【技术实现步骤摘要】
一种埋入式栅极结构
本技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种埋入式栅极结构。
技术介绍
在集成电路设计领域，提高电路集成度的一种方法就是缩小集成电路中各器件的结构尺寸；而在合理范围内缩小器件的结构尺寸确实可以提高电路的集成度，但当器件的结构尺寸缩小到一定程度时，就会对器件的性能产生不良影响。对于晶体管而言，当器件的结构尺寸缩小到一定程度时，会导致栅极沟道长度变短，从而出现短沟道效应；故在进行晶体管结构设计时，为了确保晶体管性能，就需要适当增加晶体管的结构尺寸，以致无法进一步提高晶体管的器件集成度。鉴于此，有必要设计一种新的埋入式栅极结构用以解决上述技术问题。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种埋入式栅极结构，用于解决现有晶体管无法同时兼顾性能和集成度的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种埋入式栅极结构，所述埋入式栅极结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所...
【技术保护点】
1.一种埋入式栅极结构，其特征在于，所述埋入式栅极结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；隔离沟槽，包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽，及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；以及栅极结构，形成于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中。
【技术特征摘要】
1.一种埋入式栅极结构，其特征在于，所述埋入式栅极结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述前段有源沟槽的宽度；隔离沟槽，包括形成于所述浅沟槽隔离结构中的前段隔离沟槽，及形成于所述前段隔离沟槽底部的后段隔离沟槽，其中所述后段隔离沟槽的宽度大于所述前段隔离沟槽的宽度；以及栅极结构，形成于所述有源沟槽及所述隔离沟槽中。2.根据权利要求1所述的埋入式栅极结构，其特征在于，所述后段有源沟槽的宽度与所述前段有源沟槽的宽度之差介于100埃～200埃之间，所述后段隔离沟槽的宽度与所述前段隔离沟槽的宽度之差介于100埃...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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