半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制作方法，本发明专利技术技术方案中，栅介质层以及栅极表面覆盖有第一介质层，可以基于栅极及其表面的第一介质层，在所述衬底内形成轻掺杂漏区以及轻掺杂源区，避免轻掺杂源区与轻掺杂漏区扩散到栅极下方，可以增大轻掺杂源区与轻掺杂漏区之间的距离，避免穿通击穿问题，降低寄生电容，提高操作频率。可以基于所述栅极及其侧壁的第一介质层和第二介质层，在所述衬底内形成源区和漏区，在形成图案化的第二介质层时，由于第一介质层的保护，可以避免图案化第二介质层时导致的过刻蚀问题。而且本发明专利技术技术方案仅需要两层介质层，制作工艺简单，制作成本低。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，更具体的说，涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当前人们不可或缺的重要工具。半导体器件是电子设备实现各种功能集成电路的主要元件。随着集成电路集成度的不断提高，半导体器件的尺寸越来越小，这样，半导体器件中，轻掺杂源区与轻掺杂漏区距离越来越接近，使得半导体器件容易发生穿通击穿(punch-through)问题，造成漏电。而且由于轻掺杂源区与轻掺杂漏区会扩散到栅极下方，增加了栅极与源区之间的寄生电容以及与漏区之间的寄生电容，降低了半导体器件的操作频率。为了解决上述问题，现有技术一般先在栅极的侧壁形成第一间隔结构，作为形成轻掺杂源区与轻掺杂漏区的掩膜，这样，可以避免通过离子注入形成轻掺杂源区与轻掺杂漏区时候，轻掺杂源区与轻掺杂漏区扩散到栅极下方，同时，可以增大轻掺杂源区与轻掺杂漏区之间的距离，避免穿通击穿问题，降低寄生电容，提高操作频率；然后再在第一间隔结构表面形成第二间隔结构，作为形成源区和漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底具有第一表面，所述第一表面具有栅介质层，所述栅介质层背离所述衬底的一侧表面具有栅极；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅介质层以及所述栅极；基于所述栅极及其侧壁的第一介质层，朝向所述第一表面进行第一次离子注入，在所述衬底内形成轻掺杂源区以及轻掺杂漏区；形成图案化的第二介质层，所述图案化的第二介质层覆盖位于所述栅极侧壁的第一介质层，露出其他部分的所述第一介质层；基于所述栅极及其侧壁的第一介质层和第二介质层，朝向所述第一表面进行第二次离子注入，在所述衬底内形成源区以及漏区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底具有第一表面，所述第一表面具有栅介质层，所述栅介质层背离所述衬底的一侧表面具有栅极；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅介质层以及所述栅极；基于所述栅极及其侧壁的第一介质层，朝向所述第一表面进行第一次离子注入，在所述衬底内形成轻掺杂源区以及轻掺杂漏区；形成图案化的第二介质层，所述图案化的第二介质层覆盖位于所述栅极侧壁的第一介质层，露出其他部分的所述第一介质层；基于所述栅极及其侧壁的第一介质层和第二介质层，朝向所述第一表面进行第二次离子注入，在所述衬底内形成源区以及漏区。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述提供一衬底包括：在衬底的第一表面形成栅介质层；在所述栅介质层上形成浅沟槽，所述浅沟槽延伸至所述衬底内；在所述浅沟槽内填充介质材料，形成浅沟槽隔离结构；在所述栅介质层背离所述衬底的一侧表面形成栅极；其中，所述第一介质层覆盖所述浅沟槽隔离结构的表面。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成图案化的第二介质层包括：形成未图案化的第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层；图案化所述第二介质层，保留所述第二介质层位于所述栅极侧壁的部分，去除其他部分的所述第二介质层。4.根据权利要求1所述的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵东光，占琼，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42