薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及液晶显示领域，公开了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括以下步骤：形成栅极；形成覆盖栅极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上依次形成氧化物导体层和源漏金属层；对所述源漏金属层进行图案化形成源极和漏极；对所述氧化物导体层进行图案化，形成隔离层和像素电极；所述隔离层覆盖半导体层的两端，暴露的部分半导体层为沟道区；所述像素电极覆盖栅极绝缘层。本发明专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管，通过在源漏极金属下新增氧化物导体层，来解决现有结构中源漏金属刻蚀对氧化物半导体层的影响，同时新增氧化物导体层可用作像素电极。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
图1所示是传统的背沟道刻蚀型的薄膜晶体管结构示意图，依序是基板01、栅极02、栅极绝缘层03、半导体层04、源漏极金属层的下垫层金属材料051和源漏极金属层的主层金属材料052，在某些源漏极金属中也会设计上垫层金属材料。目前源漏极金属趋向于往低电阻率方向发展，一般采用主层Cu金属，垫层为Ti、MoTi、Mo、MoNb等不同类型的金属，主要目的是隔离Cu对半导体层的负面影响以及解决Cu的附着性不佳的问题。
技术介绍
中所提及的驱动架构有以下缺点：1.在源漏金属层的湿刻工艺中，刻蚀液中的F等氧化性离子容易造成对金属氧化物背沟道的影响，导致TFT特性不佳；2.在源漏金属垫层的干刻工艺中，干刻的等离子体容易造成对金属氧化物背沟道的影响，导致TFT特性不佳；3.现有背沟道刻蚀型TFT用于FFS显示模式时需要的光罩数量。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管，通过在源漏极金属下新增透明氧化物导体层，来解决现有结构中源漏金属刻蚀对氧化物半导体层的影响，同时新增透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成栅极；形成覆盖栅极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上依次形成氧化物导体层和源漏金属层；对所述源漏金属层进行图案化形成源极和漏极；对所述氧化物导体层进行图案化，形成隔离层和像素电极；所述隔离层覆盖半导体层的两端，暴露的部分半导体层为沟道区。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成栅极；形成覆盖栅极的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上依次形成氧化物导体层和源漏金属层；对所述源漏金属层进行图案化形成源极和漏极；对所述氧化物导体层进行图案化，形成隔离层和像素电极；所述隔离层覆盖半导体层的两端，暴露的部分半导体层为沟道区。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：形成覆盖源极、沟道区、漏极以及像素电极的无机绝缘层。3.权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：在所述无机绝缘层上形成公共电极层。4.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的半导体层；形成在半导体层上的氧化物导体层，所述氧化物导体层包括隔离层和像素电极；所述隔离层覆盖所述半导体层的两端，暴露的部分半导体层为沟道区；形成在所述氧化物导体上的源极和漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴超，王志军，
申请(专利权)人：南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32