【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法
本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法。
技术介绍
随着平板显示技术的发展，人们对显示器尺寸、分辨率和画面刷新速率的追求越来越高，因此采用铜取代铝作为导电金属材料。现有的阵列基板工艺方法中，Cu膜沉积结束后，经过黄光制程，刻蚀制程，都是暴露在空气中，表层的Cu会有部分被氧化，将Cu膜暴露在空气当中超过30min，其表面电阻率会升高30％以上，从而会导致Culine的电阻率升高；且Cu膜上产生的CuOx及Cu(OH)x会导致静电释放(Electro-Staticdischarge，ESD)现象，影响TFT器件的显示效果；Cu膜层越厚，其晶粒就会越大，表面粗糙度增大，晶界的空隙也随之变大，如此在后续制程中，会有部分O2和H2O沿着晶界空隙渗透到膜层内部，加速表层Cu膜的氧化，产生静电击穿或产生局部寄生电容，进一步影响TFT器件的显示效果。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，避免后续黄光制程和刻蚀制程时Cu膜被氧化，从而降低了Cu膜表面电阻率，避免了Cu膜产生ESD现象，...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括在栅极绝缘层上形成Cu金属薄膜层之后，在黄光制程和刻蚀制程之前，在Cu金属薄膜层上方沉积上一层C膜的步骤。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括在栅极绝缘层上形成Cu金属薄膜层之后，在黄光制程和刻蚀制程之前，在Cu金属薄膜层上方沉积上一层C膜的步骤。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在玻璃基板上沉积形成栅极电极层，所述栅极电极层上方沉积形成Cu膜；在所述Cu膜之上沉积一层C膜，作为Cu膜保护层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：对C膜进行处理，形成铜碳复合膜层；对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜；沉积形成栅极绝缘层；依次进行半导体层、源漏电极层、钝化层、像素电极层的制作。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对C膜进行处理，以制作铜碳复合膜层，包括：制作完成光刻胶图案；对玻璃基板上的C膜进行等离子处理，使得没有光刻胶保护的C膜生成气体化合物；进行Cu膜湿法刻蚀及光刻胶去除工艺，形成铜碳复合膜层。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜的步骤，包括：对所述铜碳复合膜层进行H2等离子处理，使得铜碳复合膜层中Cu膜上方C膜与H+生成气化C-H化合物，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜。6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜的步骤，包括：对所述铜碳复合膜层进行N2等离子处理，使得铜碳复合膜层中Cu膜上方C膜与H+生成气化N-H化合物，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜。7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述铜碳复合膜层进行等离子处理，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜的步骤，包括：对所述铜碳复合膜层进行O2等离子处理，使得铜碳复合膜层中Cu膜上方C膜与H+生成气化O-H化合物，以去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜。8.根据权利要求5至7中任意所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述沉积形成栅极绝缘层的步骤，包括：在去除铜碳复合膜层中Cu膜之上的C膜，将Cu膜暴露出来之后，再进行栅极绝缘层沉积。9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述源漏电极层的制作方法和所述栅极电极层的制作方法一致。10.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基板上沉积形成栅极电极层，所述栅极电极层上方沉积形成Cu膜的步骤，包括：在玻璃基板上沉积MoCu复合膜层形成栅极电极层，其中，Mo膜在Cu膜之下，Mo膜作为栅极电极层，Cu膜为导电功能层。11.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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