具高Dk和低Df特性的LCP高频基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；铜箔层的厚度为1‑35μm；高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，高介电胶层的厚度为12‑100μm。本实用新型专利技术中由于高介电LCP芯层和高介电胶层皆具有高Dk和低Df的特性，使制得的LCP高频基板具有极佳的高速传输性、低损耗性、高Dk和低Df性能、低粗糙度、超低吸水率、适合高密度组装的低反弹力、良好的UV激光钻孔能力以及极佳的机械性能。

【技术实现步骤摘要】
具高Dk和低Df特性的LCP高频基板
本技术涉及FPC(柔性线路板)
，特别涉及一种高频高传输基板及制备方法，主要用于高频高速传输FPC领域，比如汽车雷达、全球定位卫星天线、蜂窝电信系统、无线通信天线、数据链接电缆系统、直播卫星、电源背板等。
技术介绍
随着信息技术的飞跃发展，无线通信已成为生活之必需。无线通信系统由发射、接受及天线所组成，其中天线是负责电路与空气中电磁能量值转换，为通讯系统不可或缺的基本配备。在天线相关的电路设计中，有时会依赖电容或电感等被动组件来进行天线的匹配。随着电子产品向轻薄、可挠曲与讯号传输的高频高速化发展，相关设计的主动组件和被动组件必须增加，电路与组件密度势必增加，造成电磁干扰、噪声增加及可靠度下降。为解决此问题，需要改良被动组件，例如电容的整合。而埋入式电容可降低电路板面积、提高组件使用密度及提高产品的可靠度，故开发具有高介电常数及低介电损耗的基板材料是此领域的重要议题。目前市场较多的是PCB用高频板材，其实现途径及缺点有：1、在接着层加入金属粉体，可得到45以上的高Dk值，但同时Df也随之升高，不能真正满足高频高速的需求，并且此类材料在实际应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，其特征在于：包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，所述高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，所述高介电LCP芯层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的芯层，所述高介电胶层是指Dk值为6‑100，且Df值为0.002‑0.010的胶层；所述铜箔层的厚度为1‑35μm；所述高介电LCP芯层的厚度为12‑100μm，所述高介电胶层的厚度为12‑100μm。

【技术特征摘要】
1.一种具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，其特征在于：包括至少一铜箔层、至少一高介电LCP芯层和至少一高介电胶层，所述高介电LCP芯层位于铜箔层和高介电胶层之间，所述高介电LCP芯层是指Dk值为6-100，且Df值为0.002-0.010的芯层，所述高介电胶层是指Dk值为6-100，且Df值为0.002-0.010的胶层；所述铜箔层的厚度为1-35μm；所述高介电LCP芯层的厚度为12-100μm，所述高介电胶层的厚度为12-100μm。2.根据权利要求1所述的具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，其特征在于：所述LCP高频基板为单面覆铜基板，所述单面覆铜基板包括一铜箔层、一高介电LCP芯层和一高介电胶层，所述高介电LCP芯层位于所述铜箔层和所述高介电胶层之间，所述单面覆铜基板的厚度为25-235μm。3.根据权利要求2所述的具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，其特征在于：所述单面覆铜基板还包括离型层，所述离型层位于所述高介电胶层的表面。4.根据权利要求1所述的具高Dk和低Df特性的LCP高频基板，其特征在于：所述LCP高频基板为双面覆铜基板，所述双面覆铜基板包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建辉，林志铭，何家华，
申请(专利权)人：昆山雅森电子材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32