半导体晶圆处理设备及其顶针装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种半导体晶圆处理设备及其顶针装置，涉及半导体制造技术领域。半导体反应腔晶圆顶针装置，包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。通过本实用新型专利技术的实施例，只需要在第一环形区域和第二环形区域中导电的一个区域与导电件之间施加电压差，并检测该区域与导电件之间是否电导通即可判断出顶针的顶端是否完全缩入到顶针通道内，由此判断出顶针是否下降到位。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆处理设备及其顶针装置
本技术总体来说涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种半导体晶圆处理设备及其顶针装置。
技术介绍
在半导体生产加工工艺中，常常需要将晶圆输送到反应腔内进行加工。该反应腔可以是去光刻胶设备的反应腔。为方便机械臂将晶圆输送到反应腔内的加热基板上，反应腔内还设置有竖直贯穿加热基板的多根顶针。晶圆传输到反应腔内的步骤为：顶针上升至顶端高于加热基板，机械臂托着晶圆并将晶圆放置在顶针的顶部；然后，机械臂缩回，顶针下降至晶圆的底面与加热基板的上表面完全相贴。在实践中，顶针偶尔会下降不到位使得加热基板与晶圆之间存在间隙，这样会导致在后续制程工艺中加热基板对晶圆加热不均匀和加热不充分而导致最终产品不良。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本技术所要解决的一个技术问题为如何检测顶针的顶端是否下降到位。本技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种半导体反应腔晶圆顶针装置，其包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。根据本技术的一个实施例，所述第一环形区域为绝缘区，所述第二环形区域为导电区。根据本技术的一个实施例，所述第一环形区域为导电区，所述第二环形区域为绝缘区。根据本技术的一个实施例，还包括检测单元，所述检测单元电连接所述导电区和所述导电件。根据本技术的一个实施例，所述检测单元包括电源、电阻和电压传感器；所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；所述电压传感器并联于所述电阻两端，用于检测所述电阻两端的电压，或所述电压传感器并联于所述导电区与所述导电件两端，用于检测所述导电区与所述导电件之间的电压。根据本技术的一个实施例，所述检测单元包括电源、电阻和电流传感器；所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；所述电流传感器与所述电阻串联，用于检测通过所述电阻的电流大小。根据本技术的一个实施例，所述导电件为滚轮环，所述滚轮环安装于所述顶针通道的内侧壁中。根据本技术的一个实施例，所述顶针的横截面为圆形、方形、或者具有与所述滚轮环突出于所述顶针通道内壁部分对应的凹陷。根据本技术的一个实施例，所述顶针由金属制成，所述顶针上的绝缘区为镀在所述顶针上的绝缘层。根据本技术的一个实施例，所述顶针包括三个以上非直线排列的顶针，以及与各个所述顶针对应的所述顶针通道；和/或所述半导体反应腔晶圆顶针装置还包括用于固定所述顶针装置的基座。本技术还提出了一种半导体晶圆处理设备，其包括：反应腔体；以及位于所述反应腔体的顶针装置。由上述技术方案可知，本技术的半导体反应腔晶圆顶针装置的优点和积极效果在于：由于第一环形区域设置在顶针的顶端，而导电件设置在顶针通道内，只有当顶针的顶端完全缩入到顶针通道内时导电件才能与顶针上的第一环形区域相接触。这时，只需要在第一环形区域和第二环形区域中导电的一个区域与导电件之间施加电压差，并检测该区域与导电件之间是否电导通即可判断出顶针的顶端是否完全缩入到顶针通道内，由此判断出顶针是否下降到位。附图说明通过结合附图考虑以下对本技术的优选实施例的详细说明，本技术的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本技术的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：图1是根据实施例一示出的一种顶针装置在顶针伸出状态下的剖视示意图；图2是根据实施例一示出的一种顶针的主视示意图；图3是根据实施例一示出的一种顶针装置在顶针缩入状态下的剖视示意图；图4是根据实施例一示出的一种导电件的俯视示意图；图5是根据实施例一示出的一种顶针装置的俯视示意图；图6是根据实施例二示出的一种顶针的主视示意图；图7是根据实施例二示出的一种顶针装置在顶针缩入状态下的剖视示意图；图8是根据实施例三示出的一种顶针的主视全剖示意图；图9是根据实施例四示出的一种顶针装置在顶针缩入状态下的剖视示意图；图10是根据实施例五示出的一种顶针与导电件相配合的俯视示意图；图11是根据实施例五示出的一种顶针与导电件相配合的俯视示意图；图12是根据实施例六示出的一种顶针装置的俯视示意图；图13是根据实施例六示出的一种顶针装置在承载晶圆的状态下的主视示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。实施例一参照图1，图1显示了本实施例中的一种半导体反应腔晶圆顶针装置1。半导体晶圆处理设备包括该半导体反应腔晶圆顶针装置1和反应腔体。该反应腔体可以是去光刻胶设备的反应腔体。半导体反应腔晶圆顶针装置1安装在反应腔体内。半导体反应腔晶圆顶针装置1包括基座13、顶针11、导电件12和检测单元16。基座13可以是加热基板。基座13上设置有顶针通道131，顶针通道131沿直线延伸，顶针通道131可以是在竖直方向延伸。顶针通道131的横截面优选为圆形。顶针11为沿直线延伸的直杆。顶针11的横截面优选为圆形。顶针11插入到顶针通道131内，顶针11可以沿顶针通道131在顶针通道131内进行上下往复运动。参照图2，顶针11的外周表面包括第一环形区域111和第二环形区域112，第一环形区域111和第二环形区域112均呈环形。第一环形区域111设置在顶针11的顶端。第一环形区域111和第二环形区域112沿竖直方向相邻。第一环形区域111和第二环形区域112的导电性相反。在本实施例中，第一环形区域111为绝缘区，第二环形区域112为导电区。顶针11由金属制成，可以是采用铜、铁、铝及其合金制作。顶针11的顶端部分的外周表面镀有一层绝缘层，该绝缘层为环状。绝缘层的表面即为绝缘区，顶针的外周表面未被绝缘层所覆盖的部分即为导电区。在顶针11上镀绝缘层，工艺简单，制作方便。绝缘层的材料优选为二氧化硅或者氮化硅，二氧化硅和氮化硅绝缘性好，耐磨损，且与顶针11之间结合更紧密。参照图3，导电件12为导体，可以采用金属制成。导电件12设置在顶针通道131的内侧壁上。导电件12与基座13之间相互绝缘。导电件12与顶针11的外周表面相抵。顶针11在上下往复运动时，顶针11相对于导电件12滑动，导电件12能切换地抵接导电区和绝缘区中的一个。检测单元16用于检测导电件12与导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。

【技术特征摘要】
1.一种半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，包括：顶针通道；顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。2.根据权利要求1所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述第一环形区域为绝缘区，所述第二环形区域为导电区。3.根据权利要求1所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述第一环形区域为导电区，所述第二环形区域为绝缘区。4.根据权利要求2或3所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，还包括检测单元，所述检测单元电连接所述导电区和所述导电件。5.根据权利要求4所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述检测单元包括电源、电阻和电压传感器；所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；所述电压传感器并联于所述电阻两端，用于检测所述电阻两端的电压，或所述电压传感器并联于所述导电区与所述导电件两端，用于检测所述导电区与所述导电件之间的电压。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，吕翼君，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34