干法刻蚀方法技术

本申请公开了一种干法刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。本发明专利技术的方法能把晶圆表面和晶圆背面的Si‑O‑Cl聚合物同时去除干净，并保证晶圆背面干净无Si‑O‑Cl颗粒。

Dry etching method

【技术实现步骤摘要】
干法刻蚀方法
本申请涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种干法刻蚀方法。
技术介绍
在半导体工艺中，干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多，根据被刻蚀材料的不同，选择合适的气体，就可以更快地与材料进行反应，实现刻蚀去除的目的；另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定能量，当其轰击被刻蚀物的表面时，会将被刻蚀物材料的原子击出，从而达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程平衡的结果。跟随摩尔定律，现有技术平台的关键尺寸不断缩小，在90nm工艺以下，为了保证每一枚晶圆的工艺稳定性，在现有的干法刻蚀技术中，每一枚晶圆工艺间都会运行一个无晶圆自清洗的步骤，而此步骤最后是在整个腔体表面重新生长一层Si-O-Cl为主的生成物，保证每一枚晶圆刻蚀前的腔体氛围是相同的，从而保证工艺的稳定性。然而此过程在腔体表面生成Si-O-Cl聚合物的同时，静电吸盘(ESC)表面也有存在Si-O-Cl的聚合物，此聚合物当晶圆进腔工艺时会黏附在晶圆的背面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：进行干法刻蚀主刻蚀工艺；步骤二：晶圆表面聚合物淀积；步骤三：停止静电吸盘上的氦气供应；步骤四：晶圆在静电吸盘上进行除电；步骤五：静电吸盘上引脚升起，把晶圆顶到预设高度；步骤六：进行各向同性干法刻蚀工艺，对晶圆正面和背面同时刻蚀。2.如权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤一中还包括进行各向异性刻蚀的步骤。3.如权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤二中，晶圆表面聚合物以等离子淀积方式进行Si-O-CL聚合物淀积。4.如权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤二中，反应气体压力范围在30mt-100mt之间，干法刻蚀设备的上部电极功率范围在50W-150W之间，下部电极为0W。5.如权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤二中，聚合物反应的公式为：SiCl4(g)+O2(g)→SiO2(s)+2Cl2(g)；SinOn+xCl2(n–x)→SiCl4+Sin–1On+xCl2(n–x–2)。6.如权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤四中，首先把静电吸盘的电压降至0V，关闭上部电极和下部电极功率，然后在静电吸盘上加正电压范围在300V-1000V之间，下部电极功率依然为0，上部电极功率范围在20W-100W之间，压力范围在3mt-15mt之间，通入氦气，彻底对晶圆进行除电。7.如权利要求6所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤四中关闭上部电极和下部电极功率的时间，以及通入氦气的时间均为5秒-20秒之间。8.如权利要求6所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤四中通入氦气的流量范围在200sccm-400sccm之间。9.如权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，所述步骤五中预设高度范围在1mm-5mm之间。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智勇，荆泉，陈力钧，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31