形成半导体层和第二金属层,通过半色调掩膜版对半导体层和第二金属层进行多阶曝光、显影和刻蚀形成位于端子区的数据线以及位于像素区的源极、漏极和沟道区;第四步,依次形成第一绝缘层和有机绝缘层,通过一道光罩,一次曝光、一次显影、两次刻蚀有机绝缘层和第一绝缘层分别形成位于像素区的第一接触孔、端子区的第二接触孔和第三接触孔;第五步,依次形成第一透明电极层、第三金属层,并通过半透掩膜版对第一透明电极层和第三金属层进行多阶曝光、显影和刻蚀形成位于像素区的像素电极和触控传感器连接线以及端子区的导通线;第六步,形成第二绝缘层,通过曝光、显影和刻蚀露出像素区的触控传感器连接线和端子区的数据线上方的导通线;第七步,形成第二透明电极,曝光、显影和刻蚀形成独立的公共电极。2.根据权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板的制造方法,其特征在于:第四步中,通过半色调掩膜板对有机绝缘层进行多阶曝光,所述半透掩膜版包括全透区、半透区以及全遮区,所述全透区对应第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔,所述半透区对应第二接触孔和第三接触孔周边区域,所述半透区形成刻蚀保护层,将刻蚀保护层作为光罩进行再次刻蚀,将刻蚀保护层完全刻蚀,在第一接触孔中刻蚀掉第一绝缘层,第二接触孔中刻蚀掉第一绝缘层和栅极绝缘层,第三接触孔中刻蚀掉第一绝缘层。3.根据权利要求1所述的内嵌式触控阵列基板的制造方法,其特征在于:第四步中,通过掩膜板对有机绝缘层进行曝光,所述掩膜板包括全透区和不透区,所述全透区对应第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔,在第一接触孔、第...

【专利技术属性】
技术研发人员:董波简锦诚郑帅杨帆
申请(专利权)人:南京中电熊猫液晶显示科技有限公司南京中电熊猫平板显示科技有限公司南京华东电子信息科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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