一种引线框架及其LED驱动存储电路SOT33-6L封装件和生产方法技术

本发明专利技术公开了一种引线框架及其LED驱动电路SOT33‑6L封装件和生产方法，引线框架包括单基岛双连筋引线框架和双基岛双连筋引线框架，单基岛双连筋引线框架第二内引脚与基岛相连，且第二内引脚与基岛的连接处设有第一横向锁定孔，适用于高可靠性、高散热性封装件的封装；双基岛双连筋引线框架，其基岛包括一大一小2个基岛，2个基岛均与第一和第二内引脚相连，且2个基岛与第一和第二内引脚连接处均设有横向锁定孔，而一大一小2个基岛之间预留空隙，塑封时，塑封料嵌入该空隙后可起到耐压及绝缘的作用，适用于高压、高绝缘性封装件的封装。采用本发明专利技术引线框架形成的SOT33‑6L封装件引脚少，体积小，厚度小于1.2mm，能够顺应集成电路更轻、更薄、更小的发展方向。

A Lead Frame and Its LED Drive Memory Circuit SOT33-6L Package and Production Method

The invention discloses a lead frame and its LED driving circuit SOT33 6L package and production method. The lead frame includes a single base island double-ribbed lead frame and a double base island double-ribbed lead frame. The second inner pin of the single base island double-ribbed lead frame is connected with the base island, and the second inner pin is connected with the base Island by a first transverse locking hole, which is suitable for high reliability and high heat dissipation sealing. Packaging of assemblies; double-base-island double-bar lead frame, whose base islands include one or two large base islands, two base islands are connected with the first and second inner pins, and two base islands are connected with the first and second inner pins with transverse locking holes, while one or two large base islands are reserved voids. When plastic seal is inserted into the voids, the plastic seal can play the role of withstanding voltage and insulation, and is suitable for high-voltage applications. Packaging of high voltage and high insulation package. The SOT33 6L package formed by the lead frame of the invention has fewer pins, smaller volume and less than 1.2mm thickness, and can conform to the development direction of lighter, thinner and smaller integrated circuits.

