功率模块制造技术

技术编号:20929359 阅读:66 留言:0更新日期:2019-04-20 12:35
本发明专利技术涉及一种功率模块,具有要在上侧和下侧接触的半导体构件(1)。本发明专利技术的特征在于,半导体构件(1)在上侧通过引线框架基体(7)借助于压紧力电接触。

Power module

The invention relates to a power module having a semiconductor component (1) to be contacted on the upper side and the lower side. The invention is characterized in that the semiconductor component (1) passes through the lead frame matrix (7) on the upper side by means of compaction force-electric contact.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率模块
本专利技术涉及一种具有载体元件的功率模块,该载体元件在下侧布置在金属层上并且在上侧具有接触元件,其中半导体构件定位在接触元件上。
技术介绍
当前,尤其关注一种在电力电子领域中使用的功率模块。电力电子领域通常涉及利用开关半导体构件进行的电能转换。这些半导体构件,也可以称为电力电子元件,例如可以设计成功率二极管、功率MUSFET或IGBT。在此,也称为芯片的一个或多个半导体构件可以布置在基板上,从而形成所谓的功率模块。基板也可用于半导体构件的电连接,半导体构件借助构建和连接技术机械固定在该基板上。这样的基板例如可以包括由陶瓷制成的载体元件,为了将带有导体线路的半导体构件与例如由铜形成的电接触元件电接触并且机械固定,对该载体元件进行涂覆。这些与功率模块互连的半导体构件例如可以实现变流器功能,并且可以用于电动交通领域,例如用于电动车辆的驱动技术。特别是在电动交通领域中,对功率模块的运行时间和使用寿命有很高的要求。重要的是,具有迄今使用的构建和连接技术的功率模块无法实现所需的运行时间和使用寿命。特别是在半导体构件在上侧电接触的情况下,必须产生可靠的电连接,进而产生至端子或接触元件的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率模块,具有要在上侧和下侧接触的半导体构件(1),其特征在于,所述半导体构件(1)在上侧通过引线框架基体(7)借助于压紧力电接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.07 DE 102016217007.41.一种功率模块,具有要在上侧和下侧接触的半导体构件(1),其特征在于,所述半导体构件(1)在上侧通过引线框架基体(7)借助于压紧力电接触。2.根据权利要求1所述的功率模块,其特征在于,所述引线框架基体(7)由多个彼此分离的导体线路(4)形成。3.根据权利要求2所述的功率模块,其特征在于,所述导体线路(4)是铜导体线路。4.根据权利要求2或3所述的功率模块,其特征在于,在装配前,所述导体线路(4)通过包封在基体材料中来制成...

【专利技术属性】
技术研发人员:米夏埃尔·莱佩纳特克里斯托夫·内特拉尔夫·施密特龙尼·维尔纳
申请(专利权)人:西门子股份公司
类型:发明
国别省市:德国,DE

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