The embodiment of the invention discloses a radiator assembly and a radiation system of a power semiconductor device. The radiator assembly of a power semiconductor device includes: a heat sink body (1), including an inner ring substrate (11), an outer ring substrate (12) and a plurality of heat sinks (13). The outer ring substrate (12) surrounds the inner ring substrate (11), and the plurality of heat sinks (13) are arranged between the inner ring substrate (11) and the outer ring substrate (12). The inner ring substrate (11) has one or more power on the inner and outer ring substrate (12). The first arrangement position (14) of the semiconductor device is arranged on the outer surface of the outer ring substrate (12) with one or more second arrangement positions (15) of the power semiconductor device and a fan assembly (2). The embodiment of the invention can save space, reduce cost and improve heat dissipation efficiency, and avoid interference between multiple fans.
【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件的散热器组件和散热系统
本专利技术涉及功率半导体(powersemiconductor)
，特别是涉及功率半导体器件的散热器组件和散热系统。
技术介绍
功率变换器广泛应用于变频电机驱动、输变电和可再生能源等领域。在这些领域中，变频电机驱动是最成熟的应用之一。功率变换器可以使电机运行在不同的工作速度。功率变换器通常包含绝缘栅双极型晶体管(Insulated-Gate-BipolarTransistor,IGBT)、功率二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)等功率半导体器件。功率半导体器件在工作时会产生显著热量，需要良好散热以保证工作性能。目前，通常采用特定的冷却技术实现功率半导体器件的散热。散热方式可以包括金属散热器的自然冷却、金属散热器和风扇的组合强制空气冷却或液体冷却，等等。对于价格敏感的通用工业变换器，空气冷却是最广泛接受的方法。在现有技术中，通常将功率半导体器件布置在具有平面基板的散热器上，利用基板上部或下部的多个风扇吸空气或吹...
【技术保护点】
1.功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，包括：散热本体(1)，包括：内环基板(11)、外环基板(12)，其中所述外环基板(12)包围所述内环基板(11)、和多个散热片(13)，其布置在所述内环基板(11)与所述外环基板(12)之间，其中所述内环基板(11)的内周面上具有一或多个的功率半导体器件第一布置位(14)，所述外环基板(12)的外周面上布置有一或多个的功率半导体器件第二布置位(15)；风扇组件(2)。
【技术特征摘要】
1.功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，包括：散热本体(1)，包括：内环基板(11)、外环基板(12)，其中所述外环基板(12)包围所述内环基板(11)、和多个散热片(13)，其布置在所述内环基板(11)与所述外环基板(12)之间，其中所述内环基板(11)的内周面上具有一或多个的功率半导体器件第一布置位(14)，所述外环基板(12)的外周面上布置有一或多个的功率半导体器件第二布置位(15)；风扇组件(2)。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述功率半导体器件第一布置位(14)沿着所述内环基板(11)的内周面均匀布置；和/或所述功率半导体器件第二布置位(15)沿着所述外环基板(12)的外周面均匀布置。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述风扇组件(2)和所述散热本体(1)沿所述散热本体(1)的轴向方向布置，并且所述风扇组件(2)的出风面或入方面朝向所述散热本体(1)。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述散热本体(1)的主风道与所述风扇组件(2)的流场相匹配。5.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述多个散热片(13)具有沿所述散热本体(1)的径向方向等间隔布置的辐射状样式。6.根据权利要求1所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述功率半导体器件第一布置位(14)为棱面形状或弧面形状；和/或所述功率半导体器件第二布置位(15)为棱面形状或弧面形状。7.根据权利要求1-6中任一项所述的功率半导体器件的散热器组件，其特征在于，所述内环基板(11)为菱形环，所述外环基板(12)为圆形环；或所述内环基板(11)为圆形环，所述外环基板为(12)菱形环；或所述内环基板(11)和所述外环基板(12)都为圆形环；或所述内环基板(11)和所述外环基板(12)都为菱形环；或所述内环基板(11)为菱形环，所述外环基板(12)...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晟，姚吉隆，赵研峰，石磊，刘泽伟，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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