一种三维存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器及其制备方法。其中，所述制备方法包括以下步骤：在沟道通孔的底部形成下选择管沟道层；在所述下选择管沟道层上形成导电层；所述导电层与所述下选择管沟道层导电连接；在所述沟道通孔内形成存储区沟道层，所述存储区沟道层与所述导电层导电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器及其制备方法
本专利技术涉及存储器件
，尤其涉及一种三维存储器及其制备方法。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。随着各类电子设备对集成度和数据存储密度的需求的不断提高，普通的二维存储器件越来越难以满足要求，在这种情况下，三维(3D)存储器应运而生。在三维存储器的内部结构中，存储区沟道层一边与存储器位线(BL)相连接，另一边与下选择管沟道层相连接，从而形成了载流子移动的关键通道，直接影响存储器的擦除与编写速度。随着三维存储器存储叠层越来越高，存储区沟道层的长度随之增长，本领域中对沟道结构整体的串联电阻产生了更高的要求。存储区沟道层与下选择管沟道层之间的导电接触对沟道结构的串联电阻有着重要影响，二者接触不良将导致沟道电阻值偏高，甚至导通失败。因此，存储区沟道层与下选择管沟道层之间的良好接触成为三维存储器下一代工艺的重要挑战。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种三维存储器及其制备方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种三维存储器的制备方法，所述方法包括以下步骤：在沟道通孔的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在沟道通孔的底部形成下选择管沟道层；在所述下选择管沟道层上形成导电层；所述导电层与所述下选择管沟道层导电连接；在所述沟道通孔内形成存储区沟道层，所述存储区沟道层与所述导电层导电连接。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在沟道通孔的底部形成下选择管沟道层；在所述下选择管沟道层上形成导电层；所述导电层与所述下选择管沟道层导电连接；在所述沟道通孔内形成存储区沟道层，所述存储区沟道层与所述导电层导电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下选择管沟道层通过外延生成而形成。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成导电层的步骤具体包括：在所述沟道通孔内形成膜层，所述膜层覆盖所述沟道通孔的侧壁，所述膜层至少暴露出所述下选择管沟道层的上表面；在所述下选择管沟道层的被所述膜层暴露的上表面上形成所述导电层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述膜层为疏水性膜层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述形成膜层的步骤具体包括：将底部形成有所述下选择管沟道层的所述沟道通孔浸入到膜层前躯体溶液中；或者在所述沟道通孔的侧壁涂覆膜层前躯体溶液，形成所述膜层。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述膜层前躯体溶液的溶质包括CH3(CH2)xCH2SiCl3；其中，x的取值为6～10中的至少之一。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述膜层前躯体溶液的溶剂包括多氯硅烷或者乙醇。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成膜层的步骤还包括：对所述沟道通孔内的所述膜层前躯体溶液进行烘烤。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述烘烤的温度为50～150摄氏度。10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：采用湿法刻蚀工艺，去除形成在所述下选择管沟道层的上表面的膜层，使得所述膜层至少暴露出所述下选择管沟道层的上表面。11.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述导电层的步骤之前，所述方法还包括：对所述下选择管沟道层的被所述膜层暴露的上表面进行亲水性处理。12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层通过原子层沉积工艺形成。13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层的材料选自电阻率小于所述存储区沟道层电阻率的材料。14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电层的材料包括金属硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启光，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42