The invention relates to a method and a device for determining process parameters. A method of using at least one time trajectory-based prediction model to process the substrate in the processing chamber is provided. Substrates are treated by dry process, in which the dry process produces at least one gas by-product. Measure the concentration of at least one gas by-product. The time trajectory for determining the concentration of at least one gas by-product. The time trajectory of the determined concentration is provided as input for at least one time trajectory-based prediction model to obtain at least one process output. At least one process output is used to adjust at least one process parameter.
【技术实现步骤摘要】
用于确定工艺参数的方法和装置相关申请的交叉引用本公开涉及由Albarede等人于2015年9月23日提交的名称为“APPARATUSFORDETERMININGPROCESSRATE”的美国专利申请No.14/863,211和由Kabouzi等人于2015年9月23日提交并于2017年8月15日发布的名称为“METHODANDAPPARATUSFORDETERMININGPROCESSRATE”的美国专利9,735,069，其出于所有目的通过引用并入。
本公开涉及半导体器件的制造。更具体地，本公开涉及用于制造半导体器件的蚀刻。
技术介绍
在半导体晶片处理期间，选择性地蚀刻含硅层。在蚀刻含硅层期间，期望逐个晶片或逐个室测量蚀刻速率、蚀刻CD(关键尺寸)、蚀刻轮廓和蚀刻均匀性。IR(红外)吸收可用于测量由蚀刻工艺产生的副产物的浓度。当前的蚀刻系统不具有测量原位大范围(fleet-wide)的校准信号的装置。在大多数情况下，它们依赖于等离子体发射，这通常会在不同室以及不同湿法清洁中改变，使得依靠信号实现原位计量级故障检测具有挑战性。此外，当前可用的信号并不强烈依赖于晶片...
【技术保护点】
1.一种使用至少一种基于时间轨迹的预测模型处理在处理室中的衬底的方法，其包括：干法处理衬底，其中所述干法处理产生至少一种气体副产物；测量所述至少一种气体副产物的浓度；获得所述至少一种气体副产物的所述浓度的时间轨迹；提供所述浓度的所获得的所述时间轨迹作为所述至少一个基于时间轨迹的预测模型的输入，以获得至少一个工艺输出；以及使用所述至少一个工艺输出来调整至少一个工艺参数。
【技术特征摘要】
2017.10.13 US 15/783,3011.一种使用至少一种基于时间轨迹的预测模型处理在处理室中的衬底的方法，其包括：干法处理衬底，其中所述干法处理产生至少一种气体副产物；测量所述至少一种气体副产物的浓度；获得所述至少一种气体副产物的所述浓度的时间轨迹；提供所述浓度的所获得的所述时间轨迹作为所述至少一个基于时间轨迹的预测模型的输入，以获得至少一个工艺输出；以及使用所述至少一个工艺输出来调整至少一个工艺参数。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个基于时间轨迹的预测模型基于多变量方法。3.如权利要求1所述的方法，其还包括从所述浓度的所获得的所述时间轨迹计算吸收值的总和。4.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个基于时间轨迹的预测模型还基于蚀刻速率、均匀性、关键尺寸、蚀刻轮廓、湿法清洁、蚀刻性能、室匹配和室清洁性能中的至少一种。5.如权利要求1所述的方法，其中所述使用所述至少一个工艺输出包括确定蚀刻速率、均匀性、关键尺...
【专利技术属性】
技术研发人员：亚辛·卡布兹，吕克·阿尔巴雷德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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