高频模块制造技术

本发明专利技术提供不增大电路规模，能够由简单的构成实现阻抗的匹配的高频模块。本发明专利技术的高频模块具有：多个基板；多个配线部(113)，其将分别设于多个基板上的多个导体层中的一个以上的导体层与RF芯片连接；作为导体层的接合区(214)，其与多个配线部中的任一个连接；传递部(111)，其设置在多个基板之间，经由接合区连接并且传递信号；接地导体(115)，其设置在接合区及连接有接合区的配线部的周围；隔离部(216)，其将接合区和接地导体隔离，设置在连接有接合区的配线部与接地导体之间，将连接有接合区的配线部和接地导体隔离；连接部(217)，其设置在接合区与接地导体之间，将接合区和接地导体短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及与毫米波带的RF(Radio Frequency)芯片连接且传递高频带的信号的高频模块。
技术介绍
目前，作为传递毫米波带等高频带的信号的高频模块，利用有使用BGA(Ball Grid Array)封装等的模块。在传递高频带的信号的模块中，为了抑制信号的通过特性的劣化，需要实现阻抗的匹配。例如，在专利文献1中公开有如下的构成，为了实现将多个电路层之间连接的通孔和与通孔连接的信号线之间的匹配，将改变了配线的宽度及长度的匹配电路设置在信号线的一部分。专利文献1：(日本)特开2001－308547号公报但是，在上述专利文献1的现有技术中，由于需要将匹配电路设置在信号线的一部分，故而需要应对电路规模的扩大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种不增大电路规模，能够由简单的构成实现阻抗的匹配的高频模块。本专利技术的高频模块，具有：多个基板；多个配线部，其将分别设置在所述多个基板上的多个导体层中的一个以上的导体层与RF芯片连接；作为导体层的接合区，其与所述多个配线部中的任一个连接；传递部，其设置在所述多个基板之间，经由所述接合区连接，传递信号；接地导体，其设置在所述接合区以及连接有所述接合区的配线部的周围；隔离部，其设置在所述接合区与所述接地导体之间，将所述接合区和所述接地导体隔离，以及设置在连接有所述接合区的配线部与所述接地导体之间，将连接有所述接合区的配线部和所述接地导体隔离；连接部，其设置在所述接合区与
所述接地导体之间，将所述接合区和所述接地导体短路。根据本专利技术，不增大电路规模，能够由简单的构成实现阻抗的匹配。附图说明图1是表示使用了BGA封装的高频模块的一般构成的概略剖面图；图2是表示一般的高频模块的构成之一例的概略剖面图；图3是表示一般的高频模块的主要部分的构成的放大图；图4是表示一般的高频模块的接合区中的信号的反射特性的史密斯图；图5是表示一般的高频模块的接合区中的信号的通过特性的图；图6是表示一般的高频模块的接合区中的信号的反射特性的图；图7是表示本专利技术实施方式的高频模块的构成之一例的概略剖面图；图8是表示本专利技术实施方式的高频模块中的主要部分的构成的放大图；图9是表示本专利技术实施方式的高频模块的接合区中的信号的反射特性的史密斯图；图10是表示本专利技术实施方式的高频模块的接合区中的信号的通过特性的图；图11是表示本专利技术实施方式的高频模块的接合区中的信号的反射特性的图；图12是表示一般的高频模块中的信号的传递的情形的示意图；图13是表示本专利技术实施方式的高频模块中的信号的传递的情形的示意图；图14是表示本实施方式的变形例1的高频模块中的主要部分的构成的放大图；图15是表示本实施方式的变形例2的高频模块中的主要部分的构成的放大图；图16是表示本实施方式的变形例3的高频模块中的主要部分的构成的放大图；图17是表示在配线部传递的电流和在接地导体流动的电流的情形的图；图18(a)～(c)是表示图8、图14、图15所示的构成中的电流的路
径的图；图19(a)～(d)是表示本专利技术实施方式的设置连接部的位置的变形例的图。标记说明1、2：高频模块10：RF芯片11、21：BGA封装12、22：印刷电路基板12a：表层12b：内层12c：里层111：信号传递用焊球112：接地用焊球113、121：配线部114、123、214：接合区115、124：接地导体116、125、216：隔离部122：通孔217：连接部具体实施方式首先，参照附图对本专利技术的使用了BGA(Ball Grid Array)封装的高频模块的一般构成及其问题点进行说明。图1是表示使用了BGA封装的高频模块1的一般构成的概略剖面图。图1所示的高频模块1具有BGA封装11及印刷电路基板12，与毫米波带的RF芯片10连接。BGA封装11在一面与RF芯片10连接。BGA封装11在另一面具有信号传递用焊球111及接地用焊球112，经由信号传递用焊球111与印刷电路基板12连接。信号传递用焊球111为在BGA封装11与印刷电路基板12之间传递信号的传递部。接地用焊球112与信号传递用焊球111邻接设置，
