The invention discloses a method for manufacturing gate and thin film transistors. The manufacturing method of the gate includes: providing a substrate; forming a first metal layer on the substrate; forming an aluminum-molybdenum composite metal layer on the first metal layer; and forming a second metal layer on the aluminum-molybdenum composite metal layer to form the gate. The manufacturing method of the gate and thin film transistor according to the embodiment of the present invention can reduce or avoid the burr structure of the gate, thereby improving the working efficiency of the thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
栅极与薄膜晶体管的制造方法
本专利技术是有关于一种半导体领域，特别是有关于一种栅极与薄膜晶体管的制造方法。
技术介绍
近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器。上述平板显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。而在平板显示器的阵列基板中，每一个像素配备了用于控制该像素的开关单元，即薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)，TFT至少包含栅极、源极区与漏极区。通过驱动电路可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等的影响。目前薄膜晶体管中，主要是采用Al/Mo的双层结构。然而，此种栅极由于界面处的原电池反应(galvanicreaction)与阳极氧化反应，容易形成相间的孔洞结构。此外，由于后续制造过程中使用的药液在所述孔洞结构的顶端的疏水作用，易导致孔洞宽化，因而在Al层的尖端...
【技术保护点】
1.一种栅极的制造方法，其特征在于：所述栅极的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一第一金属层在所述基板上；形成一铝钼复合金属层在所述第一金属层上；及形成一第二金属层在所述铝钼复合金属层上，以形成所述栅极。
【技术特征摘要】
1.一种栅极的制造方法，其特征在于：所述栅极的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一第一金属层在所述基板上；形成一铝钼复合金属层在所述第一金属层上；及形成一第二金属层在所述铝钼复合金属层上，以形成所述栅极。2.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述铝钼复合金属层是通过一溅镀处理而形成，其中所述溅镀处理是在0.2至0.3Pa之间的一处理压力、180至200℃之间的一处理温度下通过一铝钼复合金属靶材以17至70kw的一处理功率进行的。3.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述铝钼复合金属层的一厚度是介于360至500纳米之间。4.如权利要求1所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述栅极的制造方法更包含对所述栅极进行一蚀刻步骤，以图案化所述栅极。5.如权利要求4所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述蚀刻步骤是通过一含铝成分的酸剂来进行的。6.如权利要求5所述的栅极的制造方法，其特征在于：所述蚀刻步骤的一蚀刻时间是介于6至...
【专利技术属性】
技术研发人员：王建刚，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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