具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一硅衬底，在硅衬底的表面形成栅极结构，栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、采用光刻工艺凹槽的形成区域；步骤23、进行第一次干法刻蚀形成凹槽的第一部分；步骤24、进行第二次清洗工艺，清洗液采用DHF和DIO3的组合，采用DHF去除硅衬底表面的污染，采用DIO3控制DHF所带来对氧化层的刻蚀速率；步骤25、进行第三次湿法刻蚀形成最终凹槽。本发明专利技术能实现对凹槽干刻后清洗工艺的控制，能在充分去除硅衬底表面的污染的同时减少或避免氧化层的损耗。

【技术实现步骤摘要】
具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法。
技术介绍
MOS晶体管特别是PMOS管的源漏区往往需要形成嵌入式锗硅外延层，嵌入式锗硅外延层能够对PMOS管的沟道区的应力进行调制从而有利于提高PMOS的载流子迁移率，从而提高PMOS管的电学性能。但是，在引入嵌入式锗硅外延层是通过先在硅衬底中形成凹槽，凹槽通常具有∑形状，再在凹槽中填充外延层实现外延层嵌入到硅衬底中的。在凹槽的刻蚀工艺需要采用到硬掩膜层，之后光刻定义出凹槽的形成区域，再进行干法刻蚀，由于干法刻蚀中会产生污染，如产生高分子聚合物(polymer)或其它副产物(byproduct)；所以在干法刻蚀之后需要进行清洗工艺；清洗之后还需要进行凹槽的湿法刻蚀，最后形成所需形状的凹槽；之后再在凹槽中填充外延层。现有方法中，针对高污染物的表面如polymer或byproduct等污染物，现有方法都是利用酸槽(wetbenchtool)或是单片式清洗机(singlewafer)加入DHF进行清洁，但是随着线宽的缩小，清洗带来的对硅衬底整体的损耗(los本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在所述栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括如下分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、采用光刻工艺在所述栅极结构的两侧定义出所述凹槽的形成区域；步骤23、进行第一次干法刻蚀，所述第一次干法刻蚀依次对所述凹槽形成区域的所述硬掩膜层和所述硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽的第一部分；步骤24、进行第二次清洗工艺，用于清洗所述第一次干法刻蚀带来的对所述硅衬底表面的污染，所述第二次情形工艺的清洗液采用DHF和DIO3的组合，采用DHF去除...

【技术特征摘要】
1.一种具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一硅衬底，在所述硅衬底的表面形成栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有侧墙；步骤二、在所述栅极结构的两侧形成侧面具有∑形状的凹槽，包括如下分步骤：步骤21、形成硬掩膜层；步骤22、采用光刻工艺在所述栅极结构的两侧定义出所述凹槽的形成区域；步骤23、进行第一次干法刻蚀，所述第一次干法刻蚀依次对所述凹槽形成区域的所述硬掩膜层和所述硅衬底进行刻蚀形成所述凹槽的第一部分；步骤24、进行第二次清洗工艺，用于清洗所述第一次干法刻蚀带来的对所述硅衬底表面的污染，所述第二次情形工艺的清洗液采用DHF和DIO3的组合，采用DHF去除所述硅衬底表面的污染，采用DIO3控制所述DHF所带来对氧化层的刻蚀速率，使得在充分去除所述硅衬底表面的污染的同时减少或避免氧化层的损耗；步骤25、进行第三次湿法刻蚀，所述第三次湿法刻蚀在对所述凹槽的第一部分进行扩展形成所述凹槽。2.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，还包括步骤：步骤三、在所述凹槽中填充锗硅外延层形成嵌入式锗硅外延层；步骤四、在形成有所述嵌入式锗硅外延层的所述栅极结构的两侧进行源漏注入形成源区和漏区。3.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中在所述硅衬底表面形成有浅沟槽场氧，由所述浅沟槽场氧隔离出有源区，MOS晶体管形成于有源区中。4.如权利要求1所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：具有锗硅源漏的MOS晶体管为PMOS管。5.如权利要求4所述的具有锗硅源漏的MOS晶体管的制造方法，其特征在于：步骤一中所述栅极结构由栅介质层和多晶硅栅叠加而成。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘厥扬，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31