【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置封装及其制造方法，且涉及一种包含功率裸片的半导体封装装置及其制造方法。
技术介绍
在半导体装置封装(例如封装系统，SIP)中，使用模制化合物来保护有源或无源装置，但模制化合物会妨碍所述有源或无源装置的散热。为了增强有源或无源装置的散热，可将所述有源或无源装置嵌入于具有更高效散热设计的载体(引线框或衬底)中。为了形成嵌入式有源或无源装置的电连接，可去除(例如通过激光钻孔技术)覆盖有源或无源装置的绝缘材料(例如预浸渍体)的一部分，以形成通孔。可例如通过镀敷技术将导电材料(例如铜(Cu)、银(Ag)或类似者)填充到通孔中。用于外部连接的无源元件的导电触点/端子通常包含锡(Sn)或焊接材料。然而，为了促进通过镀敷技术为嵌入式无源装置制造导电通孔，导电触点/端子可从焊料/Sn改变为具有相对较大导电性(例如Cu、Ag或其它合适材料)的材料，且此类定制结构可必然增加半导体装置封装的制造成本。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体装置封装包含金属载体、无源装置、导电粘合材料、电介质层和导电通孔。所述金属载体具有第一导电垫和与...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：金属载体，其具有第一导电垫和与所述第一导电垫隔开的第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫中的每一者具有顶部表面和底部表面，其中所述第一导电垫和所述第二导电垫之间限定空间；无源装置，其安置于第一导电垫和所述第二导电垫的所述顶部表面上，所述无源装置具有第一导电触点和第二导电触点；导电粘合材料，其将所述无源装置的所述第一导电触点和所述第二导电触点分别电连接到所述第一导电垫和所述第二导电垫；电介质层，其覆盖所述金属载体和所述无源装置，且暴露所述第一导电垫和所述第二导电垫的所述底部表面；以及导电通孔，其在所述电介质层内延伸，且电连接到所述第一导电垫...
【技术特征摘要】
2017.10.20 US 62/575,143;2018.10.10 US 16/156,9911.一种半导体装置封装，其包括：金属载体，其具有第一导电垫和与所述第一导电垫隔开的第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫中的每一者具有顶部表面和底部表面，其中所述第一导电垫和所述第二导电垫之间限定空间；无源装置，其安置于第一导电垫和所述第二导电垫的所述顶部表面上，所述无源装置具有第一导电触点和第二导电触点；导电粘合材料，其将所述无源装置的所述第一导电触点和所述第二导电触点分别电连接到所述第一导电垫和所述第二导电垫；电介质层，其覆盖所述金属载体和所述无源装置，且暴露所述第一导电垫和所述第二导电垫的所述底部表面；以及导电通孔，其在所述电介质层内延伸，且电连接到所述第一导电垫和所述第二导电垫中的至少一者。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电垫与所述第二导电垫限定的所述空间从所述电介质层暴露。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，所述电介质层安置于所述无源装置的所述第一导电触点与所述第二导电触点之间。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述无源装置的所述第一导电触点和所述第二导电触点包含锡或其合金。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述金属载体包含腔以暴露所述第一导电垫和所述第二导电垫，且所述无源装置安置于所述腔内。6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电垫具有在所述顶部表面与所述底部表面之间的第一侧表面；所述第二导电垫具有在所述顶部表面与所述底部表面之间的第二侧表面；以及所述第一侧表面和所述第二侧表面中的每一者包含弯曲表面。7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述空间在所述第一侧表面与所述第二侧表面之间。8.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一侧表面和所述第二侧表面中的每一者包含彼此连接的第一弯曲表面和第二弯曲表面。9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中所述第一侧表面的所述第一弯曲表面和所述第二侧表面的所述第一弯曲表面限定第一空间，其中安置所述电介质层；以及所述第一侧表面的所述第二弯曲表面和所述第二侧表面的所述第二弯曲表面限定从所述电介质层暴露的第二空间。10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置为邻近于所述无源装置且由所述电介质层包封的半导体芯片。11.一种半导体装置封装，其包括：金属载体，其具有第一导电垫和与所述第一导电垫隔开的第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫中的每一者具有顶部表面和底部表面，其中所述第一导电垫和所述第二导电垫之间限定空间；无源装置，其安置于的第一导电垫和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李彗华，谢慧英，柯政宏，邱基综，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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