The invention discloses a semiconductor power element, which comprises: a substrate; a buffer structure on the substrate; a back-blocking structure on the buffer structure; a channel layer on the back-blocking structure; and a barrier layer on the channel layer; wherein the back-blocking structure comprises a first functional layer, a first back-blocking layer and an intermediate layer, and the first functional layer is located at a slow speed. In punching structure, the first back barrier layer is located on the first functional layer, and the middle layer is located between the first back barrier layer and the first functional layer. The material of the first back barrier layer includes Alx1Ga1 x1N, and the material of the first functional layer contains Alx2Ga1 x2N, 0.
【技术实现步骤摘要】
半导体功率元件
本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种半导体功率元件。
技术介绍
近年来，随着对高频或高功率产品的需求不断增长，由氮化镓(GaN)材料制成并具有AlGaN/GaN迭层的半导体元件因具有高电子迁移率并能够在高频、高功率和高温下运行的特性而被广泛用于电源、DC/DC转换器、DC/AC反向器、不断电电源、车辆、马达和风力发电等。
技术实现思路
本
技术实现思路
提供一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0<x1≤1，0≤x2≤1，且x1≠x2，其中中间层包含一碳掺杂或铁掺杂的材料。附图说明图1为半导体功率元件10的剖视图；图2A为用于测量半导体功率元件的导通电阻的电路图；图2B为开闭操作中漏极...
【技术保护点】
1.一种半导体功率元件，其特征在于，包含︰基板；位于该基板上的缓冲结构；位于该缓冲结构上的背阻挡结构；位于该背阻挡结构上的通道层；以及位于该通道层上的阻挡层；其中该背阻挡结构包含第一功能层、第一背阻挡层以及中间层，该第一功能层位于该缓冲结构上，该第一背阻挡层位于该第一功能层上，以及该中间层位于该第一背阻挡层以及该第一功能层之间；其中该第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1‑x1N，该第一功能层的材料包含Alx2Ga1‑x2N，0
【技术特征摘要】
2017.09.29 US 15/720,5641.一种半导体功率元件，其特征在于，包含︰基板；位于该基板上的缓冲结构；位于该缓冲结构上的背阻挡结构；位于该背阻挡结构上的通道层；以及位于该通道层上的阻挡层；其中该背阻挡结构包含第一功能层、第一背阻挡层以及中间层，该第一功能层位于该缓冲结构上，该第一背阻挡层位于该第一功能层上，以及该中间层位于该第一背阻挡层以及该第一功能层之间；其中该第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，该第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0<x1≤1，0≤x2≤1，且x1≠x2，其中该中间层包含碳掺杂或铁掺杂的材料。2.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中0.5≤x2且x1<x2。3.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该中间层的厚度小于或等于100nm，且该中间层的材料包含GaN。4.如权利要求1所述的半导体功率元件，其中该缓...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨亚谕，杜尚儒，张宗正，刘家呈，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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