高频模块制造技术

本发明专利技术提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波器电路的高频模块。从滤波器元件间的连接导体分配到的高频信号通过取出用电路部的传输，其相位及振幅发生变化。将第3外部连接端子的高频信号称为抑制信号，将通过滤波器电路的高频信号称为抑制目标信号，取出用电路部的传输距离设定成使得抑制信号的相位与抑制目标信号的相位大致反相，并且抑制信号的振幅与抑制目标信号的相位大致相同。抑制信号通过第3外部连接端子与第2外部连接端子的连接而与抑制目标信号合成。于是，通频带外的分量合成而相互抵消，从而提高滤波器电路的衰减特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备多个滤波器元件的高频模块。
技术介绍
具备无线通信功能的移动设备等为了仅使所希望频率的高频信号通过，并使该希望频率以外的高频信号衰减，具备滤波器电路。例如在专利文献1中记载了具备多个谐振器的滤波器电路。具体地说，专利文献1的滤波器电路在输入端子和输出端子之间串联连接多个谐振器。专利文献1中所记载的结构为了改善通频带以外的衰减特性，将电感器或电感器和电容器的路径(以下称为校正电路)与滤波器电路并联连接。此时，调整校正电路使得在校正电路中传输的抑制信号与在滤波器电路中传输的通频带以外的高频信号(抑制目标信号)振幅一致，并且相位相反。由此，抑制目标信号在滤波器电路与校正电路的连接点处被抵消，从而不会从输出端子输出。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2012－109818号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，上述结构的高频模块将校正电路设置在滤波器电路的外部，从而模块尺寸会变大。此外，滤波器电路的外部容易受到外部环境的影响。具体地说，校正电路容易受到滤波器电路外部的噪声影响，容易与其他电路耦合。此外，校正电路容易受到滤波器电路外部的安装元件间耦合的影响。其结果，高频模块的特性容易产生偏差，衰减特性难以成为所希望的特性。为此，本专利技术的目的是提供一种具备通频带以外的衰减特性优异的小型滤波器电路的高频模块。解决技术问题的技术方案本专利技术的高频模块包括被输入高频信号的第1外部连接端子、输出高频信号的第2外部连接端子、连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间的高频信号处理部。而且，高频信号处理部的内部具备：第1滤波器电路，该第1滤波器电路具有串联连接在第1外部连接端子与第2外部连接端子之间的多个滤波器元件；以及取出用电路部，该取出用电路部的一端与连接至所述第1滤波器电路的任意一个滤波器元件的连接导体直接或以电磁场耦合的方式连接，另一端为第3外部连接端子，第3外部连接端子连接至第2外部连接端子。电磁场耦合通过电感性耦合或电容性耦合来实现。例如，取出用电路部的一端通过电感性耦合或电容性耦合，连接至将滤波器元件相互连接的连接导体。由此，流过滤波器元件间的高频信号被分配并向第3外部连接端子传输。此外，取出用电路部的一端也可以与滤波器元件间的连接导体直接连接(例如电阻分配)。此外，取出用电路部的一端不局限于连接至将滤波器元件彼此间连接的连接导体，例如也可以连接至将第1外部连接端子与滤波器元件连接的连接导体。被分配的高频信号通过取出用电路部的传输，其相位及振幅发生变化。例如根据传输距离，相位发生周期性变化，振幅会由于取出用电路部的损耗而变小。将第3外部连接端子的高频信号称为抑制信号，将通过第1滤波器电路的高频信号称为抑制目标信号时，取出用电路部例如设定传输距离使得抑制信号的相位与抑制目标信号的相位大致反相，并且抑制信号的振幅与抑制目标信号的振幅大致相同。抑制信号因第3外部连接端子与第2外部连接端子连接而与抑制目标信号合成。于是，在第3外部连接端子与第2外部连接端子的连接部上，通频带外的分量通过抑制信号与抑制目标信号的合成而相互抵消，从而提高衰减特性。取出用电路部被装在高频信号处理部的内部，因此不容易受到外部环境的影响。由此，高频模块的特性不容易产生偏差，衰减特性的调整变得容易。此外，第3外部连接端子可以是与所述第2外部连接端子直接连接，也可以是经由电感性耦合或电容性耦合的连接与所述第2外部连接端子连接的方式。此外，也可以是在所述第2外部连接端子与所述第3外部连接端子之间具备匹配元件。匹配元件最终调整抑制信号的相位，因此，抑制目标信号的通频带外的分量进一步被抵消。此外，所述匹配元件可以是电容器或电感器，也可以是线状导体。在匹配元件为线状导体的情况下，抑制信号的相位可以通过线状导体的长度调整。在该情况下，抑制信号的振幅也可以通过线状导体的长度调整。此外，所述匹配元件也可以将所述第1滤波器电路的通频带以外的频带中的高频信号设定为反相。在通频带外，抑制信号的相位若与抑制目标信号的相位反相(180°)，则通频带外的分量基本被抵消。此外，高频模块是具备第2滤波器电路的双工器，所述第2滤波器电路的一端连接至所述第2外部连接端子，该第2滤波器电路的另一端连接至第4外部连接端子。例如若提高发送侧的第1滤波器电路的衰减特性，向接收侧的第2滤波器电路泄漏的分量就会减少。由此，能提高连接至第1外部连接端子的发送电路和连接至第4外部连接端子的接收电路之间的隔离性。此外，本专利技术的高频模块也可以是下述结构。