改善外延硅片边缘平坦度的方法技术

本发明专利技术提供一种改善外延硅片边缘平坦度的方法，包括如下步骤：1）提供一硅晶片；2）将所述硅晶片置于外延设备的反应腔室内；3）于预设外延温度下向所述反应腔室内通入反应气体，以在所述硅晶片的表面形成外延单晶硅薄膜，其中，位于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增。本发明专利技术的通过在外延过程中控制外延形成于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增，可以补偿外延前硅晶片边缘区域厚度减薄现象，从而使得最终得到的外延硅片的表面具有较高的边缘平坦度。

【技术实现步骤摘要】
改善外延硅片边缘平坦度的方法
本专利技术属于半导体工艺
，特别是涉及一种改善外延硅片边缘平坦度的方法。
技术介绍
硅外延片通过采用化学气相沉积方法，在抛光硅片上再生长一层外延单晶硅薄膜，实现对硅晶片表面质量以及导电性能的改善调控。硅外延片表面平坦度是半导体器件性能的重要影响参数，平坦度越好，器件良率与性能越高，因而平坦度改善是硅外延片研究的一项重要内容。晶片平坦度通常采用SFQR(SiteFrontQuotientRange)参数进行评价，SFQR是在局部区域基于厚度值作出基准线，计算出最高点与最低点差值，通常12寸晶片选用26mm×8mm作为局部区域(Site)，将一片晶片划分出324个Site，每个Site对应一个值，再选出其中较大值来评价整个晶片。将外延前后晶片的SFQR值进行整理，并用外延后的SFQR值减去外延前SFQR值，作出SFQR变化图，将较差区域进行标记，观察可以发现平坦度较差的区域主要在以下三个区域：1.PinMark区域，2.边缘区域，3.中心区域。对于所述晶片的区域平坦度较差的原因，经分析可知，晶片在外延前需要经过研磨、抛光、清洗及干燥等多个工艺，其中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善外延硅片边缘平坦度的方法，其特征在于，所述改善外延硅片边缘平坦度的方法包括如下步骤：1)提供一硅晶片；2)将所述硅晶片置于外延设备的反应腔室内；3)于预设外延温度下向所述反应腔室内通入反应气体，以在所述硅晶片的表面形成外延单晶硅薄膜，其中，位于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增。

【技术特征摘要】
1.一种改善外延硅片边缘平坦度的方法，其特征在于，所述改善外延硅片边缘平坦度的方法包括如下步骤：1)提供一硅晶片；2)将所述硅晶片置于外延设备的反应腔室内；3)于预设外延温度下向所述反应腔室内通入反应气体，以在所述硅晶片的表面形成外延单晶硅薄膜，其中，位于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增。2.根据权利要求1所述的改善外延硅片边缘平坦度的方法，其特征在于：步骤1)与步骤2)之间还包括依次将所述硅晶片进行研磨、抛光、清洗及干燥的步骤。3.根据权利要求1所述的改善外延硅片边缘平坦度的方法，其特征在于：所述硅晶片的边缘区域的宽度为0mm～26mm。4.根据权利要求1所述的改善外延硅片边缘平坦度的方法，其特征在于：步骤2)中，将所述硅晶片置于所述反应腔室内的旋转基座上，所述硅晶片在所述旋转基座的带动下旋转；步骤3)中，所述硅晶片旋转的同时，于所述预设外延温度下向所述反应腔室内通入反应气体，以在所述硅晶片表面形成所述外延单晶硅薄膜。5.根据权利要求1至4中任一项所述的改善外延硅片边缘平坦...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华杰，林志鑫，王燕，季文明，保罗·邦凡蒂，廖志皓，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31