一种沟槽型MOSFET及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型MOSFET及其制备方法，所述MOSFET包括：第一栅极多晶层与栅极沟槽之间间隔生长有第一栅极氧化层，第二栅极多晶层与栅极沟槽之间间隔生长有第二栅极氧化层；第一栅极氧化层的厚度大于所述第二栅极氧化层的厚度；所述方法包括：在衬底片表面生长N型外延层，利用光刻工艺在衬底上制备若干栅极沟槽；在栅极沟槽内形成第一栅极氧化层，在第一栅极氧化层间沉积第一栅极多晶；将第一栅极氧化层和第一栅极多晶层刻蚀至保留高度和厚度，制备第二栅极氧化层和第二栅极多晶层；在栅极沟槽之间制备P阱区和N+有源区，在N型外延层上表面形成ILD层间介质层，在ILD层间介质层上表面形成第一金属层。实现SGT MOSFET相同性能且无需制备极间氧化层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及沟槽型mosfet，尤其涉及一种沟槽型mosfet及其制备方法。

技术介绍

1、目前主流的mosfet大致可分为以下几类：平面型mosfet、trench(沟槽型)mosfet、sgt(shielded gate trench，屏蔽栅沟槽)mosfet、sj-(超结)mosfet。

2、其中，sgt mosfet是从传统的trench mosfet的结构基础上优化发展而来，trenchmosfetsgt需要在沟槽内制备等厚的栅极氧化层和等厚栅极多晶，在sgt mosfet制备过程中，在元胞结构上其多晶硅分为源极多晶硅和栅极多晶硅，中间用一层致密的极间氧化层隔开，源极多晶硅可以形成场板的作用，使得mosfet的电场呈现类似梯形分布，其外延层可以使用更低的电阻率，大大降低了导通电阻，但是该结构会带来更加复杂的工艺流程，导致成本大幅增加。然而现有的trench mosfet虽然无需制备极间氧化层且工艺流程简单，但是无法达到与sgt mosfet相同的比导通电阻和耐压能力。

3、针对上述的现有技术存在的问题设计一种沟槽型mos本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽型MOSFET，其特征在于，包括：衬底、形成于衬底上方的N型外延层、形成于N型外延层内的栅极沟槽；

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，位于所述第二栅极多晶层上的所述ILD层间介质层设置有栅极接触孔，所述第一金属层通过所述栅极接触孔与所述第二栅极多晶层金属连接，所述第一金属层外接电源，通过所述外部电源开启所述沟槽型MOSFET。

3.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其特征在于，位于所述N+有源区上的所述ILD层间介质层设置有源极接触孔，所述第一金属层通过所述源极接触孔与所述N+有源区金属连接，所述N+有源区形成所述沟槽型MO...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽型mosfet，其特征在于，包括：衬底、形成于衬底上方的n型外延层、形成于n型外延层内的栅极沟槽；

2.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet，其特征在于，位于所述第二栅极多晶层上的所述ild层间介质层设置有栅极接触孔，所述第一金属层通过所述栅极接触孔与所述第二栅极多晶层金属连接，所述第一金属层外接电源，通过所述外部电源开启所述沟槽型mosfet。

3.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet，其特征在于，位于所述n+有源区上的所述ild层间介质层设置有源极接触孔，所述第一金属层通过所述源极接触孔与所述n+有源区金属连接，所述n+有源区形成所述沟槽型mosfet源极；

4.一种沟槽型mosfet的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-3任一项所述的沟槽型mosfet，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述沟槽型mosfet的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底片表面生长n型外延层，利用光刻工艺在衬底上制备若干栅极沟槽包括：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱开兴，赖海波，吴冰，张华春，
申请(专利权)人：福建龙夏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：