欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法技术

本发明专利技术提供一种欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法，其中，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；S3、在源漏区域依次沉积金属层；S4、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行合金退火处理，形成本发明专利技术的欧姆接触电极。本发明专利技术的欧姆接触电极的制备方法采用微波退火的方式处理沉积的金属层，有利于降低GaN欧姆接触电阻的形成温度，并提高了欧姆接触均匀性，改善了GaN功率器件的电性参数以及工作可靠性。

Ohmic contact electrode, HEMT device and preparation method

【技术实现步骤摘要】
欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法。
技术介绍
欧姆接触技术是实现高性能GaNHEMT器件的关键技术之一。欧姆接触制备的方法、材料的形貌与性能直接影响器件的总电导、总跨导、总输出功率、微波噪声特性以及器件在大功率下的可靠性。选择合适的金属材料和实现半导体材料表面的重掺杂是实际工艺中获得良好的欧姆接触的常用方法。欧姆接触一般选择导电性和热稳定性良好、功函数与半导体接近的金属材料，以降低材料间的势垒高度。而半导体材料可通过在衬底生长过程中掺入杂质或者采用离子注入等方法实现重掺杂。但AlGaN、GaN等宽禁带半导体会发生自补偿作用，难以利用半导体表面重掺杂获得欧姆接触。因此，面临如何形成有效的欧姆接触的技术问题，有必要提出进一步地解决方案。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法，以克服现有技术中存在的不足。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；S3、在源漏区域依次沉积金属层；S4、在沉积的金属层上进行涂胶，并经曝光、显影后，通过光刻的方式定义金属层的图形；S5、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行合金退火处理，形成本专利技术的欧姆接触电极。

【技术特征摘要】
1.一种欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；S3、在源漏区域依次沉积金属层；S4、在沉积的金属层上进行涂胶，并经曝光、显影后，通过光刻的方式定义金属层的图形；S5、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行合金退火处理，形成本发明的欧姆接触电极。2.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至15-20nm的厚度。3.根据权利要求1所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及TiW层，或者，在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及W层。4.根据权利要求3所述的欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，在源漏区域依次沉积：第一Ti层、Al层、第二Ti层以及TiW层时，所述第一Ti层的厚度为15-25mm，Al层为第一Ti层厚度的6倍，所述第二Ti层的厚度为60...

【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，陈雨雁，龙飞，陈明光，郑国源，莫淑一，
申请(专利权)人：张家港意发功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32