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架及其LED驱动存储电路SOT33-6L封装件和生产方法
本专利技术涉及集成电路封装
，具体是一种引线框架及其LED驱动电路SOT33-6L封装件，本专利技术还包括该SOT33-6L封装件的生产方法。
技术介绍
集成电路(Integratedcircuit简称IC)是近30年来传入中国的一项新技术。它是把具有存储、运算等功能的芯片包封在一种塑料材料里，使其成为能存储、转载、传递、处理数据的基岛。为了适应封装技术，集成电路向更轻、更薄、更小的方向发展，具有失效率低，密度高、小形化、节省空间、成本较低、散热性好等优点，可缩短产品上市时间，降低投资风险。大功率小胶体封装技术在国外已有应用，其体型小、高散热性等特点，正好顺应了集成电路封装技术的发展趋势，此款IC封装件的成本比一般磁卡低，且容量大，体积小，重量轻，抗干扰能力强，便于携带，易于使用，保密性更好,使用寿命长。近10年，大功率小胶体封装技术在本行业的市场增速每年都维持在15～20%，由于其具有信息存储量大，安全保密性好、存储快捷等优点，己在电信、家电、商贸、交通、城市公共事业管理等众多领域得到广泛应用，并取得了初步的社会效益和经济效益。但是，目前国内满足高可靠性、高压、高绝缘性的LED驱动大功率电路封装多采用SOP或DIP封装形式，这种封装形式引脚多，体积大，材料消耗多，与国内外同类产品存在较大差距。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述已有技术的缺陷，提供一种可明显减少引脚数目、缩小封装件体积的用于LED驱动电路封装的引线框架。本专利技术的另一目的是，提供一种利用上述引线框架形成的LED驱动电路SOT33-6L封装件。本专利技术还有一个目的，即为提供上述LED驱动电路SOT33-6L封装件的生产方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种引线框架，用于将芯片与外引脚进行电性连接，该引线框架厚度为0.15mm～0.19mm，包括若干呈阵列式排布的引线框架单元，其中，横向每两个引线框架单元为一组，每组引线框架单元之间设有流道应力释放槽；该引线框架单元包括基岛，基岛中部为芯片安装区，基岛下端设有4个独立于基岛且等距离、等宽的T字型内引脚，基岛上端一侧设有一宽度大于T字型内引脚的第一内引脚，另一侧设有一与基岛连接且宽度大于第一内引脚的第二内引脚；所述第二内引脚中部设有应力释放槽，第二内引脚与基岛的连接处设有第一横向锁定孔；所述基岛通过连接筋与引线框架单元边缘连接，基岛下端的4个T字型内引脚间通过中筋连杆连接；所述基岛数为1个，该基岛两端设有纵向锁定孔，所述第一内引脚为独立于基岛且宽度大于T字型内引脚的倒T字型内引脚；或所述基岛包括一大一小2个基岛，第一内引脚为与小基岛连接、且连接处设有第二横向锁定孔的矩形内引脚。进一步地，所述一大一小2个基岛之间设有间隙槽。本专利技术提供的一种LED驱动存储电路SOT33-6L封装件的生产方法，具体包括以下步骤：a.减薄用减薄机将芯片晶圆减薄至最终厚度50～180μm，粗磨速度控制在≤35μm/min；精磨速度控制在≤10μm/min；b.划片利用划片机进行划片，划片进刀速度控制在≤10mm/s，并及时清洗烘干；c.上芯使用全自动上芯机，自动吸取一条上述引线框架，并在该引线框架背面粘贴防溢料胶膜；自动上料后，上芯机采用防分层分段烘烤工艺将芯片粘接在引线框架上；d.压焊压焊采用金丝或铜线低弧度键合技术，采用平弧与正反打相结合，以形成尖锐拐角的高级线弧形状和平拐角的高级线弧形状，控制弧高≤150μm，将芯片与内引脚、基岛用焊线键合起来；e.塑封选用环保型塑封料，从进浇口进塑封料，控制冲丝率＜8%，将引线框架、芯片及焊线包覆在塑封体内，固化时间比常规固化操作减少20S（常规固化时间为120S，现为100S），然后将封装件半成品在175℃烘箱老化5小时进行后固化；f.电镀采用自动电镀线对封装件与4个T字型内引脚相连的外引脚上形成11.43±3.81μm的镀锡层；g.打印采用夹具式固定、双激光头、连续送料定位打印方式，在塑封体表面进行商标打印；h.切筋、成形分离采用专用的切筋系统和模具，切除中筋连杆，并采用冲切式分离方法，对各封装件进行冲切分离，形成包含一个引线框架单元的封装件成品。本专利技术采用上述生产方法生产的LED驱动存储电路SOT33-6L封装件，厚度小于1.2mm，其包括芯片和一引线框架单元，所述芯片设于基岛中部的芯片安装区，芯片通过焊线与基岛和内引脚相连；所述引线框架单元、芯片及焊线外部包覆塑封体，外引脚暴露于塑封体之外，其中，与4个T字型内引脚相连的外引脚上设有镀锡层，用于SMT焊接，与第二内引脚相连的外引脚由应力释放槽分隔为宽度相同的两个外引脚。进一步地，所述塑封体上设有顶杆孔。进一步地，所述设有镀锡层的4个外引脚凸出塑封体纵向方向0.5-1.0mm。相比于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：1、本专利技术提供了适用于LED驱动存储电路封装的单基岛双连筋引线框架和双基岛双连筋引线框架，且引线框架材料厚度0.15mm～0.19mm，比普通覆铜PCB板薄0.023mm～0.06mm，生产效率比覆铜PCB板高，封装良率高。2、采用本专利技术引线框架形成的SOT33-6L封装件引脚少，体积小，封装件厚度小于1.2mm，能够顺应集成电路更轻、更薄、更小的发展方向。3、本专利技术封装件的生产均采用环保材料，且冲切型的生产工艺采用低成本IC封装件用铜合金电镀引线框架，有利于环境保护和作业人员身心健康。4、本专利技术提供的单基岛双连筋引线框架，其第二内引脚与基岛相连，具有很好的辅助散热作用，而第二内引脚与基岛的连接处设有第一横向锁定孔，可以提高封装可靠性，因此，该单基岛双连筋引线框架适用于高可靠性、高散热性封装件的封装。5、本专利技术提供的双基岛双连筋引线框架，其基岛包括一大一小2个基岛，2个基岛均与第一和第二内引脚相连，具有很好的辅助散热作用，且2个基岛与第一和第二内引脚连接处均设有横向锁定孔，可以提供封装可靠性；而一大一小2个基岛之间预留空隙，在塑封时，塑封料嵌入该空隙后可起到耐压及绝缘的作用。因此，该双基岛双连筋引线框架适用于高压、高绝缘性封装件的封装。6、本专利技术顶杆孔的设置，既可以进行第一内引脚的识别，又可以在模具脱模时进行辅助脱模。7、本专利技术应力释放槽的设计，既可释放塑封时的应力，防止引线框架翘曲，又可以在塑封成型时，释放外引脚弯曲后产生的应力，有利于提供封装良率。8、本专利技术设有镀锡层的4个外引脚凸出塑封体纵向方向0.5-1.0mm，能有效保证产品外引脚成型的长度，保证产品后续SMT过程的有效焊接长度。附图说明图1为本专利技术实施例1单基岛引线框架的局部结构示意图；图2为本专利技术实施例2双基岛引线框架的局部结构示意图；图3为本专利技术实施例3中的单基岛封装焊线示意图；图4为本专利技术实施例4中的单基岛堆叠封装焊线示意图；图5为本专利技术实施例5中的双基岛高压封装焊线示意图；图6为本专利技术实施例3和实施例4中上芯步骤的烘烤温度曲线；图7为本专利技术实施例5中上芯步骤的堆叠烘烤温度曲线。图8为本专利技术封装结构示意图；图9为图8的右视图；附图标记：1、引线框架单元；2、流道应力释放槽；3、基岛；4、T字型内引脚；5、第一内引脚；6、第二内引脚；7、应力释放槽；8、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架，用于将芯片与外引脚（32）进行电性连接，该引线框架包括若干呈阵列式排布的引线框架单元（1），其特征在于：该引线框架厚度为0.15mm～0.19mm，横向每两个引线框架单元（1）为一组，每组引线框架单元（1）之间设有流道应力释放槽（2）；该引线框架单元（1）包括基岛（3），基岛（3）中部为芯片安装区，基岛（3）下端设有4个独立于基岛（3）且等距离、等宽的T字型内引脚（4），基岛（3）上端一侧设有一宽度大于T字型内引脚（4）的第一内引脚（5），另一侧设有一与基岛（3）连接且宽度大于第一内引脚（5）的第二内引脚（6）；所述第二内引脚（6）中部设有应力释放槽（7），第二内引脚（6）与基岛的连接处设有第一横向锁定孔（8）；所述基岛（3）通过连接筋（9）与引线框架单元（1）边缘连接， 基岛（3）下端的4个T字型内引脚（4）间通过中筋连杆（10）连接；所述基岛（3）数为1个 ，该基岛（3）两端设有纵向锁定孔（11），所述第一内引脚（5）为独立于基岛（3）且宽度大于T字型内引脚（4）的倒T字型内引脚；或所述基岛（3）包括一大一小2个基岛，第一内引脚（5）为与小基岛连接、且连接处设有第二横向锁定孔（12）的矩形内引脚。...

