The embodiment provides a semiconductor storage device capable of shortening the time required for data readout. The semiconductor storage device of the first embodiment includes: a word line and a wiring, which can be electrically connected through a transmission transistor; a first boost circuit, which can boost the output voltage to the first voltage; a first transmission circuit, which can electrically connect the first boost circuit with the wiring; and a control unit. The wiring electrically connects the first transmission circuit and the transmission transistor. The control unit electrically connects the first boost circuit and the distribution line through the first transmission circuit during the readout operation, and starts the boost of the first boost circuit to the first voltage, and maintains the electrical connection between the first boost circuit and the distribution line when the word line is non-selective.
【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2017-176686号(申请日：2017年9月14日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
已知有作为半导体存储装置的NAND型闪速存储器。
技术实现思路
实施方式提供一种能够缩短数据读出所需要的时间的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：字线及配线，能够经由传输晶体管而电连接；第1升压电路，能够将输出电压升压至第1电压；第1传输电路，能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接；以及控制部。所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间电连接。所述控制部在读出动作时，经由所述第1传输电路将所述第1升压电路与所述配线之间电连接且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始，在所述字线为非选择的情况下，维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。附图说明图1是用来说明第1实施方式的存储器系统的构成的框图。图2是用来说明第1实施方式的半导体存储装置的构成的框图。图3是用来说明第1实施方式的半导体存储装置的存储器单元阵列的构成...
【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：字线及配线，能够经由传输晶体管而电连接；第1升压电路，能够将输出电压升压至第1电压；第1传输电路，能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接；以及控制部；且所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间电连接，所述控制部在读出动作时，经由所述第1传输电路将所述第1升压电路与所述配线之间电连接，且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始，在所述字线为非选择的情况下，维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。
【技术特征摘要】
2017.09.14 JP 2017-1766861.一种半导体存储装置，其特征在于具备：字线及配线，能够经由传输晶体管而电连接；第1升压电路，能够将输出电压升压至第1电压；第1传输电路，能够将所述第1升压电路与所述配线之间电连接；以及控制部；且所述配线将所述第1传输电路与所述传输晶体管之间电连接，所述控制部在读出动作时，经由所述第1传输电路将所述第1升压电路与所述配线之间电连接，且使所述第1升压电路的向所述第1电压的升压开始，在所述字线为非选择的情况下，维持所述第1升压电路与所述配线之间的电连接。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1升压电路的向所述第1电压升压的开始时间点、与所述配线的向所述第1电压升压的开始时间点实质上同时。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述控制部在所述读出动作时，将所述配线与所述字线之间经由所述传输晶体管的连接电切断，且使所述第1升压电路的升压开始。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1升压电路的向所述第1电压升压的斜率、与所述配线的向所述第1电压升压的斜率实质上相等。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：第2升压电路，能够将输出电压升压至与所述第1电压不同的第2电压；以及第2传输电路，能够将所述第2升压电路与所述配线之间电连接；且所述控制部在所述读出动作中在选择所述字线的情况下，将所述第1升压电路与所述配线之间经由所述第1传输电路的连接电切断，且经由所述第2传输电路而将所述第2升压电路与所述配线之间电连接。6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：还具备第3传输电路，该第3传输电路能够将外部电源与所述配线之间电连接，所述控制部在所述读出动作中在所述配线为非选择的情况下，将所述第1升压电路与所述配线之间经由所述第1传输电路的连接电切断，且经由所述第3传输电路而将所述外部电源与所述配线之间电连...
【专利技术属性】
技术研发人员：沙納德·布什納克，桥本寿文，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。