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本发明提供了一种RFLDMOS工艺中稳定栅极形貌的工艺方法，包括如下步骤：1)在P型轻掺杂外延层上生长一层栅氧化硅形成栅氧层；2)在栅氧层上淀积一层多晶硅形成多晶硅栅；3)先通过一次光刻，定义出器件栅极的源端和漏端的其中一端，进行第一次刻蚀...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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