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本发明提供一种欧姆接触电极、HEMT器件及制备方法，其中，所述制备方法包括如下步骤：S1、采用光刻定义源漏欧姆接触窗口；S2、将AlGaN的欧姆接触区域刻蚀至一定的厚度；S3、在源漏区域依次沉积金属层；S4、去胶剥离后，采用微波辐射工艺进行...
该专利属于张家港意发功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港意发功率半导体有限公司授权不得商用。

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