一种同频双芯片集成电路IC卡制造技术

本实用新型专利技术涉及一种同频双芯片集成电路IC卡，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，第一芯片位于第一面层与抗干扰结构之间，第二芯片位于第二面层与抗干扰结构之间。本实用新型专利技术通过在第一芯片与第二芯片之间设置防干扰结构，该防干扰结构包括金属层、第一抗金属干扰层3以及第二抗金属干扰层，利用金属层隔开第一芯片与第二芯片，且在第一芯片与金属层之间设置第一抗金属干扰层，在第二芯片与金属层之间设置第二抗金属干扰层，既将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，又可以使得第一芯片和第二芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰，还可以阻断金属层对第一芯片和第二芯片的干扰，提高第一芯片和第二芯片使用时的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种同频双芯片集成电路IC卡
本技术涉及IC卡，更具体地说是指一种同频双芯片集成电路IC卡。
技术介绍
随着一卡多用的需求不断增长，经常需要在同一张卡上封装有两个同样频率但不同芯片的集成电路卡，以满足不同领域的使用需求，比如需要把NFC芯片和其他的一卡通芯片放在同一张卡上，这样既可以满足身份识别，日常消费之需，同时又能满足移动支付需求。但目前无法实现在同一张卡上集成同频双芯片，比如NFC芯片和一卡通芯片所需的射频天线频率均为13.56MHZ，如果把这两种芯片天线放在一张卡上，在进行消费使用时，两个天线同时接收到消费设备终端的无线信号，这两个同频信号相互干扰，使芯片和设备之间数据无法正常交互。因此，有必要设计一种新的卡，实现将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，且两个芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种同频双芯片集成电路IC卡。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种同频双芯片集成电路IC卡，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与所述抗干扰结构之间。其进一步技术方案为：所述抗干扰结构包括金属层。其进一步技术方案为：所述抗干扰结构还包括第一抗金属干扰层以及第二抗金属干扰层，所述第一抗金属干扰层位于所述金属层与所述第一芯片之间，所述第二抗金属干扰层位于所述金属层与所述第二芯片之间。其进一步技术方案为：所述金属层的材料为铝箔。其进一步技术方案为：所述第一芯片为NFC芯片。其进一步技术方案为：所述第二芯片为一卡通芯片。其进一步技术方案为：所述第一抗金属干扰层为铁氧体片。其进一步技术方案为：所述第二抗金属干扰层为铁氧体片。本技术与现有技术相比的有益效果是：本技术通过在第一芯片与第二芯片之间设置防干扰结构，该防干扰结构包括金属层、第一抗金属干扰层以及第二抗金属干扰层，利用金属层隔开第一芯片与第二芯片，且在第一芯片与金属层之间设置第一抗金属干扰层，在第二芯片与金属层之间设置第二抗金属干扰层，既将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，又可以使得第一芯片和第二芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰，还可以阻断金属层对第一芯片和第二芯片的干扰，提高第一芯片和第二芯片使用时的稳定性。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步描述。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术具体实施例提供的一种同频双芯片集成电路IC卡的爆炸结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。还应当理解，在此本技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本技术。如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。如图1所示的具体实施例，本实施例提供的一种同频双芯片集成电路IC卡，可以运用在身份识别以及支付场景，实现将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，且两个芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰。请参阅图1，该同频双芯片集成电路IC卡包括第一面层1、第二面层7、第一芯片2、第二芯片6以及抗干扰结构，第一芯片2位于第一面层1与抗干扰结构之间，第二芯片6位于第二面层7与抗干扰结构之间。利用抗干扰结构进行将第一芯片2与第二芯片6之间进行隔离，以避免两个芯片与设备之间的数据交互时出现相互干扰的情况发生。且按照以下顺序依次布置：第一面层1、第一芯片2、抗干扰结构、第二芯片6以及第二面层7，形成集成卡。在一实施例中，上述的抗干扰结构包括金属层4。优选地，上述的金属层4的材料为铝箔。另外，于其他实施例，上述的金属层4的材料不限于铝箔，还可以是铜箔等。在一实施例中，上述的抗干扰结构还包括第一抗金属干扰层3以及第二抗金属干扰层5，所述第一抗金属干扰层3位于所述金属层4与所述第一芯片2之间，所述第二抗金属干扰层5位于所述金属层4与所述第二芯片6之间。采用金属层4将两个芯片隔离，避免在与终端设备进行交互时出现干扰，为了避免金属层4对两个芯片造成信号的干扰，在第一芯片2与金属层4之间设置第一抗金属干扰层3，在第二芯片6与金属层4之间设置第二抗金属干扰层5，通过第一抗金属干扰层3与第二抗金属干扰层5阻断金属层4对第一芯片2以及第二芯片6的干扰，也加大了第一芯片2与第二芯片6之间的防相互干扰的力度。将第一面层1、第一芯片2、第二芯片6、第一抗金属干扰层3、金属层4、第二抗金属干扰层5以及第二面层7采用层压/层叠的方式形成一张集成卡。在一实施例中，上述的第一抗金属干扰层3为铁氧体片。于其他实施例，上述的第一抗金属干扰层3不限制于铁氧体片，第一抗金属干扰层3还可以是柔性软磁胶和树脂稀有金属聚合物按照一定的比例混合形成富有柔性的抗冲击片状软磁性材料。在一实施例中，所述第二抗金属干扰层5为铁氧体片。于其他实施例，上述的第二抗金属干扰层5不限制于铁氧体片，第二抗金属干扰层5还可以是柔性软磁胶和树脂稀有金属聚合物按照一定的比例混合形成富有柔性的抗冲击片状软磁性材料。在一实施例中，上述的第一芯片2为NFC芯片。在一实施例中，上述的第二芯片6为一卡通芯片。于其他实施例，上述的第一芯片2可以为其他芯片，比如RFID卡等，第二芯片6也可以为其他芯片，比如RFID卡等。当需要使用NFC支付时，只需把第一面层1靠近终端设备，由于第二芯片6与终端设备之间被抗干扰结构隔开，就无法接受到终端设备的无线信号，也就不会对NFC芯片天线接收到的无线信号造成干扰，确保NFC芯片和终端设备之间进行正常数据交互。同理，当你需要一卡通芯片进行身份识别或消费时，只需把第二面层7靠近终端设备时，由于NFC芯片天线与终端设备之间被抗干扰结构隔开，就无法接受到终端设备的无线信号，也就不会对第二芯片6的天线接收到的无线信号造成干扰，确保一卡通芯片和终端设备之间进行正常数据交互。上述的一种同频双芯片集成电路IC卡，通过在第一芯片2与第二芯片6之间设置防干扰结构，该防干扰结构包括金属层4、第一抗金属干扰层3以及第二抗金属干扰层5，利用金属层4隔开第一芯片2与第二芯片6，且在第一芯片2与金属层4之间设置第一抗金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与所述抗干扰结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与所述抗干扰结构之间。2.根据权利要求1所述的一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，所述抗干扰结构包括金属层。3.根据权利要求2所述的一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，所述抗干扰结构还包括第一抗金属干扰层以及第二抗金属干扰层，所述第一抗金属干扰层位于所述金属层与所述第一芯片之间，所述第二抗金属干扰层位于所述金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶希贤，姜凯，
申请(专利权)人：深圳市联合智能物联科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44