去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法技术

一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法，包括以下步骤：将刻蚀后的金属基体放入反应室内；在反应室中充满氧气和四氟化碳的混合气体，氧气与四氟化碳的体积比为2：3‑2：5；将反应室升温并保持在130‑180℃，对反应室抽真空至5‑15Torr；利用200‑700瓦功率的等离子体对金属基体进行反应刻蚀，经过30‑80min反应后去除金属基体表面的氮化钽薄膜。本发明专利技术能够去除金属基体表面存留的氮化钽薄膜，技术简单、易于实施，且反应室可以使用金属基体正常刻蚀时的同一反应室，设备成本更低。

Cleaning method for removing tantalum nitride film adhering to metal substrate surface

【技术实现步骤摘要】
去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法
本专利技术涉及半导体制造的
，具体说是一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法。
技术介绍
目前半导体工业界采用镶嵌工艺来制备铜互连结构，这种方法首先在刻蚀好的通孔和槽中利用PVD方法淀积氮化钽（TaN)的薄膜结构作为铜的扩散阻挡层，然后再淀积较厚的铜籽晶层以及进行后续的电镀铜工艺。由于氮化钽具有有高导电性、高热稳定性和对外来原子的阻挡作用，而由于氮化钮对铜的惰性Cu和Ta以及Cu和N之间也不易形成化合物。现有技术中在铜互连中，氮化钽薄膜的去除是使用化学机械研磨（CMP）的方法，即在铜膜镀完之后，需要CMP对表面进行平坦化，使表面的铜被去除，之后再继续研磨掉表面的氮化钽阻挡层，上述方法实施较为负责，工作效率也偏低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法。本专利技术为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:本专利技术的去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法，包括以下步骤：A、将刻蚀后的金属基体放入反应室内；B、在反应室中充满氧气和四氟化碳的混合气体，氧气与四氟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将刻蚀后的金属基体放入反应室内；B、在反应室中充满氧气和四氟化碳的混合气体，氧气与四氟化碳的体积比为2：3‑2：5；C、将反应室升温并保持在130‑180℃，对反应室抽真空至5‑15Torr；D、利用200‑700瓦功率的等离子体对金属基体进行反应刻蚀，经过30‑80min反应后去除金属基体表面的氮化钽薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种去除附着于金属基体表面的氮化钽薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将刻蚀后的金属基体放入反应室内；B、在反应室中充满氧气和四氟化碳的混合气体，氧气与四氟化碳的体积比为2：3-2：5；C、将反应室升温并保持在130-180℃，对反应室抽真空至5-15Torr；D、利用200-700瓦功率的等离子体对金属基体进行反应刻蚀，经过30-80min反应后去除金属基体表面的氮化钽薄膜。2.根据权利要求1所述的去除附...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆帅帅，贺贤汉，
申请(专利权)人：富乐德科技发展天津有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12