The embodiment of the invention discloses a preparation method of a Cu film, a thin film transistor and an array substrate. The preparation methods of the copper film include: depositing the copper film on the glass substrate; forming photoresistive patterns on the copper film; etching the required metal patterns on the copper film; and high temperature pretreatment of the copper film etching the metal patterns. The temperature of the high temperature pretreatment is 150 ~300 C. In the embodiment of the present invention, the heat absorption and exothermic theory of copper is deduced by experiment, the copper film etched with metal pattern is pretreated at high temperature, and then other processes are carried out to obtain a better Taper angle, avoid the tip discharge caused by circular Taper, and improve the TFT productivity.
【技术实现步骤摘要】
Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法
本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法。
技术介绍
现今科技蓬勃发展，信息商品种类推陈出新，满足了大众不同的需求。早期显示器多半为阴极射线管(CathodeRayTube，CRT)显示器，由于其体积庞大与耗电量大，而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使用者而言，有危害身体的问题。因此，现今市面上的显示器渐渐将由液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)取代旧有的CRT显示器，而随着尺寸不停的做大，电极导线的延迟成了急需解决的问题，Cu导线的开发应运而生，但Cu导线因氧化及刻蚀问题，导致薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)良率不高。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种Cu膜、薄膜晶体管及阵列基板的制备方法，对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，然后进行其他制程，可以得到较好Taper角，避免因圆形Taper导致的尖端放电，提高TFT生产良率。为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种Cu膜的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu...
【技术保护点】
1.一种Cu膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在所述Cu膜之上形成光阻图形；对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，所述高温预处理的温度为150℃～300℃。
【技术特征摘要】
1.一种Cu膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在玻璃基板上沉积形成Cu膜；在所述Cu膜之上形成光阻图形；对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形；对刻蚀金属图形的Cu膜进行高温预处理，所述高温预处理的温度为150℃～300℃。2.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基板上沉积形成Cu膜的步骤，包括：采用物理气相沉积工艺在玻璃基板上沉积形成Cu膜。3.根据权利要求2所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述Cu膜厚度为1000～4000埃。4.根据权利要求1所述Cu膜的制备方法，其特征在于，所述对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形的步骤包括：利用干法刻蚀和湿法刻蚀结合对所述Cu膜刻蚀出所需要的金属图形...
【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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