一种硅片CMP后的清洗工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种硅片CMP后的清洗工艺，包括如下步骤：步骤（一）:清洗，将硅片上的研磨浆去除；步骤（二）:检测，利用检测机对预清洗后的硅片进行检测，若预清洗后的硅片符合要求进入步骤（三）；若不符合要求则返回步骤（一）继续进行预清洗；步骤（三）:最终清洗，去除硅片在步骤（二）中产生的颗粒以及进一步去除硅片上研磨浆中含有的SiO2；本发明专利技术的硅片CMP后的清洗工艺，在预清洗的过程中增加了振动设备和臭氧水配合，能够快速有效的去除有机物、SiO2、颗粒和酸化膜表面的保护层，便于后续通过氢氟酸将酸化膜去除，进而有效去除有机物、SiO2和颗粒；在最终清洗中增加了高温状态的碱性药液对硅片的冲洗，能够有效的去除残留的SiO2。

A Cleaning Process for CMP Silicon Wafer

【技术实现步骤摘要】
一种硅片CMP后的清洗工艺
本专利技术涉及一种硅片的清洗
，尤其涉及一种用于硅片CMP后的清洗工艺。
技术介绍
硅片清洗是半导体器件生产工艺中最重要、最频繁的步骤。为了避免微量粒子和金属杂质对半导体器件的污染，影响器件的性能和合格率，在半导体制造工艺中需要对硅片进行反复、多次的清洗。目前现有半导体制造工艺中，为了更好地满足光刻对平坦化的高要求，化学机械抛光工艺，即CMP已广泛应用在深亚微米技术中(＜0.25um)。硅片在CMP技术后在硅片上残留许多的杂质，比如有机物、一些颗粒，以及SiO2等，这些杂质附着在硅片表面的酸化膜上，在对硅片的清洗过程中需要及时将杂质去除，不然由于半导体行业要求的精度高，如果不及时去除，在后续使用中会造成很大的影响。但是，目前的清洗工艺的效果不彻底，最后清洗后还可能残留有机物和SiO2等杂质，无法满足硅片在CMP技术后的清洗需求。
技术实现思路
本专利技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种能快速有效的将附着在硅片上的颗粒、有机物以及SiO2，其清洗效果好，保证后续硅片正常使用的硅片CMP后的清洗工艺。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片CMP后的清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤（一）:清洗，将硅片上的研磨浆去除；步骤（二）:检测，利用检测机对预清洗后的硅片进行检测，若预清洗后的硅片符合要求进入步骤（三）；若不符合要求则返回步骤（一）继续进行预清洗；步骤（三）:最终清洗，去除硅片在步骤（二）中产生的颗粒以及进一步去除硅片上研磨浆中含有的SiO2。

【技术特征摘要】
1.一种硅片CMP后的清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤（一）:清洗，将硅片上的研磨浆去除；步骤（二）:检测，利用检测机对预清洗后的硅片进行检测，若预清洗后的硅片符合要求进入步骤（三）；若不符合要求则返回步骤（一）继续进行预清洗；步骤（三）:最终清洗，去除硅片在步骤（二）中产生的颗粒以及进一步去除硅片上研磨浆中含有的SiO2。2.根据权利要求1所述的硅片CMP后的清洗工艺，其特征在于：所述预清洗包括如下步骤：Step1:通过臭氧水和振动设备对硅片进行振动清洗20-120秒；Step2:首先利用浓度＜5％的氢氟酸漂洗硅片10-20秒，再利用臭氧水漂洗硅片30-50秒；Step3：重复多次Step2的操作，对硅片进行多次氢氟酸和臭氧水的交替漂洗；Step4:通过刷子配合碱性药液对硅片的正面进行刷洗，刷洗时间为1-5min；Step5:利用纯水对硅片冲洗10-60秒，最后将硅片旋转甩干。3.根据权利要求1所述的硅片CMP...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，唐杰，
申请(专利权)人：若名芯半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32