沟槽型二极管器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种沟槽型二极管器件，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。所述沟槽型二极管器件的导通电阻降低，提高击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
沟槽型二极管器件
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种沟槽型二极管器件。
技术介绍
肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的，它是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。肖特基二极管的反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。沟槽肖特基二极管是在平面肖特基结周围刻蚀沟槽作为漏电保护环，沟槽深度由0.5μm～12μm不等，沟槽侧壁采用薄氧化层，沟槽中填充多晶硅形成MOS结构。在功率型沟槽肖特基二极管中，通长由被MOS结构沟槽保护的岛状肖特基结阵列并联为电流通道。岛状肖特基结可以为矩形、圆形、多边形以及长条形，圆弧形，沟槽通常在整个器件层面构成连续的网格状。但是，这种情况下，沟槽面积占比偏大，使得肖特基结面积偏低。而对于功率型沟槽肖特基二极管而言，肖特基界面阵列才能作为有效面积提供电流通道，所以要在给定面积的器件中尽量提高电流通行能力，应该尽量增大肖特基结面积，减小沟槽占用面积。并且，需要进一步降低沟槽肖特基二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽型二极管器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型二极管器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。2.根据权利要求1所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述介质层自元胞沟槽顶部向下包括两个以上的子介质层，不同子介质层厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大。3.根据权利要求2所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述介质层包括2～5个子介质层。4.根据权利要求2所述的沟槽型二极管器件，其特征在于，所述介质层自元胞沟槽顶部向下包括N个子介质层，自顶部向下第n个子介质层的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖海波，徐承福，朱开兴，
申请(专利权)人：福建龙夏电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35