非易失性存储器装置及对其验证的错误补偿方法制造方法及图纸

一种非易失性存储器装置及对其验证的错误补偿方法。非易失性存储器装置包括存储器区块、字线驱动器、位线电路以及控制器。存储器区块具备多个存储单元。当对所述存储单元进行第一程序化处理以及第一验证处理之后，控制器对所述存储单元的控制端进行反向读取，依据预定的程序化数据并藉由所述字线驱动器以将预定电压分别施加至所述存储单元的所述控制端，藉由所述位线电路以读取所述存储单元中的数据，藉由从所述存储单元中所读取的所述数据来判断每个存储单元的所述数据是否正常。当存储单元中的特定存储单元的数据不正常时，控制器对特定存储单元进行第二程序化处理。

Non-volatile Memory Device and Error Compensation Method for Its Verification

A nonvolatile memory device and error compensation method for its verification. Non-volatile memory devices include memory blocks, word-line drivers, bit-line circuits and controllers. A memory block has multiple storage units. After the first procedural processing and the first verification processing of the storage unit, the controller reads the control terminal of the storage unit backwards, applies the predetermined voltage to the control terminal of the storage unit respectively according to the predetermined procedural data and by the word-line driver, and reads the data in the storage unit by the bit-line circuit. The data read from the storage unit determines whether the data described in each storage unit is normal. When the data of the specific storage unit in the storage unit is abnormal, the controller carries out the second programmed processing for the specific storage unit.

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置及对其验证的错误补偿方法
本专利技术涉及一种非易失性存储器技术，且特别涉及一种非易失性存储器装置及对其验证的错误补偿方法。
技术介绍
目前随着科学与技术的快速发展，非易失性存储器广泛用于电子装置中。非易失性存储器(例如，闪存、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM))可用来存取电子装置的重要信息，且不会因为电源中断而丧失这些信息。非易失性存储器中可具备多个存储器区块，而这些存储器区块可由存储单元(或称为存储器单元)组成。在对非易失性存储器进行程序化(program)的过程中，通常是将同一个存储器区块中的存储单元同时进行程序化。然而，由于制造工艺或物理特性上的缺陷，位于存储单元源极端或漏极端的线路将可能因为寄生电容/寄生电阻而产生噪声。当这些噪声过大时，将会致使用来进行程序化的有效判断电压被衰减，甚至被衰减的有效判断电压值还会大过原先预留的耗损判断余量(lossjudgemargin)，致使位于存储单元区块可能无法正确地被程序化。因此，许多厂商便希望能够判断这些存储单元是否已正确地被程序化，并进而对这些并未被正确程序化的存储单元进行有效判断电压的补偿，从而降低存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，包括：存储器区块，具备多个存储单元，部分存储单元的控制端相互连接，且所述部分存储单元的源极电极相互连接；字线驱动器，用以提供验证电压至所述存储单元；位线电路，耦接所述存储单元的位线，用以读取所述存储单元；以及控制器，其中当所述字线驱动器以及所述位线电路对所述存储单元进行第一程序化处理以及第一验证处理之后，所述控制器依据程序化模式并藉由所述字线驱动器以将预定电压分别施加至所述存储单元的所述控制端，藉由所述位线电路以读取所述存储单元中的数据，藉由从所述存储单元中所读取的所述数据来判断每个存储单元的所述数据是否正常，并且，当所述存储单元中的特定存储单元的数据不正常时，所述...

【技术特征摘要】
2017.10.18 TW 1061357281.一种非易失性存储器装置，包括：存储器区块，具备多个存储单元，部分存储单元的控制端相互连接，且所述部分存储单元的源极电极相互连接；字线驱动器，用以提供验证电压至所述存储单元；位线电路，耦接所述存储单元的位线，用以读取所述存储单元；以及控制器，其中当所述字线驱动器以及所述位线电路对所述存储单元进行第一程序化处理以及第一验证处理之后，所述控制器依据程序化模式并藉由所述字线驱动器以将预定电压分别施加至所述存储单元的所述控制端，藉由所述位线电路以读取所述存储单元中的数据，藉由从所述存储单元中所读取的所述数据来判断每个存储单元的所述数据是否正常，并且，当所述存储单元中的特定存储单元的数据不正常时，所述控制器对所述特定存储单元进行第二程序化处理。2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括：第一缓冲器，用以记录所述程序化模式。3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述位线电路包括屏蔽缓冲器，用以记录不需进行程序化处理而被屏蔽的所述存储单元，其中所述控制器不对已被屏蔽的所述存储单元判断其数据是否正常。4.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，当所述存储单元中的数据皆...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明璋，杜君毅，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71