具有零电位。接着，对高频模块1的构成进行更详细地说明。图2是表示一般的高频模块1的构成之一例的概略剖面图。如图2所示，配线部113是在BGA封装11的两面形成多个，传递信号的配线。接合区114在BGA封装11的两面中的、不与RF芯片2(参照图1)连接的面上，以与配线部113连接的方式形成。配线部113及接合区114为设于表面的导体层。接地导体115是在配线部113及接合区114的周围设置的导体层，通过与接地用焊球112连接而具有零电位。另外，隔离部116为将接合区114与接地导体115之间隔离而设置的平面上的切口部。信号传递用焊球111及接地用焊球112配置在形成有接合区114的位置。信号传递用焊球111及接地用焊球112通过涂敷焊料而形成，通过表面张力而形成大致球形。对信号传递用焊球111、配线部113及接合区114的配置在后文中说明。印刷电路基板12具有配线部121、通孔122、接合区123、接地导体124及隔离部125，由多个层构成。配线部121为由导体层构成，在印刷电路基板12的表层12a、内层12b及里层12c设有多个的电路的配线。通孔122为在印刷电路基板12的多个层之间传递信号的传递部。接合区123设置在信号传递用焊球111与印刷电路基板12的表层12a的连接部分。接合区123为与配线部121同样的导体层，与配线部121连接。另外，接合区123设置在通孔122与配线部121之间。通孔122经由接合区123与配线部121连接。接地导体124为在配线部121及接合区123的周围设置的导体层，具有零电位。隔离部125为在配线部121及接合区123与接地导体124之间，以将配线部121及接合区123与接地导体124之间隔离的方式设置的平面上的切口部。在此，对信号传递用焊球111、配线部113及接合区114的构成进行说明。图3是表示一般的高频模块1中的主要部分的构成的放大图。图3是从箭头标记Y方向观察图2中的箭头标记X的区域所看到的放大图。在图3中，信号传递用焊球111经由接合区114与配线部113连接。接地导体115是在配线部113及接合区114的周围设置的导体层，通过与接地用焊球112(参照图2)连接而具有零电位。另外，隔离部116在配线部113及接合区114与接地导体115之间，以将配线部113及接合区114与接地导体115之间隔离的方式设置的平面上的切口部。在图1及2所示那样的使用了一般的BGA封装的高频模块1中，通常，电位为零的接地导体115形成在配线部113及接合区114的外侧。在图3所示的信号传递用焊球111、配线部113及接合区114的构成的情况下，由于接合区114的容量而使阻抗变得不连续，难以实现匹配。以下，对阻抗匹配进行说明。图4是表示一般的高频模块1的接合区114中的信号的反射特性的史密斯图。在图4中表示接合区114中的S参数S11及S22的从0Hz到100GHz的变化的轨迹。根据接合区114的容量性，S11及S22的轨迹沿着箭头标记Z的方向、即绕顺时针方向向下移动。而且，S11及S22的轨迹随着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频模块，其具有：多个基板；多个配线部，其将分别设置在所述多个基板上的多个导体层中的一个以上的导体层与RF芯片连接；作为导体层的接合区，其与所述多个配线部中的任一个连接；传递部，其设置在所述多个基板之间，经由所述接合区连接，传递信号；接地导体，其设置在所述接合区以及连接有所述接合区的配线部的周围；隔离部，其设置在所述接合区与所述接地导体之间，将所述接合区和所述接地导体隔离，以及设置在连接有所述接合区的配线部与所述接地导体之间，将连接有所述接合区的配线部和所述接地导体隔离；连接部，其设置在所述接合区与所述接地导体之间，将所述接合区和所述接地导体短路。

【技术特征摘要】
2015.02.23 JP 2015-0329131.一种高频模块，其具有：多个基板；多个配线部，其将分别设置在所述多个基板上的多个导体层中的一个以上的导体层与RF芯片连接；作为导体层的接合区，其与所述多个配线部中的任一个连接；传递部，其设置在所述多个基板之间，经由所述接合区连接，传递信号；接地导体，其设置在所述接合区以及连接有所述接合区的配线部的周围；隔离部，其设置在所述接合区与所述接地导体之间，将所述接合区和所述接地导体隔离，以及设置在连接有所述接合区的配线部与所述接地导体之间，将连接有所述接合区的配线部和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：盐崎亮佑，中村真木，佐藤润二，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP