【技术实现步骤摘要】
SRAM读写跟踪电路及方法、字线电压调制装置、系统及方法
本专利技术涉及集成电路存储器基本电路设计领域，更具体而言，涉及SRAM读写跟踪电路、SRAM读写跟踪方法、SRAM字线电压调制装置、SRAM字线电压调制系统及SRAM字线电压调制方法。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，制造工艺不断改进，晶体管尺寸减小，进入16nmFinfet工艺条件。由于工艺的要求，静态随机存储器(SRAM)的单元(cell)尺寸的设计要求不再可调，PMOS和NMOS均为固定，仅有1:1:1、1:2:2(表示Fin的数量之比)几种cell可选。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构相对于平面工艺，可以将读写调整到较为平衡的状态。与此不同，在Finfet的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开，Finfet读写的能力处于极可能较为不平衡的状态，存在容易发生读噪声和写入失败的问题，使其良率受到影响。对于上述的读操作中的存储单元的读噪声的问题，现有技术中，采用字线降压技术来作为改善存储单元读噪声的方法，对于...
【技术保护点】
1.一种SRAM读写跟踪电路，其特征在于，所述SRAM读写跟踪电路包括用于进行读测试和写测试的一个以上的测试用SRAM单元，在从外部对所述测试用SRAM单元依次施加一个以上的测试用字线电压时，所述SRAM读写跟踪电路在每个所述测试用字线电压下分别进行读测试和写测试，并按照每个测试用字线电压输出表示所述测试用SRAM单元的读测试和写测试成功与否的测试结果。
【技术特征摘要】
1.一种SRAM读写跟踪电路，其特征在于，所述SRAM读写跟踪电路包括用于进行读测试和写测试的一个以上的测试用SRAM单元，在从外部对所述测试用SRAM单元依次施加一个以上的测试用字线电压时，所述SRAM读写跟踪电路在每个所述测试用字线电压下分别进行读测试和写测试，并按照每个测试用字线电压输出表示所述测试用SRAM单元的读测试和写测试成功与否的测试结果。2.如权利要求1所述的SRAM读写跟踪电路，其特征在于，所述SRAM读写跟踪电路在每一测试用字线电压下，在所述测试用SRAM单元的读测试和写测试都成功的情况下，输出读写成功信号，否则输出读写失败信号。3.如权利要求1或2所述的SRAM读写跟踪电路，其特征在于，所述测试用SRAM单元兼用于读测试和写测试，所述SRAM读写跟踪电路在每一测试用字线电压下，针对所述测试用SRAM单元的每一个分别进行读测试和写测试。4.如权利要求1或2所述的SRAM读写跟踪电路，其特征在于，所述测试用SRAM单元分为专用于进行读测试的读测试用SRAM单元、和专用于进行写测试的写测试用SRAM单元，所述SRAM读写跟踪电路在每一测试用字线电压下，针对所述读测试用SRAM单元进行读测试，并针对所述写测试用SRAM单元进行写测试。5.如权利要求4所述的SRAM读写跟踪电路，其特征在于，所述测试用SRAM单元由6个MOS晶体管构成，在所述SRAM读写跟踪电路中，2个NMOS晶体管和2个PMOS晶体管构成2个交叉耦合的反相器，其余2个NMOS晶体管中的一个栅极连接于所述字线，另一个栅极连接于重置开关。6.如权利要求5所述的SRAM读写跟踪电路，其特征在于，分别包括多个所述读测试用SRAM单元和所述写测试用SRAM单元，其上述一个栅极连接到共同的字线，多个所述读测试用SRAM单元的输出连接到或非门，多个所述写测试用SRAM单元的输出连接到第一与门，所述或非门的输出和所述第一与门的输出连接到第二与门。7.一种SRAM字线电压调制装置，其特征在于，包括：SRAM读写跟踪电路，其包括用于进行读测试和写测试的一个以上的测试用SRAM单元；以及字线电压调制电路，在测试模式下，所述字线电压调制电路生成一个以上测试用字线电压，并输出到所述SRAM读写跟踪电路，所述SRAM读写跟踪电路在每个所述测试用字线电压下分别进行读测试和写测试，并按照每个测试用字线电压输出表示所述测试用SRAM单元的读测试和写测试成功与否的测试结果，在普通读写模式下，所述字线电压调制电路根据所述SRAM读写跟踪电路的测试结果来生成调制字线电压。8.如权利要求7所述的SRAM字线电压调制装置，其特征在于，所述SRAM读写跟踪电路在每一测试用字线电压下，在所述测试用SRAM单元的读测试和写测试都成功的情况下，输出读写成功信号，否则输出读写失败信号。9.如权利要求8所述的SRAM字线电压调制装置，其特征在于，还包括：第一移位寄存器，其对所述字线电...
【专利技术属性】
技术研发人员：张一平，
申请(专利权)人：成都海光集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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