【技术特征摘要】
1.一种引线框架，用于将芯片与外引脚（32）进行电性连接，该引线框架包括若干呈阵列式排布的引线框架单元（1），其特征在于：该引线框架厚度为0.15mm～0.19mm，横向每两个引线框架单元（1）为一组，每组引线框架单元（1）之间设有流道应力释放槽（2）；该引线框架单元（1）包括基岛（3），基岛（3）中部为芯片安装区，基岛（3）下端设有4个独立于基岛（3）且等距离、等宽的T字型内引脚（4），基岛（3）上端一侧设有一宽度大于T字型内引脚（4）的第一内引脚（5），另一侧设有一与基岛（3）连接且宽度大于第一内引脚（5）的第二内引脚（6）；所述第二内引脚（6）中部设有应力释放槽（7），第二内引脚（6）与基岛的连接处设有第一横向锁定孔（8）；所述基岛（3）通过连接筋（9）与引线框架单元（1）边缘连接，基岛（3）下端的4个T字型内引脚（4）间通过中筋连杆（10）连接；所述基岛（3）数为1个，该基岛（3）两端设有纵向锁定孔（11），所述第一内引脚（5）为独立于基岛（3）且宽度大于T字型内引脚（4）的倒T字型内引脚；或所述基岛（3）包括一大一小2个基岛，第一内引脚（5）为与小基岛连接、且连接处设有第二横向锁定孔（12）的矩形内引脚。2.如权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于：所述一大一小2个基岛之间设有间隙槽（13）。3.一种LED驱动存储电路SOT33-6L封装件的生产方法，其特征在于包括以下步骤：a.减薄将芯片晶圆减薄至最终厚度50～180μm，粗磨速度控制在≤35μm/min；精磨速度控制在≤10μm/min；b.划片利用划片机进行划片，划片进刀速度控制在≤10mm/s，并及时清洗烘干；c.上芯使用全自动上芯机，自动吸取一条如权利要求1或2所述的引线框架，并在该引线框架背面粘贴防溢料胶膜，上芯机采用防分层分...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔺兴江，李六军，慕蔚，陈志祥，李琦，
申请(专利权)人：天水华天科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：甘肃,62