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本实用新型提供一种埋入式栅极结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底中形成有有源区，及隔离所述有源区的浅沟槽隔离结构；有源沟槽，包括形成于所述有源区中的前段有源沟槽，及形成于所述前段有源沟槽底部的后段有源沟槽，其中所述后段有源沟槽的宽度大于所述...
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