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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，本发明技术方案中，栅介质层以及栅极表面覆盖有第一介质层，可以基于栅极及其表面的第一介质层，在所述衬底内形成轻掺杂漏区以及轻掺杂源区，避免轻掺杂源区与轻掺杂漏区扩散到栅极下方，可以增大轻掺杂源区与轻掺杂...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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