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本发明涉及一种硅片CMP后的清洗工艺，包括如下步骤：步骤（一）:清洗，将硅片上的研磨浆去除；步骤（二）:检测，利用检测机对预清洗后的硅片进行检测，若预清洗后的硅片符合要求进入步骤（三）；若不符合要求则返回步骤（一）继续进行预清洗；步骤（三）...
该专利属于若名芯半导体科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过若名芯半导体科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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