The utility model discloses a grinding fluid supply device and a chemical mechanical grinding system. The grinding fluid supply device comprises: a grinding fluid supply system; a filter device; a first pipeline, one end connected with the grinding fluid supply system, and another end connected with the filter device; a flow controller; a second pipeline, one end connected with the filter device, and the other end connected with the flow controller. The pipeline is connected with a flow controller at one end and a chemical mechanical grinding machine at the other end, and at least one thermostat is arranged on at least one pipeline in the first pipeline, the second pipeline and the third pipeline. The utility model has the advantages of making the grinding rate of the initial grinding stage stable and the same as that of the second stage, saving the use amount of the grinding fluid, shortening the grinding time and improving the grinding quantity.
【技术实现步骤摘要】
研磨液供给装置及化学机械研磨系统
本技术涉及半导体制造
，特别涉及一种应用于化学机械研磨工艺中的研磨液供给装置及化学研磨系统。
技术介绍
化学机械研磨工艺(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是半导体工艺中最常见且最重要的平坦化工艺之一，其目的在于均匀地去除晶圆上具有不规则表面的目标薄膜层(targetthinfilm)，使所述晶圆在经过化学机械研磨工艺后能够具有平坦且规则的表面，以确保后续工艺的良率。由于化学机械研磨工艺是同时利用机械方式与化学方式进行，因此必须考虑到很多复杂的工艺参数，例如目标薄膜层的特性、研磨液(slurry)的成分、研磨垫(polishingpad)的组成、平台(platen)转速等，其中研磨液的成分的控制对于化学机械研磨工艺的良率具有举足轻重的影响。一般来说，研磨液的成分主要包括有研磨剂(abrasive)以及氧化剂(oxidizer)，二者混合后会形成粘稠液体，经研磨液供给装置输送至化学机械研磨机台的平台。请参见图1，其为一种现有的研磨液供给装置的主要组成结构示意图；如图1所示，现有的研磨液供给装置包含...
【技术保护点】
1.一种研磨液供给装置，其特征在于，包含：研磨液供应系统；过滤装置；第一管路，一端与所述研磨液供应系统连通，另一端与所述过滤装置连通；流量控制器；第二管路，一端与所述过滤装置连通，另一端与所述流量控制器连通；第三管路，一端与所述流量控制器连通，另一端与一化学机械研磨机台连通；至少一个恒温装置，至少设置于所述第一管路、所述第二管路和所述第三管路中的一条管路上。
【技术特征摘要】
1.一种研磨液供给装置，其特征在于，包含：研磨液供应系统；过滤装置；第一管路，一端与所述研磨液供应系统连通，另一端与所述过滤装置连通；流量控制器；第二管路，一端与所述过滤装置连通，另一端与所述流量控制器连通；第三管路，一端与所述流量控制器连通，另一端与一化学机械研磨机台连通；至少一个恒温装置，至少设置于所述第一管路、所述第二管路和所述第三管路中的一条管路上。2.如权利要求1所述的研磨液供给装置，其特征在于，还包含：用于采集所述第三管路内的研磨液温度的温度传感器，设置于所述第三管路上。3.如权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭松辉，陆从喜，沈新林，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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