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本发明公开了一种三维存储器及其制备方法。其中，所述制备方法包括以下步骤：在沟道通孔的底部形成下选择管沟道层；在所述下选择管沟道层上形成导电层；所述导电层与所述下选择管沟道层导电连接；在所述沟道通孔内形成存储区沟道层，所述存储区沟道层与所述导...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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