具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备，具有清洗功能的晶圆存储装置包括：缓冲存料架及清洗系统，包括框架及若干个隔板，隔板固定于框架上，且在框架内隔离出若干个用于放置晶圆盒的放置区域；清洗系统设置于缓冲存料架上，清洗系统包括进气管路组件及排气管路组件；进气管路组件的一端与气体源相连通，另一端与进气口相连通；排气管路组件一端与排气口相连通；清洗系统用于向晶圆盒内通入清洗气体，以对晶圆盒内部进行清洗。本发明专利技术通过可以在工序之间或批次之间在半导体设备内的缓冲储料区对暂存的晶圆盒内部进行清洗，以去除晶圆盒内的残留气体，从而有效防止对晶圆盒内的晶圆造成污染。

Wafer Storage Device and Semiconductor Production Equipment with Cleaning Function

【技术实现步骤摘要】
具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备
本专利技术属于半导体制造
，特别是涉及一种具有清洗功能的晶圆存储装置及半导体生产设备。
技术介绍
在现有半导体的批处理工艺(譬如，扩散工艺的批处理)中，在前、中后段之间，装有待处理晶圆的晶圆盒一般会暂存于批处理设备的缓冲储料区内。然而，在晶圆没经过一道工序之后，譬如扩散工艺之前的工序之后，晶圆盒内会残留有反应气体、空气及反应生成气体等等，而现有的批处理设备的缓冲储料区只起到暂存晶圆盒的作用，并不能对所述晶圆盒进行清洗以去除其内部残留的气体。若所述晶圆盒中的残留气体不能被及时去除，晶圆在一定的Q-time之后，残留气体会对所述晶圆盒中的晶圆造成污染或损伤：如图1所示，若所述晶圆盒内残留有F-或Cl-时，残留的F-或Cl-与空气中的水气反应会生成酸性气体腐蚀晶圆内半导体器件表面的与其内部金属层11相连接的金属互连层12，从而在所述金属互联层12内形成刻蚀孔洞13，进而影响半导体器件的性能；如图2所示，晶圆盒内的残留气体会与与所述金属层11相连接的金属连接柱14的侧面发生反应，而在所述金属连接柱14的侧面形成足状缺陷15，从而影响半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有清洗功能的晶圆存储装置，位于半导体生产设备内，用于暂存晶圆盒，所述晶圆盒上设置有与其内部相连通的进气口及排气口，其特征在于，所述晶圆存储装置包括：缓冲存料架，包括框架及若干个隔板，所述隔板固定于所述框架上，且在所述框架内隔离出若干个用于放置所述晶圆盒的放置区域；及，清洗系统，设置于所述缓冲存料架上，所述清洗系统包括进气管路组件及排气管路组件；所述进气管路组件的一端与气体源相连通，另一端与所述进气口相连通；所述排气管路组件一端与所述排气口相连通；所述清洗系统用于向所述晶圆盒内通入清洗气体，以对所述晶圆盒内部进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种具有清洗功能的晶圆存储装置，位于半导体生产设备内，用于暂存晶圆盒，所述晶圆盒上设置有与其内部相连通的进气口及排气口，其特征在于，所述晶圆存储装置包括：缓冲存料架，包括框架及若干个隔板，所述隔板固定于所述框架上，且在所述框架内隔离出若干个用于放置所述晶圆盒的放置区域；及，清洗系统，设置于所述缓冲存料架上，所述清洗系统包括进气管路组件及排气管路组件；所述进气管路组件的一端与气体源相连通，另一端与所述进气口相连通；所述排气管路组件一端与所述排气口相连通；所述清洗系统用于向所述晶圆盒内通入清洗气体，以对所述晶圆盒内部进行清洗。2.根据权利要求1所述的具有清洗功能的晶圆存储装置，其特征在于，所述进气管路组件包括进气端口及进气管路；所述进气端口设置于各所述隔板上，一端与所述进气口相连通，另一端与所述进气管路相连通；所述进气管路远离所述进气端口的一端与所述气体源相连通；所述排气管路组件包括排气端口及排气管路；所述排气端口设置于各所述隔板上，一端与所述排气口相连通，另一端与所述排气管路相连通。3.根据权利要求2所述的具有清洗功能的晶圆存储装置，其特征在于，所述进气端口包括进气喷嘴或进气孔；所述排气端口包括排气喷嘴或排气孔。4.根据权利要求2所述的具有清洗功能的晶圆存储装置，其特征在于，所述进气端口与所述进气口上下对应设置；所述排气端口与所述排气口上下对应设置。5.根据权利要求2所述的具有清洗功能的晶圆存储装置，其特征在于，所述进气管路包括主进气管路及若干个支进气管路；所述主进气管路一端与所述气体源相连通，另一端与各所述支进气管路的一端均相连通；各所述支进气管路远离所述主进气管路的一端分别与设置于各所述隔板上的进气端口一一对应连通。6.根据权利要求5所述的具有清洗功能的晶圆存储装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34