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本发明提供的集成电路的制造方法，主要包括了在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。由于，该有机涂层材料具有流动性，在该有机涂层材料的上表面形...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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