RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法技术

本发明专利技术提供了一种RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，包括如下步骤：1)在P型轻掺杂外延层上生长一层栅氧化硅形成栅氧层；2)在栅氧层上淀积一层多晶硅形成多晶硅栅；3)先通过一次光刻，定义出器件栅极的源端和漏端的其中一端，进行第一次刻蚀，去除光刻胶，形成栅极的一半；4)再进行第二次光刻，定义出器件栅极的另一端，再进行第二次刻蚀，去除光刻胶。本发明专利技术采用两步刻蚀的方法形成栅极，于现有技术的通过一步刻蚀形成栅极的方法相比，降低了单次刻蚀的清除率(clear ratio),对刻蚀来讲能够更稳定的控制栅极的形貌，从而达到稳定阈值电压的目的。

【技术实现步骤摘要】
RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法
本专利技术涉及半导体集成电路工艺制造领域，特别涉及一种RFLDMOS中的栅极的制造方法。
技术介绍
用于基站等的大功率射频器件RFLDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)包括如下结构：源极13、漏极14、栅极15、沟道16和基极、及法拉第屏蔽环17，详细结构见图1。器件位于在重掺杂基板11的生长的外延层12中，漏端14有一个较长的漂移区以得到所需的击穿电压，法拉第屏蔽环17由在漏端14加一层薄介质和金属板组成。沟道16由自对准栅极15源端边缘的P型离子注入，并通过长时间高温推进形成，其引出端在源的同一侧，器件的源和沟道要连接到重掺杂的基板上。沟道16的长短浓淡就决定了器件的阈值电压的高低。对于RFLDMOS器件来说，由于沟道16是通过自对准栅极15源端边缘注入形成，栅极15源端的形貌就大大影响了注入离子的多少，也就影响了器件的阈值电压，栅极15形貌的稳定性对器件阈值电压的稳定性有着至关重要的作用。而RFLDMOS器件的栅极的清除率(clearratio)非常大，而且多晶硅栅极是一步法刻蚀出来的，对于刻蚀来讲，栅极的形貌就非常难稳定，存在waf本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在P型轻掺杂外延层上生长一层栅氧化硅形成栅氧层；通过光刻刻蚀使该RFLDMOS的漏端有厚栅氧而源端有薄栅氧；2）在栅氧层上淀积一层多晶硅形成多晶硅栅；3）先通过第一次光刻，定义出器件栅极的源端，进行第一次刻蚀，该第一次光刻、刻蚀在器件栅极源端一侧进行；在第一次光刻、第一次刻蚀时，器件栅极源端一侧保留一条多晶硅虚拟线；该虚拟线位于该厚栅氧区，且长度比该厚栅氧区小；去除光刻胶，形成栅极的一半；4）再进行第二次光刻，定义出器件栅极的另一端，再进行第二次刻蚀，在光刻中，不仅打开漏端，而且打开虚拟线；去除光刻胶。

【技术特征摘要】
1.一种RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在P型轻掺杂外延层上生长一层栅氧化硅形成栅氧层；通过光刻刻蚀使该RFLDMOS的漏端有厚栅氧而源端有薄栅氧；2）在栅氧层上淀积一层多晶硅形成多晶硅栅；3）先通过第一次光刻，定义出器件栅极的源端，进行第一次刻蚀，该第一次光刻、刻蚀在器件栅极源端一侧进行；在第一次光刻、第一次刻蚀时，器件栅极源端一侧保留一条多晶硅虚拟线；该虚拟线位于该厚栅氧区，且长度比该厚栅氧区小；去除光刻胶，形成栅极的一半；4）再进行第二次光刻，定义出器件栅极的另一端，再进行第二次刻蚀，在光刻中，不仅打开漏端，而且打开虚拟线；去除光刻胶。2.如权利要求1所述的RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，其特征在于，在步骤2）中，所述多晶硅栅的厚度为0.25～0.35μm。3.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡莹，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31