【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电极用环
本专利技术涉及电极用环。
技术介绍
作为LSI等半导体集成器件制造中的蚀刻装置,采用使用等离子体的干式蚀刻装置。干式蚀刻装置中,作为蚀刻对象的晶圆配置在平面电极的阴极上,在向装置内导入了蚀刻气体的状态下,通过高频振荡器向对电极(阳极)与阴极之间施加高频电压,由此在电极之间产生蚀刻气体的等离子体。等离子体中的活性气体的正离子入射晶圆表面进行蚀刻。在干式蚀刻装置内部,如果使用金属制构件,会引起金属污染,因此使用硅制构件。作为代表性的硅制构件,例如有包围作为蚀刻对象的晶圆的圆环形状的聚焦环(专利文献1)。聚焦环需要具有比作为蚀刻对象的晶圆更大的直径。目前主流的300mm晶圆用的硅制构件,是由直径为320mm以上的硅晶锭制作的,因此价格高。在先技术文献专利文献1:日本特开2002-190466号公报
技术实现思路
如果不将硅制构件作为一体物制造,而是通过将多个硅构件接合进行制造,则能够由直径更小的硅晶锭进行制造,因此可期待制造成本的削减等各种优点。本专利技术的目的是提供一种将多个硅构件接合而成的电极用环。本专利技术涉及的电极用环,其特征在于,具备3个以上圆弧状硅构件 ...
【技术保护点】
1.一种电极用环,其特征在于,具备3个以上圆弧状硅构件、以及将所述硅构件彼此接合的接合部,所述接合部含有氧化硼。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.04 JP 2016-1539861.一种电极用环,其特征在于,具备3个以上圆弧状硅构件、以及将所述硅构件彼此接合的接合部,所述接合部含有氧化硼。2.根据权利要求1所述的电极用环,其特征在于,所述接合部含有Al、Ga、Ge和Sn中的任一者,并包含与硅的共晶合金。3.根据权利要求1或2所述的电极用环,其特征在于,在内周面具备3个以上圆弧状硅内周构件,在所述硅构件与所述硅内周构件之间具备所述接合部。4.根据权利要求1~3的任一项所述的电极用环,其特征在于,在外周面具备3个以上圆弧状硅外周构件,在所述硅构件与所述硅外周构件之间具备所述接合部。5.根据权利要求1~4的任一项所述的电极用环,其特征在于,将所述硅构件的不相邻的两个角的顶点连结的线段的长度为160mm以上且220mm以下。6.一种电极用环,其特征在于,具备3个以上圆弧状硅构件、将所述硅构件彼此接合的接合部、以及堵塞所述接合部的硅,所述接合部含有Al、Ga、Ge和Sn中的任一者,...
【专利技术属性】
技术研发人员:碇敦,藤井智,
申请(专利权)人:日本新工芯技株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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