一种同频双芯片集成电路IC卡制造技术

本实用新型专利技术涉及一种同频双芯片集成电路IC卡，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，第一芯片位于第一面层与抗干扰结构之间，第二芯片位于第二面层与抗干扰结构之间。本实用新型专利技术通过在第一芯片与第二芯片之间设置防干扰结构，该防干扰结构包括金属层、第一抗金属干扰层3以及第二抗金属干扰层，利用金属层隔开第一芯片与第二芯片，且在第一芯片与金属层之间设置第一抗金属干扰层，在第二芯片与金属层之间设置第二抗金属干扰层，既将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，又可以使得第一芯片和第二芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰，还可以阻断金属层对第一芯片和第二芯片的干扰，提高第一芯片和第二芯片使用时的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种同频双芯片集成电路IC卡
本技术涉及IC卡，更具体地说是指一种同频双芯片集成电路IC卡。
技术介绍
随着一卡多用的需求不断增长，经常需要在同一张卡上封装有两个同样频率但不同芯片的集成电路卡，以满足不同领域的使用需求，比如需要把NFC芯片和其他的一卡通芯片放在同一张卡上，这样既可以满足身份识别，日常消费之需，同时又能满足移动支付需求。但目前无法实现在同一张卡上集成同频双芯片，比如NFC芯片和一卡通芯片所需的射频天线频率均为13.56MHZ，如果把这两种芯片天线放在一张卡上，在进行消费使用时，两个天线同时接收到消费设备终端的无线信号，这两个同频信号相互干扰，使芯片和设备之间数据无法正常交互。因此，有必要设计一种新的卡，实现将同频率的多个芯片集成在同一张卡上，且两个芯片与设备之间的数据交互正常，互不干扰。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种同频双芯片集成电路IC卡。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：一种同频双芯片集成电路IC卡，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与所述抗干扰结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，包括第一面层、第二面层、第一芯片、第二芯片以及抗干扰结构，所述第一芯片位于所述第一面层与所述抗干扰结构之间，所述第二芯片位于所述第二面层与所述抗干扰结构之间。2.根据权利要求1所述的一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，所述抗干扰结构包括金属层。3.根据权利要求2所述的一种同频双芯片集成电路IC卡，其特征在于，所述抗干扰结构还包括第一抗金属干扰层以及第二抗金属干扰层，所述第一抗金属干扰层位于所述金属层与所述第一芯片之间，所述第二抗金属干扰层位于所述金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶希贤，姜凯，
申请(专利权)人：深圳市联合智能物联科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44