The present disclosure provides a semiconductor package comprising a first semiconductor package and an intermediary. The first semiconductor package includes a first semiconductor packaging substrate and a first semiconductor chip thereon. The intermediate is arranged on the first semiconductor package. The intermediate electrically connects the half conductor package with the external semiconductor package, and has the first side and the second side opposite to each other. The second side is between the first side and the packaging substrate of the half conductor, and the first groove is formed in the second side of the intermediate. The first groove has a side wall extending from the second side to the first side of the intermediate and an upper surface connected to the side wall, and the upper surface of the first groove faces the first semiconductor chip, and the through hole is located in the intermediate. The through hole does not transmit electrical signals between the first semiconductor package and the external semiconductor package. The semiconductor package of the present disclosure can transfer heat generated from the semiconductor chip in the horizontal and vertical directions, thereby reducing the thermal resistance.
【技术实现步骤摘要】
半导体封装件本申请要求2017年10月17日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请第10-2017-0134688号的优先权，所述申请的公开内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开涉及一种半导体封装件。
技术介绍
随着电子装置变得越来越轻薄，半导体封装件的厚度不断减小。随着半导体封装件的厚度减小，正在开发有效消散半导体芯片所产生的热的各种方法。
技术实现思路
本公开的各方面提供一种半导体封装件，其能够在水平方向和竖直方向上传递从半导体芯片所产生的热从而减小热阻。在检阅具体实施方式和随附权利要求后，本公开的这个方面和其它方面、实施例以及优势对本领域的一般技术人员将立即变得显而易见。根据本专利技术概念的一些实施例，提供一种半导体封装件，包括：第一半导体封装件，包括第一半导体封装衬底和在第一半导体封装衬底上的第一半导体芯片；中介物，设置在第一半导体封装件上，且其中中介物将第一半导体封装件与外部半导体封装件电性连接，且具有彼此相对的第一侧和第二侧，其中第二侧位于第一侧与第一半导体封装衬底之间；第一凹槽，形成于中介物的第二侧中，其中第一凹槽具有从中介物的第二侧朝向第一侧延伸的侧壁和...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：第一半导体封装件，包括第一半导体封装衬底及设置在所述第一半导体封装衬底上的第一半导体芯片；中介物，设置在所述第一半导体封装件上，其中所述中介物将所述第一半导体封装件与另一半导体封装件电性连接，所述中介物包括第一凹槽、第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第二侧位于所述第一侧与所述第一半导体封装衬底之间，所述第一凹槽形成于所述中介物的所述第二侧中，且所述第一凹槽具有从所述中介物的所述第二侧朝向所述第一侧延伸的侧壁和连接到所述侧壁的凹槽上部表面，且所述凹槽上部表面设置成面向所述第一半导体芯片；以及通孔，设置在所述中介物中，从所述中介物的所述第二...
【技术特征摘要】
2017.10.17 KR 10-2017-01346881.一种半导体封装件，包括：第一半导体封装件，包括第一半导体封装衬底及设置在所述第一半导体封装衬底上的第一半导体芯片；中介物，设置在所述第一半导体封装件上，其中所述中介物将所述第一半导体封装件与另一半导体封装件电性连接，所述中介物包括第一凹槽、第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第二侧位于所述第一侧与所述第一半导体封装衬底之间，所述第一凹槽形成于所述中介物的所述第二侧中，且所述第一凹槽具有从所述中介物的所述第二侧朝向所述第一侧延伸的侧壁和连接到所述侧壁的凹槽上部表面，且所述凹槽上部表面设置成面向所述第一半导体芯片；以及通孔，设置在所述中介物中，从所述中介物的所述第二侧朝所述第一侧延伸且设置在所述凹槽上部表面与所述中介物的所述第一侧之间，其中所述通孔未配置成在所述第一半导体封装件与所述另一半导体封装件之间传送电信号。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述第一半导体芯片的至少一部分设置在所述第一凹槽中。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述中介物还包括中介物孔洞，所述中介物孔洞从所述凹槽上部表面穿透到所述中介物的所述第一侧。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，还包括：热界面材料层，设置在所述凹槽上部表面与第一半导体芯片上部表面之间，其中所述中介物孔洞至少部分地填充有所述热界面材料层。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述中介物还包括形成于所述凹槽上部表面中的第二凹槽，且其中所述第一凹槽的第一凹槽宽度大于所述第二凹槽的第二凹槽宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述中介物还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘设置在所述中介物的所述第一侧上，所述第二焊盘设置在所述中介物中，且所述第二焊盘与所述第一焊盘间隔开且通过所述第一凹槽暴露，以及其中所述通孔使所述第一焊盘与所述第二焊盘连接。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：热界面材料层，设置在所述凹槽上部表面与第一半导体芯片上部表面之间。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：导电材料层，设置在第一半导体芯片上部表面与所述凹槽上部表面之间。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：连接元件，设置在所述中介物的所述第一侧上且与所述通孔交叠，其中所述连接元件未配置成在所述另一半导体封装件与所述中介物之间传送电信号。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：中介物连接元件，设置在所述中介物的所述第二侧上且配置成在所述中介物与所述第一半导体封装衬底之间传送电信号；第一焊盘，设置在所述中介物的所述第一侧上，且所述第一焊盘将所述中介物连接元件与所述另一半导体封装件电性连接；以及无源元件，连接到所述中介物连接元件及所述第一焊盘。11.一种半导体封装件，包括：第一半导体封装件，包括第一半导体封装衬底和设置在所述第一半导体封装衬底上的第一半导体芯片；中介物，设置在所述第一半导体封装件上，其中所述中介物将所述第一半导体封装件与另一半导体封装件电性连接，所述中介物包括第一凹槽、第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第二侧位于所述第一侧与所述第一半导体封装衬底之间，且所述第一凹槽形成于所述中介物的所述第二侧中，且所述第一凹槽具有从所述中介物的所述第二侧朝向所述第一侧延伸的侧壁以及连接到所述侧壁的凹槽上部表面，且所述凹槽上部表面设置成面向所述第一半导体芯片；中介物连接元件，设置在所述中介物的所述第二侧上且配置成在所述中介物与所述第一半导体封装衬底之间传送...
【专利技术属性】
技术研发人员：任允赫，李稀裼，姜泰宇，金永锡，李庆民，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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