【技术实现步骤摘要】
集成电路的制造方法
本专利技术属于半导体制造领域，涉及不平表面基础上淀积层的刻蚀方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，在衬底材料上生长或淀积出相应的材料，在一定形貌的基础上，对相关材料进行刻蚀，从而形成相应的电子元件并形成相应的电路结构。淀积是指薄膜淀积工艺，主要发展为物理气相淀积和化学气相淀积，淀积的特点在于层厚较均匀一致。在此过程中，由于某些电子元件的自身特征，会形成某表面有台阶等不平的现象，而淀积工艺的上述特点容易将该台阶面反映出每一淀积层台阶式起伏不平。参阅图1a所示，展示了栅极的有源区和隔离区之间存在高度差。现有技术的硬掩膜刻蚀工艺中，在栅氧化层上依次淀积上多晶硅、氮化硅、氧化硅、无定型碳、无氮介质抗反射层，形成台阶起伏面，特别是无氮介质抗反射层的起伏不平，导致了在其上涂布底部抗反射层的厚度不均匀，在隔离区域上较有源区域上薄。参阅图1b所示，以光刻胶为掩膜对底部抗反射层进行刻蚀，形成在隔离区域上较有源区域上更细的底部抗反射层形貌；参阅图1c所示，该底部抗反射层形貌会传递影响到该无氮介质抗反射层，形成在隔离区域上较有源区域上更细的无氮介质抗反射层形貌；参阅...
【技术保护点】
1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该有机涂层材料为耐高温富碳涂层材料、低温富碳涂层材料或光刻胶。3.根据权利要求1或2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该结构层表面有台阶。4.根据权利要求1或2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该结构层位于有源区和隔离区。5.根据权利要求1或2所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该有机涂层材料层上表面为平面。6.根据权利要求1-5之一所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该有机涂层材料层的厚度为7.根据权利要求1-6之一所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在该有机涂层材料层上淀积无氮介质抗反射层。8.根据权利要求7所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该无氮介质抗反射层的厚度为9.根据权利要求7或8所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在该无氮介质抗反射层上涂上底部抗反射层。10.根据权利要求9所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该底部抗反射层的厚度为11.根据权利要求9或10所述的集成电路的制造方法，其特征在于，在该底部抗反射层上涂布光刻胶。12.根据权利要求11所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该光刻胶的厚度为13.根据权利要求1-12之一所述的集成电路的制造方法，其特征在于，该结构层包括多晶硅层、氮化硅层、氧化硅层，该集成电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆连，朱轶铮，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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