包括：平板状的滤波器基板，该平板状的滤波器基板在第1主面上形成构成所述多个滤波器元件的多个IDT电极；平板状的保护层，该平板状的保护层与该滤波器基板的所述第1主面隔开间隔地相对；多个连接电极，该多个连接电极从所述第1主面突出并呈贯通所述保护层的形状；以及层叠基板，所述滤波器基板配置成所述第1主面侧面向所述层叠基板的安装面，所述滤波器基板经由所述多个连接电极连接至所述层叠基板。该结构能将高频信号处理部以WLP(；WaferLevelPackage-晶圆级封装)结构来实现。由此，能小型化高频模块。此外，所述取出用电路部可以形成在所述滤波器基板的所述第1主面或所述滤波器基板的内部，所述多个连接电极中至少1个连接电极是所述第3外部连接端子。此外，所述取出用电路部可以形成在所述保护层的表面或所述保护层的内部，所述多个连接电极中至少1个连接电极是所述第3外部连接端子。此外，所述取出用电路部的一端也可以直接连接至所述第1滤波器电路的连接导体。WLP结构在俯视高频模块时，能在滤波器基板的区域中设置取出用电路部及第3外部连接端子，因此高频模块能小型化。所述取出用电路部的一端可以配置成在从所述第1主面的法线方向俯视时与所述连接导体重叠。该结构中，取出用电路部的一端与将形成在滤波器基板的第1主面上的多个IDT电极间加以连接的导体进行电感性耦合或电容性耦合，从而取出高频信号。此外，高频模块也可以是下述结构。包括：平板状的滤波器基板，该平板状的滤波器基板在第1主面上形成构成所述多个滤波器元件的多个IDT电极；层叠基板；以及多个连接电极，该多个连接电极从所述第1主面突出并连接至所述层叠基板，所述滤波器基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频模块，包括：被输入高频信号的第1外部连接端子、输出高频信号的第2外部连接端子、以及连接在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间的高频信号处理部，所述高频模块的特征在于，所述高频信号处理部具备：第1滤波器电路，该第1滤波器电路具有串联连接在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间的多个滤波器元件；以及取出用电路部，该取出用电路部的一端与连接至所述第1滤波器电路的任意一个滤波器元件的连接导体直接或以电磁场耦合的方式连接，另一端连接至第3外部连接端子，所述第3外部连接端子连接至所述第2外部连接端子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.20 JP 2013-1700881.一种高频模块，包括：
被输入高频信号的第1外部连接端子、
输出高频信号的第2外部连接端子、以及
连接在所述第1外部连接端子与所述第2外部连接端子之间的高频信号
处理部，
所述高频模块的特征在于，
所述高频信号处理部具备：
第1滤波器电路，该第1滤波器电路具有串联连接在所述第1外部连接端
子与所述第2外部连接端子之间的多个滤波器元件；以及
取出用电路部，该取出用电路部的一端与连接至所述第1滤波器电路的
任意一个滤波器元件的连接导体直接或以电磁场耦合的方式连接，另一端
连接至第3外部连接端子，所述第3外部连接端子连接至所述第2外部连接端
子。
2.如权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述取出用电路部的一端通过电感性耦合或电容性耦合与所述连接导
体连接。
3.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第3外部连接端子经由电感性耦合或电容性耦合的连接而与所述
第2外部连接端子连接。
4.如权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第3外部连接端子与所述第2外部连接端子直接连接。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的高频模块，其特征在于，
在所述第2外部连接端子与所述第3外部连接端子之间具备匹配元件。
6.如权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件是线状导体。
7.如权利要求5或6所述的高频模块，其特征在于，
所述匹配元件设定为使高频信号在所述第1滤波器电路的通频带以外

\t的频带中反相。
8.一种高频模块，其特征在于，
该高频模块是具备如权利要求1至7的任意一项所述的高频模块及第2
滤波器电路的双工器，
所述第2滤波器电路的一端连接至所述第2外部连接端子，
该第2滤波器电路的另一端连接至第4外部连接端子。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的高频模块，其特征在于，包括：
平板状的滤波器基板，该平板状的滤波器基板在第1主面上形成构成所
述多个滤波器元件的多个IDT电极；
平板状的保护层，该平板状的保护层与该滤波器基板的所述第1主面隔
开间隔地相对；
多个连接电极，该多个连接电极从所述第1主面突出并呈贯通所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：武藤英树，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP